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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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我們可以將其理解為某個(gè)特定部落的人口問(wèn)題,在這個(gè)部落,人口統(tǒng)計(jì)只計(jì)算單身人口,夫妻不計(jì)入統(tǒng)計(jì)范圍內(nèi)。
2023-11-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體 1035 0
IGBT全稱叫做絕緣柵雙極型晶體管,實(shí)際上就是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管結(jié)合到一起,一種非常簡(jiǎn)單樸素的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,卻讓器件性質(zhì)發(fā)生了質(zhì)的變化,是科技創(chuàng)新...
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(七)
盡管有這些優(yōu)點(diǎn),但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
光模塊生產(chǎn)工藝的核心環(huán)節(jié)介紹
5G通信、人工智能、元宇宙等新技術(shù)的涌現(xiàn)使得光通信行業(yè)快速發(fā)展。光模塊作為光通信設(shè)備中完成光電轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件,與服務(wù)器暴增的算力和數(shù)據(jù)交互直接配套。因此...
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí),柵極電阻選型注意事項(xiàng)
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì),以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開(kāi)關(guān)損耗,開(kāi)關(guān)損耗會(huì)被...
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在反型結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池取得重要進(jìn)展
近期,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所游經(jīng)碧研究員帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)在p-i-n反型結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的p型空穴傳輸層設(shè)計(jì)和可控生長(zhǎng)等方面取得重要進(jìn)展。
2023-11-25 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體SAM 725 0
模組,其實(shí)就是把類似和相關(guān)的工序組成一個(gè)集合的概念,這樣就可以分配給相對(duì)的部門去負(fù)責(zé),他們只做這一部分對(duì)應(yīng)的工作。比如:刻蝕工藝工程師就專門做刻蝕這一部...
首次實(shí)現(xiàn)GHz頻率的二維半導(dǎo)體環(huán)形振蕩器電路
南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院王欣然教授、施毅教授帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)在二維半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。通過(guò)設(shè)計(jì)-工藝協(xié)同優(yōu)化(DTCO),開(kāi)發(fā)出空氣隔墻晶體管...
鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)電池,以其具有超過(guò)單結(jié)電池Shockley-Queisser理論極限的超高效率和成本優(yōu)勢(shì),近年來(lái)成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。通過(guò)近10年...
目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料,需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取,具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)...
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管...
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
2023-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT伺服驅(qū)動(dòng)器 747 0
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