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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

+關(guān)注330人關(guān)注

半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

碳化硅在電源中的作用和優(yōu)勢(shì)

  硅是半導(dǎo)體的傳統(tǒng)材料,但其近親碳化硅(SiC)最近已成為激烈的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應(yīng)用。它提供了更高的效率,并擴(kuò)展了功率密度和工...

2023-11-10 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體SiC 1641 0

碳化硅材料的主要應(yīng)用

碳化硅材料的主要應(yīng)用

碳化硅( Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學(xué)特性,其中禁帶寬度 (2.3~3.3eV)約是Si 的3倍,擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度(0.8×10...

2023-11-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 578 0

CW32W031芯片功能介紹及注意事項(xiàng)

CW32W031 芯片為實(shí)現(xiàn)輕量化網(wǎng)關(guān)設(shè)備,提供智能搜索功能。可實(shí)現(xiàn)在接收時(shí)智能化識(shí)別信道中的 SF 參數(shù),達(dá)到接收不同 SF 信號(hào)數(shù)據(jù)的目的。

2023-11-09 標(biāo)簽:芯片單片機(jī)mcu 820 0

變頻器的基本常識(shí)

說起變頻器,在看的各位一定不陌生!變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。那么下面這18個(gè)有關(guān)變頻器的問題,你們知道幾個(gè)?

2023-11-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體變頻器電機(jī) 1067 0

LED的發(fā)光原理和波長(zhǎng)范圍 什么是光耦?為什么需要光耦?

LED的發(fā)光原理和波長(zhǎng)范圍 什么是光耦?為什么需要光耦?

發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光原理是向化合物半導(dǎo)體的pn結(jié)施加正向電流。

2023-11-09 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體發(fā)光二極管 2941 0

碳化硅在電力電子器件中的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能,在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。

2023-11-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力電子器件SiC 1062 0

晶圓級(jí)封裝的基本流程

晶圓級(jí)封裝的基本流程

介紹了晶圓級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同晶圓級(jí)封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出...

2023-11-08 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體散熱 9818 0

顯影液為何無法除去HMDS和BARC?原因是什么?又該如何將其去除?

顯影液為何無法除去HMDS和BARC?原因是什么?又該如何將其去除?

我們先從它們的成分說起。HMDS,中文名六甲基二硅氮烷,是一種有機(jī)物,在水中的溶解性很低,但它可與多種有機(jī)溶劑混溶,比如醇、醚和多數(shù)非極性溶劑。

2023-11-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體 2152 0

AmberSemi 和 Nordic 宣布建立合作伙伴關(guān)系

Amber Semiconductor和Nordic Semiconductor建立了多方面的合作伙伴關(guān)系,以探索銷售、營(yíng)銷和開發(fā)計(jì)劃,為市場(chǎng)帶來新的解...

2023-11-07 標(biāo)簽:處理器半導(dǎo)體交流電源 871 0

四種類型的MOSFET的主要區(qū)別

四種類型的MOSFET的主要區(qū)別

MOSFET (Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的...

2023-11-07 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 2868 0

什么是JFET?什么是MOSFET?JFET和MOSFET的比較

JFET的全稱為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),...

2023-11-07 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體放大電路 8112 0

教你如何用萬用表測(cè)量開關(guān)電源的泄漏電流?

教你如何用萬用表測(cè)量開關(guān)電源的泄漏電流?

漏電流測(cè)試是開關(guān)電源安規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一,目的是為了檢測(cè)漏電流是否超過了額定標(biāo)準(zhǔn),防止漏電流過大造成設(shè)備損毀,甚至引發(fā)電擊安全事故。

2023-11-07 標(biāo)簽:萬用表半導(dǎo)體開關(guān)電源 1900 0

用于半導(dǎo)體封裝工藝中的芯片鍵合解析

用于半導(dǎo)體封裝工藝中的芯片鍵合解析

芯片鍵合,作為切割工藝的后道工序,是將芯片固定到基板(substrate)上的一道工藝。引線鍵合(wire bonding)則作為芯片鍵合的下道工序,是...

2023-11-07 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體封裝工藝 4108 0

制造二維TMD晶體管面臨的挑戰(zhàn)

制造二維TMD晶體管面臨的挑戰(zhàn)

學(xué)術(shù)界和工業(yè)界已經(jīng)提出將二維(2D)過渡金屬二摻雜化合物(TMD)半導(dǎo)體作為未來取代物理柵極長(zhǎng)度小于10納米的硅晶體管的一種選擇。在這篇評(píng)論中,我們分享...

2023-11-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管二維 1455 0

芯片小白必讀中國(guó)“功率器件半導(dǎo)體”

芯片小白必讀中國(guó)“功率器件半導(dǎo)體”

放眼一條完整的從電能產(chǎn)生到電能最終被用電終端應(yīng)用的電力傳輸鏈時(shí),功率半導(dǎo)體則更類似于一名“廚師”的角色。它負(fù)責(zé)將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的粗電“...

2023-11-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體分立器件功率器件 678 0

固態(tài)繼電器的基礎(chǔ)知識(shí)

固態(tài)繼電器的基礎(chǔ)知識(shí)

固態(tài)繼電器(SSR)是由微電子電路、分立電子器件和電力電子功率器件組成的非接觸式開關(guān)。隔離裝置用于實(shí)現(xiàn)控制端與負(fù)載端之間的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端使用微...

2023-11-06 標(biāo)簽:繼電器半導(dǎo)體固態(tài)繼電器 2407 0

半導(dǎo)體測(cè)試概述

半導(dǎo)體測(cè)試概述

傳統(tǒng)意義的半導(dǎo)體測(cè)試指基于ATE機(jī)臺(tái)的產(chǎn)品測(cè)試,分為wafer level的CP測(cè)試(chip probing)或FE測(cè)試(FrontEnd test)...

2023-11-06 標(biāo)簽:測(cè)試半導(dǎo)體封裝 7275 0

基于雙光子光刻的光學(xué)封裝方法

基于雙光子光刻的光學(xué)封裝方法

雙光子光刻技術(shù)能夠精確制備三維結(jié)構(gòu),并將其精準(zhǔn)集成在光電芯片上,能夠在光纖-芯片以及芯片-芯片之間,構(gòu)建大帶寬、低損耗的光信號(hào)鏈路,實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的高效互連...

2023-11-06 標(biāo)簽:芯片CMOS半導(dǎo)體 961 0

半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(二)

半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(二)

我們現(xiàn)在知道,一般的原子和物質(zhì)材料的結(jié)構(gòu)組成比玻爾模型復(fù)雜得多,質(zhì)子和中子也可以進(jìn)一步細(xì)分為更小的部分。

2023-11-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體 439 0

什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。

2023-11-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管IGBT 1672 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
    +關(guān)注
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    LM2596
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  • STM32單片機(jī)
    STM32單片機(jī)
    +關(guān)注
    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    Nexperia
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    CD4046
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    COMSOL
    +關(guān)注
    COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品,這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展,并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬,賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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  • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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    服務(wù)機(jī)器人
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    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。

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