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標簽 > 反應離子刻蝕
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蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程,而是“減”過程。另外,根據刮削方式的不同,分為兩大類,分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說,前者是熔法,后...
2023-01-29 標簽:反應離子刻蝕 6429 0
隨著集成電路密度的不斷提高,多晶硅柵的線寬不斷變小,柵氧化層的厚度繼續變薄,多晶硅的刻蝕變得越來越關鍵。多晶硅柵的形貌控制,柵氧化層二氧化硅的損失等關鍵...
刻蝕有三種:純化學刻蝕、純物理刻蝕,以及介于兩者之間的反應式離子刻蝕(ReactiveIonEtch,RIE)。
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