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標簽 > 半導體
半導體（ semiconductor），指常溫下導電性能介于導體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極管就是采用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。
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摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更...
摘要 我們華林科納對h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影...
電子發燒友網報道(文/李寧遠)大至功率變換器，小至內存、CPU等各類電子設備核心元件，哪里都少不了MOSFET的應用。MOSFET作為一種半導體器件，既...
熱電阻是中低溫區最常用的一種溫度檢測器。它的主要特點是測量精度高，性能穩定。其中鉑熱是阻的測量精確度是最高的，它不僅廣泛應用于工業測溫，而且被制成標準的...
免費電子電路仿真工具ROHM Solution Simulator
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向汽車和工業設備等電子電路設計者和系統設計者，在ROHM官網上公開了一款在線仿真工具“ROHM Sol...
本文概述了氧化鋅的基本性質，包括晶體結構、能帶結構和熱性質，并介紹了其應用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結構，氧化鋅的機械性質、基本電子和光學性質以及潛在...
引言 硅(Si)在半導體器件制造中的大多數技術應用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅（二氧化硅）可以通過簡單的氧化方法在硅表面制備，其特點是高化學...
用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...
引言 用電化學和原子力顯微鏡方法對有機酸與銅的相互作用進行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機酸、二有機酸和三有機酸中銅的蝕刻速率...
引言 高效太陽能電池需要對硅片的正面和背面進行單獨處理。在現有技術中，電池的兩面都被紋理化，導致表面相當粗糙，這對背面是不利的。因此，在紋理化后直接引入...
引言 原子平面的制備是半導體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現象或使用原子探針技術操縱單個原子，只有原子平面的表面才能產生可重復制造納米級原子結...
引言 晶體硅光伏效率和場退化領域的技術差距/需求已經被確定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。極少量的污染會導致光伏效率低下，并且在現場安裝后暴...
引言 人們對用于器件應用的碳化硅(SiC)重新產生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數和熱膨脹系數，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應用領域，例...
關鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環保光刻膠去除方法的候選方法。已經證明，臭氧微氣泡可以去除...
摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統在純鋁電路光刻制造中的潛在生產應用。溫度變化...
引言 隨著半導體技術的發展，為了在有限的面積內 形成很多器件，技術正在向多層結構發展。要想形成多層結構，會形成比現有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積...
引言 在太陽能電池工業中，最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而，IPA是有毒的，而且相對昂貴，因此人們正在努力...
關鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機理。結果表明，在...
寫在前面在模擬電路的學習過程中，你可能或多或少聽過《你好，放大器》《新概念模擬電路》的名頭，或者通過它們學習過模電的相關知識。該系列叢書由西安交通大學電...
傳統的高壓隔離反激式轉換器利用光耦合器將穩壓信息從次級側基準電源電路傳輸到初級側，由此實現準確穩壓。問題在于光耦合器會大大增加隔離設計的復雜性：存在傳播...
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