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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件,用于開關(guān)和放大。MOSFET是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的一種,其柵極通過使用絕緣層進(jìn)行電隔離。因此,它也被稱為IGF...
靶材的種類及制備工藝 靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用
選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。
2023-12-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaAs 1578 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為N...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為...
能同時(shí)組裝先進(jìn)封裝及表面貼裝元件的FuzionSC半導(dǎo)體貼片機(jī)
為了應(yīng)對(duì)汽車電子、5G、6G及智能設(shè)備的組裝需要,廠家往往需要同時(shí)組裝先進(jìn)封裝及表面貼裝元件。
早在上世紀(jì) 70 年代,激光就被首次用于切割。在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中,激光切割更被廣泛應(yīng)用于鈑金、塑料、玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體以及紡織品、木材和紙質(zhì)等材料加工。
開關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)和選型注意事項(xiàng) 機(jī)械開關(guān)的類型
開關(guān)在我們?nèi)粘I钪兴究找姂T,其種類繁多,無(wú)處不在。開關(guān)有無(wú)數(shù)種形式,從微小的按鈕到巨大的控制器,功能多種多樣。這種多樣性受到機(jī)械或電氣操作、手動(dòng)或電子...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理特性,如高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等,在功率器件領(lǐng)域展...
半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備(四)
浮區(qū)晶體生長(zhǎng)是本文所解釋的幾個(gè)過程之一,這項(xiàng)關(guān)鍵性的技術(shù)是在歷史早期發(fā)展起來(lái)的技術(shù),至今仍用于特殊用途的需求。
逆變電路中的功率開關(guān)器件是實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵元件,其主要作用是在控制信號(hào)的作用下,將直流電源輸出的電能轉(zhuǎn)換為交流電能。在逆變電路中,功率開關(guān)器...
2023-12-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變電路功率開關(guān)器件 2203 0
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...
2023-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 1926 0
wafer、die、cell是什么?它們有何關(guān)系和區(qū)別呢?
可能你偶爾會(huì)聽見硬件工程師,或者芯片設(shè)計(jì)工程師講述一些專業(yè)名詞,比如今天說的wafer、die、cell等。
2023-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓芯片設(shè)計(jì) 4061 0
什么是宇宙射線?宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理
眾所周知,IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件,失效后將直接導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。宇宙射線作為一個(gè)無(wú)法預(yù)知的因素,可...
物理氣相傳輸法生長(zhǎng)SiC晶圓中的缺陷和測(cè)試
和Si晶體拉晶工藝類似,PVT法制備SiC單晶和切片形成晶圓過程中也會(huì)引入多種缺陷。這些缺陷主要包括:表面缺陷;引入深能級(jí)的點(diǎn)缺陷;位錯(cuò);堆垛層錯(cuò);以及...
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