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場效應(yīng)晶體

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　　場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場效應(yīng)晶體簡介

　　場效應(yīng)管屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好。

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場效應(yīng)晶體知識

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