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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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在數(shù)字MOS半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)電源啟動(dòng)和關(guān)閉期間,防止意外施加電源會(huì)導(dǎo)致電源尖峰、總線爭(zhēng)用甚至破壞性閂鎖情況非常重要。按預(yù)定順序使用受控電源應(yīng)用是控制電源...
我們知道,在電路系統(tǒng)的各個(gè)子模塊進(jìn)行數(shù)據(jù)交換時(shí)可能會(huì)存在一些問題導(dǎo)致信號(hào)無法正常、高質(zhì)量地“流通”,例如有時(shí)電路子模塊各自的工作時(shí)序有偏差(如CPU與外...
2023-04-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)接口 1753 0
陶瓷覆銅板是在高溫,流動(dòng)氣氛下銅帶與陶瓷基片通過高溫熔煉和擴(kuò)散過程而形成的一種高導(dǎo)熱、高絕緣強(qiáng)度的復(fù)合材料,既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度...
晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開關(guān)功能控制電流。早期,由于鍺晶體較易獲得,主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后,由于硅管生...
IGBT作為一種功率開關(guān),從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震...
2023-04-19 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體功率開關(guān) 1216 0
經(jīng)過驗(yàn)證,防護(hù)探測(cè)對(duì)于測(cè)量皮安及以下范圍內(nèi)的微小電流是有效的。使用正確的適配器至關(guān)重要,以確保在連接到僅提供同軸連接器(如 SMA/SMP 或 BN...
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode)簡(jiǎn)稱LED,是一種將電信號(hào)轉(zhuǎn)化為光信號(hào)的半導(dǎo)體器件,且具備二極管的電子特性。
光伏發(fā)電是將光能通過半導(dǎo)體的特性直接轉(zhuǎn)化為直流電能的,再通過逆變器將直流電轉(zhuǎn)換成可以被我們使用的交流電。光伏系統(tǒng)是由光伏組件,支架,直流電纜,逆變器,交...
光伏發(fā)電是利用半導(dǎo)體界面的光生伏特效應(yīng)而將光能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N技術(shù)。這種技術(shù)的關(guān)鍵元件是太陽能電池。太陽能電池經(jīng)過串聯(lián)后進(jìn)行封裝保護(hù)可形成大面積的太...
功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)綜述
在有限的封 裝空間內(nèi),如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度,已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮...
為現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA) 設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)可不是件容易的工作。FPGA是高度可配置的半導(dǎo)體器件,這種器件在大量應(yīng)用和終端市場(chǎng)中使用。常見示例包括通信...
如何選擇合適的工業(yè)以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn):EtherCAT
EtherCAT常見于工廠自動(dòng)化、半導(dǎo)體工具、包裝機(jī)器人技術(shù)以及其它應(yīng)用領(lǐng)域。我最喜歡的一個(gè)非工業(yè)應(yīng)用示例就是迪斯尼內(nèi)的水舞水幕秀,其中由EtherCA...
這視情況而定。目前的器件能夠很好地處理過沖和下沖;然而,為了獲得高于Vcc的恒定電壓,器件在結(jié)構(gòu)上必須能夠處理高于Vcc的電壓。
2023-04-17 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 492 0
壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓,同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IC設(shè)計(jì)刻蝕工藝 3267 0
石墨烯纖維及其紡織品可以通過目前工業(yè)上可用的防潮技術(shù)從具有高質(zhì)量特性的石墨烯和纖維素中獲得,國產(chǎn)石墨烯纖維的斷裂能已接近碳纖維T 300,其拉伸強(qiáng)度約為...
幾乎每一個(gè)電子系統(tǒng)均需要某種類型的邏輯器件。憑借TI的海量產(chǎn)品組合,我們差不多能幫助滿足任何邏輯需求。雖然所有這些器件都供用戶精挑細(xì)選,但有時(shí)為一種設(shè)計(jì)...
諸如高精度電機(jī)控制或等離子蝕刻機(jī)等工業(yè)應(yīng)用仍然無法充分利用先進(jìn)高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的功能。由于這些系統(tǒng)監(jiān)視一個(gè)頻率為數(shù)百千赫的小輸入信號(hào),以及其更小的諧波,它...
2023-04-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體電機(jī) 892 0
SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評(píng)估研究進(jìn)展
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評(píng)估帶來了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評(píng)估方法可能不再適用于 Si...
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