IGBT開通特性簡析

采用TCAD器件仿真和工藝仿真軟件對(duì)芯片進(jìn)行結(jié)構(gòu)仿真、特性仿真、電場(chǎng)分布仿真和工藝仿真。

2023-07-13 標(biāo)簽：振蕩器emiIGBT 1430 0

功率二極管交流頻率響應(yīng)介紹

根據(jù)實(shí)際電參數(shù)指標(biāo)要求，在25℃室溫情況下，當(dāng)測(cè)試電流IR=5μA時(shí)，器件反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）需高于1200V。

2023-07-12 標(biāo)簽：二極管功率二極管電阻器 457 0

功率二極管仿真設(shè)計(jì)

導(dǎo)通角：導(dǎo)通角是指在一個(gè)周期內(nèi)，由電力電子器件控制其導(dǎo)通的角度。交流電一般為正弦波形，它的一個(gè)周期為360度，正半周占180度，負(fù)半周占180度。

2023-07-12 標(biāo)簽：功率二極管可控硅仿真器 405 0

功率二極管噪聲特性

根據(jù)實(shí)際電參數(shù)指標(biāo)要求，在25℃室溫情況下，當(dāng)測(cè)試電流IR=5μA時(shí)，器件反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）需高于1200V。

2023-07-12 標(biāo)簽：功率二極管電阻器單晶硅電池 392 0