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標簽 > 雙極晶體管
雙極晶體管一般指雙極型晶體管。由兩個背靠背PN結構成的以獲得電壓、電流或信號增益的晶體三極管。
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功率半導體器件本質是利用半導體的單向導電性改變電路中的電壓、電流、頻率、導通狀態等物理特性，實現電源開關和電力轉換等管理。功率半導體種類較多，根據可控性...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是兩種常見的功率半導體器件，它們在許多應用中都有廣泛的應用。 工作原理 IGB...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件，具有高電壓、大電流、高頻率等特點。然而，IGBT模塊在工作過程中會產生大量...
IGBT斬波調速電機車是一種采用IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為功率器件的斬波調速系統，廣泛應用于電動汽車、電動叉車、電動觀光車等場合。由于其具有高效率...
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是現代電力電子設備中常用的功率器件，廣泛應用于焊機、變頻...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件，具有高電壓、大電流、高頻率等特點。然而，在實際應用過程中，IGBT功率管發熱是...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）功率管是一種廣泛應用于電力電子領域的高效、高性能的功率電子器件。在實際應用中，對IGBT功率管進行好壞檢測是非常重要的，以確...
必須在基極和發射極之間施加電流，以在集電極中產生電流。圖1.2示出了MOSFET，當在柵極和源極端子之間施加電壓時在漏極中產生電流。
IGBT的開關速度指的是從導通到截止（或反之）所需的時間。快速的開關速度有助于減少功率損耗和提高效率，但過快的開關速度可能會增加電壓和電流的瞬態壓降，導...
IGBT驅動電路工作原理： IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種特殊的雙極晶體管，結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和普通雙極晶體管的優點...
傳統的雙極晶體管是一種電流驅動型放大器，對其信號放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發射極工作狀態時，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲...
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。
2N3055 是一款功率雙極晶體管，設計用于處理 100 V 和 15 A 范圍內的高功率負載。
針對所有的應用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅動的設計，例如電動馬達、泵和風扇，需要降低整體...
在BJT或雙極晶體管中，傳遞特性可以理解為輸出電流與輸入控制幅度的關系圖，因此在圖中表示的曲線中表現出變量從輸入到輸出的直接“轉移”。
HMC506LP4和HMC506LP4E是集成諧振器、負阻器件、變容二極管和緩沖放大器的GaAs InGaP異質結雙極晶體管（HBT）MMIC VCO。
截止區“三極管的截止狀態，這應該是比較好理解的，當三極管的發射結反偏，集電結反偏時，三極管就會進入截止狀態。”我當時就特別討厭用正偏反偏這個詞，已經有三...
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