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標簽 > 半導體
半導體( semiconductor),指常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極管就是采用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制,范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。
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氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結...
作為第三代半導體的核心材料之一,GaN其主要有三個特性——開關頻率高、禁帶寬度大、更低的導通電阻。它在充電器上的優勢主要體現在:體積小,重量輕;功率密度...
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料,主要應用于功率器件,可有效縮小功率器件體積,提高功率器件效率,對傳統硅材料功率器 件進行替代。
在半導體層面上,硅基氮化鎵的主流商業化為提高射頻性能敞開了大門,其中包括增加功率放大器的功率密度,以及縮小器件尺寸并最終節省系統空間。
氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導率等特點,寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
保險絲選型在之前文章有介紹過,選型主要依據為工作電流、工作電壓、環境溫度、浪涌電流以及分斷能力,相對而言比較簡單一些,方法同樣適用于工業熔斷器。在熔斷器...
具有高居里溫度和強磁晶各向異性的雙極性VSi?As?和VGe?As?單層的預測
浙江工業大學王垚老師課題組(第一作者:張金森)采用密度泛函理論和鴻之微Device Studio軟件預測出雙極性VSi2As4和VGe2As4單層具有高...
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管,號稱反向恢復時間為零,是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表...
濕法刻蝕利用化學溶液溶解晶圓表面的材料,達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學反應的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
MOS晶體管是MOSFET,中文全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管,稱為金氧半場效應晶體管(gold oxygen half field effe...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
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