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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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熱電偶產(chǎn)生熱電勢(shì)的原因和條件是基于塞貝克效應(yīng),這是熱電偶工作的基本原理。
2024-05-08 標(biāo)簽:熱電偶半導(dǎo)體電動(dòng)勢(shì) 3285 0
使用Simcenter全面評(píng)估SiC 器件的特性——Simcenter為熱瞬態(tài)測(cè)試和功率循環(huán)提供全面支持
內(nèi)容摘要傳統(tǒng)的硅金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)具有成熟的技術(shù)和低廉的成本,在中壓和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)高壓功率電子器件中占主導(dǎo)...
直流電阻和回路電阻是電路分析中兩個(gè)重要的概念,它們描述了電流在電路中流動(dòng)時(shí)所遇到的阻力,但它們的定義、測(cè)量方法和應(yīng)用場(chǎng)景有所不同。
硅片是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ),絕大多數(shù)的芯片都是在硅片上制造的。SOI(silicon on insulator )利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開(kāi)來(lái)。
Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車(chē)用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。功率...
2024-04-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 993 0
用于材料領(lǐng)域的共聚焦顯微鏡可以觀察和分析材料的微觀結(jié)構(gòu)和特征,具體包括以下幾個(gè)方面:1.金屬材料的微觀形貌:共聚焦顯微鏡可以觀察金屬材料的表面形貌,如晶...
2024-04-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體顯微鏡光學(xué)顯微技術(shù) 636 0
霍爾開(kāi)關(guān)的分類(lèi) 霍爾開(kāi)關(guān)三根線(xiàn)怎么接?
霍爾開(kāi)關(guān),當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí),薄片的兩端就會(huì)產(chǎn)生電位差,這種現(xiàn)象就稱(chēng)為霍爾效應(yīng)。
2024-05-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管霍爾效應(yīng) 4099 0
氮?dú)夤袷侨绾芜M(jìn)行溫度、濕度和氧含量控制的?
氮?dú)夤竦臏貪穸瓤刂茦?biāo)準(zhǔn)并不統(tǒng)一,具體設(shè)定值主要取決于所存儲(chǔ)物料的特性與存儲(chǔ)要求。氮?dú)夤竦臏囟纫话悴恢苯涌刂疲秋@示并反映柜內(nèi)當(dāng)前的環(huán)境溫度,因?yàn)榈獨(dú)夤?..
KS98-2多功能過(guò)程控制系統(tǒng)助力工業(yè)智能化升級(jí)
在現(xiàn)代化工業(yè)生產(chǎn)的浪潮中,高效穩(wěn)定的過(guò)程控制是確保生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。
冗余電路保險(xiǎn)措施的導(dǎo)入—備用記憶體的機(jī)制
在半導(dǎo)體記憶體中,例如一個(gè)1G的DRAM,代表一個(gè)半導(dǎo)體晶片上擁有10億個(gè)能夠記憶1 bit的資訊單位。
氧化硅薄膜整個(gè)半導(dǎo)體制造過(guò)程是十分常見(jiàn)且不可或缺的,那么它具體有什么用途呢?
專(zhuān)用集成電路 通用集成電路有哪些區(qū)別 專(zhuān)用集成電路和通用集成電路的區(qū)別與聯(lián)系
專(zhuān)用集成電路(ASIC)和通用集成電路(IC)是兩種不同的電路設(shè)計(jì)和制造方式。 專(zhuān)用集成電路是為特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的定制電路。它是根據(jù)用戶(hù)的需求進(jìn)行設(shè)計(jì)和制...
2024-04-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)專(zhuān)用集成電路 1269 0
IGBT的基本工作原理、開(kāi)關(guān)特性及其輸入特性
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種三端子的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)...
嵌入式系統(tǒng)中低功耗設(shè)計(jì)要點(diǎn)
主控芯片的選型要充分考慮到系統(tǒng)的使用場(chǎng)景,對(duì)于那些運(yùn)算任務(wù)比較多的應(yīng)用場(chǎng)景下,可以選用能耗比高的芯片來(lái)設(shè)計(jì),比如像ambiq的Apollo系列芯片,該芯...
2024-05-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體嵌入式系統(tǒng)主控芯片 801 0
單晶硅的少子壽命是指什么?表面形態(tài)對(duì)單晶硅少子壽命有何影響?
單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子(電子或空穴)在半導(dǎo)體材料中從產(chǎn)生到消失(即通過(guò)復(fù)合過(guò)程失去)的平均時(shí)間。
半導(dǎo)體晶片的測(cè)試—晶圓針測(cè)制程的確認(rèn)
將制作在晶圓上的許多半導(dǎo)體,一個(gè)個(gè)判定是否為良品,此制程稱(chēng)為“晶圓針測(cè)制程”。
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