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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

濕法清洗設(shè)備在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用

芯片制造中的各道工序極為精密,那么我們是如何保持工藝中無污染的呢?

2023-12-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片制造清洗設(shè)備 1091 0

三極管的放大電路設(shè)計(jì)與分析

三極管的放大電路設(shè)計(jì)與分析

三極管是一種常用的半導(dǎo)體器件,具有放大、開關(guān)等功能。在電子電路中,三極管的放大電路是最基本的電路之一,廣泛應(yīng)用于信號(hào)處理、通信、控制等領(lǐng)域。本文將對(duì)三極...

2023-12-30 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體放大電路 2973 0

高效率數(shù)字反激式氮化鎵快充原理與應(yīng)用

高效率數(shù)字反激式氮化鎵快充原理與應(yīng)用

氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發(fā)光二極管,1990年起開始被廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管上,目前被廣泛應(yīng)用于功率器件、...

2023-12-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體usb氮化鎵 1098 0

思瑞浦全新并聯(lián)基準(zhǔn)芯片TPR43x系列產(chǎn)品簡介

思瑞浦全新并聯(lián)基準(zhǔn)芯片TPR43x系列產(chǎn)品簡介

TPR433/TPR434基于BCD工藝,電壓精度0.5%@25°C,可廣泛應(yīng)用于電源、照明、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。

2023-12-26 標(biāo)簽:處理器半導(dǎo)體嵌入式 857 0

碳化硅功率器件的工作原理和優(yōu)勢

  隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用,從電動(dòng)汽車到數(shù)據(jù)中心,再到可再生能源系統(tǒng),其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域,碳化硅...

2023-12-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 629 0

AI在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)測試中的應(yīng)用

AI在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)測試中的應(yīng)用

“時(shí)間就是金錢”這句話在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)測試中尤為貼切。

2023-12-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓AI 1024 0

霍爾效應(yīng)在半導(dǎo)體性能測試中的作用

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體器件在各個(gè)領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。而為了確保半導(dǎo)體器件的質(zhì)量和性能,進(jìn)行準(zhǔn)確的半導(dǎo)體性能測試顯得尤為重要。霍爾效應(yīng)作為...

2023-12-25 標(biāo)簽:磁場電流半導(dǎo)體 1751 0

半導(dǎo)體的特征及工藝介紹

半導(dǎo)體的特征及工藝介紹

無可否認(rèn),不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身,都已經(jīng)成為所有市場中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠的下一個(gè)建設(shè)地。而每一次的...

2023-12-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體計(jì)算機(jī)晶體管 6696 0

雙向可控硅觸發(fā)電路介紹

雙向可控硅觸發(fā)電路介紹

雙向可控硅觸發(fā)電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子技術(shù)中的功率控制器件,它具有無觸點(diǎn)、無火花的開關(guān)特性,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)交流電的無級(jí)調(diào)壓、調(diào)功等功能。本文將對(duì)雙向可控...

2023-12-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體振蕩器觸發(fā)電路 6351 0

BJT的工作原理介紹

BJT的工作原理介紹

BJT(雙極型晶體管)是一種常見的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于放大電路、開關(guān)電路和數(shù)字邏輯電路等領(lǐng)域。BJT的工作原理主要包括以下幾個(gè)方面: 結(jié)構(gòu)與符號(hào) BJ...

2023-12-30 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體BJT 1.2萬 0

3000W舞臺(tái)音響功放MOS管應(yīng)用方案介紹

3000W舞臺(tái)音響功放MOS管應(yīng)用方案介紹

上文我們講述了1800W雙通道功放MOS管應(yīng)用方案,本文我們?nèi)匀焕^續(xù)展開舞臺(tái)音響功放的應(yīng)用講述。

2023-12-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 2693 0

8050三極管NPN和PNP的區(qū)別

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三極管是一種常見的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。根據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同,三極管可以分為NPN型和PNP型兩種類型。本文將詳細(xì)介紹8050三極管的NPN...

2023-12-30 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體pnp 2569 0

cob光源和led的區(qū)別有哪些

COB光源和LED是兩種常見的照明技術(shù),它們在許多方面都有不同之處。本文將從以下幾個(gè)方面對(duì)COB光源和LED進(jìn)行比較: 定義 COB光源是Chip on...

2023-12-30 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體cob光源 8571 0

SOC芯片是什么?SOC芯片的優(yōu)缺點(diǎn)和設(shè)計(jì)流程

SOC芯片是什么?SOC芯片的優(yōu)缺點(diǎn)和設(shè)計(jì)流程

SOC的定義多種多樣,由于其內(nèi)涵豐富、應(yīng)用范圍廣,很難給出準(zhǔn)確定義。一般說來,SOC系統(tǒng)級(jí)芯片,也有稱片上系統(tǒng),意指它是一個(gè)產(chǎn)品,是一個(gè)有專用目標(biāo)的集成...

2023-12-22 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體晶體管 8967 0

二極管反向恢復(fù)電流和什么有關(guān)

二極管反向恢復(fù)電流是指二極管在截止?fàn)顟B(tài)突然轉(zhuǎn)為正向偏置時(shí),會(huì)出現(xiàn)一個(gè)瞬時(shí)的反向電流。這個(gè)反向電流也被稱為反向恢復(fù)電流或逆向恢復(fù)電流。 二極管是一種具有兩...

2023-12-22 標(biāo)簽:二極管電流半導(dǎo)體 3351 0

門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響

門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響

/引言/對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來說,門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對(duì)器件開關(guān)特性的影響,而今天我們來一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。...

2023-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)器件 442 0

地球上有多少硅原子可以用來生成晶體管呢?

地球上有多少硅原子可以用來生成晶體管呢?

硅是常見的元素,那么地球上有多少硅原子可以用來生成晶體管

2023-12-22 標(biāo)簽:處理器半導(dǎo)體晶體管 1534 0

激光微納加工技術(shù)詳解

激光微納加工技術(shù)詳解

激光微納加工技術(shù)利用激光脈沖與材料的非線性作用,可以<100nm精度實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方法難以實(shí)現(xiàn)的復(fù)雜功能結(jié)構(gòu)和器件的增材制造。而激光直寫(DLW)光刻是...

2023-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光加工技術(shù) 1910 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備(二)

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備(二)

晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個(gè)晶胞的特定的點(diǎn)上。

2023-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓砷化鎵 650 0

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來說,高溫?cái)U(kuò)散工藝簡單,設(shè)備便宜,摻雜分布輪廓為等向性,且高溫?cái)U(kuò)散工...

2023-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 3125 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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