SK海力士提升為集團(tuán)子公司的“利與弊”

據(jù)海外媒體報(bào)道，韓國(guó)SK集團(tuán)（SK Group）為了提升股東價(jià)值，針對(duì)五大新事業(yè)領(lǐng)域加強(qiáng)對(duì)外購(gòu)并。但身為集團(tuán)金牛的SK海力士（SK Hynix）卻位在疊...

2017-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SK海力士半導(dǎo)體模組 3630 0

微能源網(wǎng)絡(luò)進(jìn)入“四位一體”關(guān)鍵環(huán)節(jié)

當(dāng)一個(gè)企業(yè)，每一棟樓，每一個(gè)家庭都能參與可再生能源生產(chǎn)的時(shí)候，整個(gè)能源系統(tǒng)和傳統(tǒng)的能源生產(chǎn)消費(fèi)方式將被徹底改變。

2016-11-28 標(biāo)簽：新能源汽車光伏產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料 936 0

粗放經(jīng)營(yíng)導(dǎo)致大量石墨資源浪費(fèi)

《中國(guó)制造2025年》明確提出，我國(guó)石墨烯產(chǎn)業(yè)到2020年將形成百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，2025年將達(dá)到千億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。目前，江蘇、重慶、寧波、青島、德陽(yáng)、...

2016-11-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料石墨烯智能制造 644 0

人類拍攝到半導(dǎo)體材料內(nèi)部電子運(yùn)動(dòng)，開啟更強(qiáng)工藝制程寶盒

日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（OIST）的科學(xué)家們，開發(fā)出一種可視化半導(dǎo)體材料中電子狀態(tài)變化的新方法。他們使用強(qiáng)激光脈沖照射材料，引起材料狀態(tài)的改變，在一...

2016-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 549 1

8月1日快訊：光速被“降服”/棱鏡門升級(jí)

棱鏡門再次升級(jí)，揭秘者斯諾登突然打破沉默再度爆猛料，美國(guó)國(guó)家安全局(NSA)所開發(fā)的一個(gè)互聯(lián)網(wǎng)監(jiān)視系統(tǒng)“Xkeyscore”能夠隨時(shí)查看各類隱私信息.我...

2013-08-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料棱鏡門電子快訊 2362 0

未來半導(dǎo)體材料的新寵石墨烯有毒？

美國(guó)布朗大學(xué)（Brown University）研究人員的研究發(fā)現(xiàn)，石墨烯（grapheme）──這種被譽(yù)為半來半導(dǎo)體材料的新寵──可能會(huì)破壞活細(xì)胞功能...

2013-07-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料石墨烯 5286 1

半導(dǎo)體材料知多少?SiC器件與Si器件性能比較

SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。

2012-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC器件Si器件 1.3萬(wàn) 1

未來完美半導(dǎo)體材料——石墨烯

　　世界上有這么種物質(zhì)，它透明，有韌性，它極其堅(jiān)硬，防水，它存量豐富，經(jīng)濟(jì)實(shí)惠并且它的電阻率是世界上已知物質(zhì)中最小的。它就是石墨烯，一種擁有完美性能的材...

2012-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料石墨烯太陽(yáng)能充電 1.1萬(wàn) 0

半導(dǎo)體發(fā)展:半導(dǎo)體材料將走向“納米化”

半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。伴隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的壯大，半導(dǎo)體材料也不斷獲得突破。半導(dǎo)體納米科學(xué)技術(shù)的應(yīng)用，將從原子、分子、納米尺度水平上，控制和制...

2012-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 2352 0

半導(dǎo)體腐蝕新技術(shù)

美國(guó)伊利諾伊大學(xué)的研究人員發(fā)明了一種化學(xué)腐蝕新技術(shù)，可以在砷化鎵(GaAs)中生成圖形化陣列。該技術(shù)使高端光電裝置的制備變得更容易。

2012-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1905 1

半導(dǎo)體材料與設(shè)備業(yè)創(chuàng)新需政策助力

實(shí)際情況是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備和材料企業(yè)綜合實(shí)力目前還比較弱，仍需要政府的大力扶持才能發(fā)展壯大。為此，業(yè)內(nèi)人士呼吁，國(guó)家應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備及材料企業(yè)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化給...

2011-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 744 0

瑞士開發(fā)新半導(dǎo)體材料-輝鉬礦

有一種新開發(fā)的半導(dǎo)體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬(wàn)分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶體管

2011-02-24 標(biāo)簽：瑞士半導(dǎo)體材料輝鉬礦 1784 0

輝鉬(MoS2)有望代替硅成為新一代半導(dǎo)體材料

本報(bào)訊據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)1月31日?qǐng)?bào)道，近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)（LANES）實(shí)驗(yàn)室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分...

2011-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料輝鉬 3638 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程和應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程和應(yīng)用領(lǐng)域 半導(dǎo)體材料經(jīng)歷幾代的發(fā)展: 第一代半導(dǎo)

2010-03-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 1.5萬(wàn) 0

半導(dǎo)體材料的特性

半導(dǎo)體材料的特性 半導(dǎo)體材料是室溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，室溫時(shí)電阻率一般在10-5～107歐·米之

2010-03-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 1283 0

半導(dǎo)體材料的工藝流程

半導(dǎo)體材料的工藝流程 導(dǎo)體材料特性參數(shù)的大小與存在于材料中的雜質(zhì)原子和晶體缺陷有很大關(guān)系。例如電阻率因雜質(zhì)原子的類型和

2010-03-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 2514 0