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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置,能實(shí)現(xiàn)對(duì)交流異步電機(jī)的軟起動(dòng)、變頻調(diào)速、提高運(yùn)轉(zhuǎn)精度、改變功率因數(shù)、過(guò)流/過(guò)...
本發(fā)明涉及一種感光膜去除方法,通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢,可以簡(jiǎn)化后處理序列,從而縮短前工藝處理時(shí)間,上述感光膜去除方法是:在...
半導(dǎo)體IC如何輕松實(shí)現(xiàn)電子開(kāi)關(guān)
根據(jù)具體的應(yīng)用,斷開(kāi)電源電壓可能會(huì)非常復(fù)雜。但是,可以使用一款帶有開(kāi)關(guān)控制引腳的特殊MOS驅(qū)動(dòng)器IC來(lái)降低設(shè)計(jì)難度。
2022-04-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)元件 3188 0
硅晶圓蝕刻過(guò)程中的流程和化學(xué)反應(yīng)
引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工...
本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅,研究發(fā)現(xiàn),在400~2200nm的波長(zhǎng)內(nèi),光的吸收顯著增強(qiáng),其中飛秒激光用六氟化...
處理納米級(jí)顆粒污染仍然是半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的主要挑戰(zhàn)之一。對(duì)于越來(lái)越多的關(guān)鍵處理步驟而言尤其如此,在這些步驟中,需要去除顆粒物質(zhì)的殘留物而不會(huì)對(duì)敏感器...
在過(guò)去的幾年中,納米壓印光刻引起了越來(lái)越多的興趣。事實(shí)上,似乎有越來(lái)越多的潛在納米壓印應(yīng)用和基本納米壓印光刻概念的變化。不同的納米壓印變體對(duì)于特定的最終...
對(duì)于亞微米或深亞微米 ULSI 的制造,完全抑制在硅晶片表面產(chǎn)生的顆粒和污染非常重要。清潔需求的傳統(tǒng)概念是使用化學(xué)成分(APM、氨和過(guò)氧化氫混合物)發(fā)揮...
在所有其他參數(shù)相同的情況下,對(duì)于電子應(yīng)用,寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體優(yōu)于窄帶半導(dǎo)體(如硅),因?yàn)閷?dǎo)帶和價(jià)帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作...
引言 本文簡(jiǎn)要綜述了所提出的清洗機(jī)制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結(jié)果。在摩擦分析中,刷的粘彈性行為、平板的表面潤(rùn)濕性以及刷的變形是重要的。此外,我們還介...
2022-03-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PVA半導(dǎo)體工藝 2398 0
半導(dǎo)體集成電路的快速發(fā)展推動(dòng)了汽車(chē)自動(dòng)化、電動(dòng)化、互聯(lián)化的趨勢(shì)和相關(guān)電子電氣架構(gòu)的發(fā)展。在芯片架構(gòu)日益復(fù)雜,設(shè)計(jì)工作持續(xù)增加的背景下,采取例如模塊的標(biāo)準(zhǔn)...
本文是為了在Si基板蝕刻制造金剛石時(shí)提高制造收率,為此,將半導(dǎo)體Si基板接入陽(yáng)極,將Pt電極接入陰極后,在pt電極用跳汰機(jī)內(nèi)放入氮?dú)馀菖萜鳎D(zhuǎn)對(duì)向的正...
一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法
提供了一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開(kāi)始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后,在基板的表面和鄰近頭的相對(duì)表面之間產(chǎn)生...
氮化鎵(GaN)是否將在所有應(yīng)用中取代砷化鎵(GaAs)
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣,氮化鎵(GaN)是一項(xiàng)革命性技術(shù),在實(shí)現(xiàn)未來(lái)的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨...
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