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標簽 > 存儲芯片
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最普通的電子元件是三種:電容、電阻和晶體管。 電容:電容里,最不耐高溫的是電解電容,目前它的常見的是105度和以下。 電阻:金屬氧化膜電阻因功率不同,耐...
從今年開始,DRAM價格就已經水漲船高。而最近主要供應商三星等工廠還遇到了疫情停工、廠房失火等突發狀況,更是加劇了漲價的浪潮。
3月11日消息,據國外媒體報道,在低迷了一年多之后,外媒預計存儲芯片的合約價格在今年二季度將會有明顯上漲。 外媒在報道中表示,NAND閃存和DRAM內存...
2020-03-12 標簽:存儲芯片 3900 0
近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺,新型存儲器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲器)已投入生產。
SEMI下修2020年全球半導體市場增長 美國考慮限制半導體出口中國將會損失360億美元
編者按:國際半導體產業協會(SEMI)更新其在2019年11月發布的《世界晶圓廠預測》,SEMI指出,新冠疫情爆發已經遞延了2020年國內的Fab廠設備...
記者從三星(中國)半導體有限公司獲悉,地處西安高新區的三星半導體存儲芯片一期項目一、二月份實現滿產生產,二期項目正按計劃推進。 據三星(中國)半導體有限...
Intel大連公司破記錄 QLC 3D NAND存儲芯片產量突破1000萬
自2018年底以來,Intel公司的中國大連工廠已經累計生產QLC NAND芯片超過1000萬個。
歷經一年多的景氣循環,記憶體大廠庫存去化有成,加上供給端新增產能有限,今年受惠5G 時代來臨,供需將趨于平衡,甚至可望供不應求;隨著產業將迎來好年,臺廠...
西數發布BiCS5閃存技術 目前最先進、密度最高的3D NAND閃存
西數公司今天正式宣布了新一代閃存技術BiCS5,這是西數與鎧俠(原來的東芝存儲)聯合開發的,在原有96層堆棧BiCS4基礎上做到了112層堆棧。
三星近日發布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個封裝可實現1...
該款芯片由其控股子公司(深康佳 A 持股 51%)合肥康芯威存儲技術有限公司(下簡稱康芯威)進行開發,亦是其首款擁有自主知識產權的存儲主控芯片。
第五代BiCS Flash 3D存儲芯片可以將接口速度提高50%
存儲公司 Kioxia(原東芝存儲)近日宣布,將在今年 Q1 送樣 112 層 TLC Flash 芯片,這是第五代 BiCS Flash 3D 存儲芯片。
2020-02-03 標簽:存儲芯片 2410 0
1 月 10 日訊,據外媒報道,你想看到芯片是如何入侵這個世界?去 CES 轉一圈吧,你可以看到包括超高清電視,“智能”燈泡和動力外骨骼到可以側向行駛的...
2020-01-13 標簽:存儲芯片 581 0
全球最大的存儲芯片制造商三星電子發布的財報預測超出分析師預期,這是該公司業績反彈的最新跡象。同業競爭對手美光科技去年12月曾表示,該行業正在撐過最糟糕的日子。
1月7日,鎧俠存儲(原東芝半導體)四日市Fab 6工廠一機臺發生火災,目前火勢已經撲滅,正在進行停機檢查和災損統計。美光股價同一天大漲,本文根據存儲產業...
1月7日消息,全球知名金融數據提供商SmartEstimate匯總的分析師數據顯示,預計2019年,三星電子將遭遇至少10年來最大的年度利潤滑坡。該公司...
Macronix預測:2020年存儲芯片價格將反彈,市場需求將會回升
半導體行業有明顯的周期性,2019年半導體市場處于低位,在存儲領域,由于降價原因三星正在失掉它的龍頭地位,任天堂、索尼、華為、蘋果存儲芯片的主要供應商臺...
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