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標(biāo)簽 > 雙極晶體管
雙極晶體管一般指雙極型晶體管。由兩個背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號增益的晶體三極管。
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IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹 如何拆卸IGBT模塊?
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)解釋和拆解
在大致了解了它的結(jié)構(gòu)之后,我們可以用這種結(jié)構(gòu)的黑色模塊做什么呢?舉一個我們身邊的例子:新型電動汽車,大家應(yīng)該都不陌生了。三個這樣的黑色模塊可以用作三相電...
最近看到一個東芝的MOSFET的文檔,看了下,還不錯,就把內(nèi)容復(fù)制出來了,分享給大家看下。
雙極型晶體管的工作原理是,當(dāng)電流流向晶體管的一端時,它會產(chǎn)生一個反向電壓,從而阻止電流流向另一端。這種反向電壓可以用來控制電流的流動,從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的處理。
本文對IGBT芯片的電熱性能進(jìn)行了廣泛的研究,用于IGBT芯片中的3D封裝結(jié)構(gòu)。在過去的幾年里,半導(dǎo)體技術(shù)取得了長足的進(jìn)步,特別是在電力電子領(lǐng)域,在研究...
晶體管包括哪些類型 晶體管的一般步驟和設(shè)計(jì)原則
晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
場效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識
FET廣泛用于分立式和IC電路,提供電壓增益和高輸入阻抗。
2023-02-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)晶體管 1115 0
使用雙極晶體管的電子電路設(shè)計(jì)非常簡單,使用簡單的設(shè)計(jì)原理和一些方程。
2023-02-17 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管雙極晶體管 1089 0
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而...
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理的電流...
功率氮化鎵技術(shù)及電源應(yīng)用熱管理設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后,市場上出現(xiàn)了許多趨勢,這些市場朝著R DS(開啟),更好的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)(FOM)和更低的電容方...
什么是IGBT?功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)
除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
功率 MOSFET類別 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET結(jié)構(gòu)
N 溝道增強(qiáng)模式最常用于電源開關(guān)電路,因?yàn)榕c P 溝道器件相比,它的導(dǎo)通電阻低。
2021-06-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET雙極晶體管 4627 0
今天,可以非常便宜地購買許多 OEM(原始設(shè)備制造商)電子產(chǎn)品,并且可以由業(yè)余愛好者完成先進(jìn)電路的開發(fā)。在當(dāng)今市場上,有幾種高質(zhì)量的單板(開源)微控制器...
儀表放大器(IA)是運(yùn)算放大器和反饋電阻的結(jié)合,用于精確地獲取和放大信號。 使用這些通用放大器的一個常見錯誤是沒有為輸入偏置電流提供一條通路。25年以來...
2018-03-21 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器雙極晶體管 7403 0
本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管(BJT)的簡稱,在電力半導(dǎo)體中,也稱作大功率晶體管(GTR),在現(xiàn)代電力電子變換器中大多...
2018-03-05 標(biāo)簽:雙極晶體管 2.5萬 1
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