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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

40個(gè)變頻器常見(jiàn)問(wèn)題解答

變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置,能實(shí)現(xiàn)對(duì)交流異步電機(jī)的軟起動(dòng)、變頻調(diào)速、提高運(yùn)轉(zhuǎn)精度、改變功率因數(shù)、過(guò)流/過(guò)...

2022-04-13 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體變頻器 2782 0

一種澆口蝕刻后的感光膜去除方法

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2022-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝 543 0

半導(dǎo)體IC如何輕松實(shí)現(xiàn)電子開(kāi)關(guān)

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根據(jù)具體的應(yīng)用,斷開(kāi)電源電壓可能會(huì)非常復(fù)雜。但是,可以使用一款帶有開(kāi)關(guān)控制引腳的特殊MOS驅(qū)動(dòng)器IC來(lái)降低設(shè)計(jì)難度。

2022-04-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)元件 3188 0

硅晶圓蝕刻過(guò)程中的流程和化學(xué)反應(yīng)

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引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工...

2022-04-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅晶圓刻蝕 2251 0

一種提高晶片干燥效率的馬蘭戈尼型干燥劑系統(tǒng)

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晶片干洗系統(tǒng),更詳細(xì)地說(shuō),是一種能夠提高對(duì)晶片干燥效率的馬蘭戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系統(tǒng)。

2022-04-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝晶片 849 0

如何減少硅晶片表面上的金屬雜質(zhì)

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本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造。在清洗步驟后,“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預(yù)定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑,以減少殘留在硅晶...

2022-04-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體金屬硅晶片 1979 0

一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法

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本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法,在通過(guò)臭氧氧化去除一些硅原子層,然后用氫氟酸蝕刻氧化物后,重復(fù)測(cè)量,然后確定了成分和表面電位的深度分布,因...

2022-04-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻 1093 0

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

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本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅,研究發(fā)現(xiàn),在400~2200nm的波長(zhǎng)內(nèi),光的吸收顯著增強(qiáng),其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3021 0

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2022-03-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體顆粒清潔技術(shù) 466 0

半導(dǎo)體晶圓清洗工藝技術(shù)

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溶液中含有大量稀釋的鹽酸去離子水。清洗槽其下部的megaSonic發(fā)生器,用于選擇性 應(yīng)用megaSonic能量。油箱里有快速卸油閥底部使解決方案能夠被...

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納米壓印光刻技術(shù)的詳細(xì)介紹

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在過(guò)去的幾年中,納米壓印光刻引起了越來(lái)越多的興趣。事實(shí)上,似乎有越來(lái)越多的潛在納米壓印應(yīng)用和基本納米壓印光刻概念的變化。不同的納米壓印變體對(duì)于特定的最終...

2022-03-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體納米光刻 7518 0

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對(duì)于亞微米或深亞微米 ULSI 的制造,完全抑制在硅晶片表面產(chǎn)生的顆粒和污染非常重要。清潔需求的傳統(tǒng)概念是使用化學(xué)成分(APM、氨和過(guò)氧化氫混合物)發(fā)揮...

2022-03-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝硅晶片 439 0

新一代半導(dǎo)體材料氧化鎵應(yīng)用研究

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在所有其他參數(shù)相同的情況下,對(duì)于電子應(yīng)用,寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體優(yōu)于窄帶半導(dǎo)體(如硅),因?yàn)閷?dǎo)帶和價(jià)帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作...

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半導(dǎo)體工藝之PVA刷擦洗 聚VA刷摩擦分析

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引言 本文簡(jiǎn)要綜述了所提出的清洗機(jī)制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結(jié)果。在摩擦分析中,刷的粘彈性行為、平板的表面潤(rùn)濕性以及刷的變形是重要的。此外,我們還介...

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博世車(chē)用IP模塊究竟有哪些應(yīng)用

半導(dǎo)體集成電路的快速發(fā)展推動(dòng)了汽車(chē)自動(dòng)化、電動(dòng)化、互聯(lián)化的趨勢(shì)和相關(guān)電子電氣架構(gòu)的發(fā)展。在芯片架構(gòu)日益復(fù)雜,設(shè)計(jì)工作持續(xù)增加的背景下,采取例如模塊的標(biāo)準(zhǔn)...

2022-03-28 標(biāo)簽:芯片集成電路模塊 2659 0

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本文是為了在Si基板蝕刻制造金剛石時(shí)提高制造收率,為此,將半導(dǎo)體Si基板接入陽(yáng)極,將Pt電極接入陰極后,在pt電極用跳汰機(jī)內(nèi)放入氮?dú)馀菖萜鳎D(zhuǎn)對(duì)向的正...

2022-03-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電極 3654 0

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一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法

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提供了一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開(kāi)始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后,在基板的表面和鄰近頭的相對(duì)表面之間產(chǎn)生...

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氮化鎵(GaN)是否將在所有應(yīng)用中取代砷化鎵(GaAs)

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě),中文翻譯為“車(chē)載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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