存算一體

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傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)一般采用馮諾依曼體系結(jié)構(gòu)，但是在這種體系結(jié)構(gòu)中計(jì)算和存儲(chǔ)功能是分離的，現(xiàn)在隨著AI算力需求不斷提升，算力和功耗、還有內(nèi)存的瓶頸卻難以解決。存算一體技術(shù)，采用非馮·諾依曼架構(gòu)，是解決存儲(chǔ)墻/性能瓶頸的有效技術(shù)手段；大算力的存算一體芯片的開(kāi)始被更多關(guān)注。

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存算一體技術(shù)

存算一體技術(shù)的分類

近年間，云計(jì)算與人工智能技術(shù)的蓬勃興起，計(jì)算中心面臨著數(shù)據(jù)效率低、能耗大等核心挑戰(zhàn)，這促使學(xué)術(shù)界和工業(yè)界重新聚焦。

2024-11-05 標(biāo)簽：處理器存儲(chǔ)器算力 376 0

存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展以及應(yīng)用-以基于Nor Flash的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)量化以及部署

經(jīng)過(guò)對(duì)動(dòng)態(tài)閾值量化算法的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，包括實(shí)驗(yàn)平臺(tái)及相關(guān)設(shè)置、在CIFAR-10數(shù)據(jù)集上對(duì)參數(shù)和激活層進(jìn)行的驗(yàn)證以及對(duì)AlexNet、VGG16和ResNe...

2024-05-17 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)集卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)存算一體 1664 0

存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展及應(yīng)用

在NOR Flash存內(nèi)計(jì)算芯片當(dāng)中，向量-矩陣乘法運(yùn)算基于電流/電壓的跨導(dǎo)與基爾霍夫定律進(jìn)行物理實(shí)現(xiàn)，如圖7(a)所示。因此，其核心是設(shè)計(jì)NOR Fl...

2024-05-16 標(biāo)簽：sram 頻譜存算一體 1303 0

存算一體架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)及分類

存內(nèi)計(jì)算同樣是將計(jì)算和存儲(chǔ)合二為一的技術(shù)。它有兩種主要思路。第一種思路是通過(guò)電路革新，讓存儲(chǔ)器本身就具有計(jì)算能力。

2024-04-09 標(biāo)簽：芯片 DRAM 邏輯電路 1676 0

不同的存算一體有什么區(qū)別？

SRAM是目前唯一一種跟先進(jìn)CMOS工藝完全兼容且能大規(guī)模量產(chǎn)的存儲(chǔ)介質(zhì)，這也是支持大算力的關(guān)鍵所在：從單獨(dú)存算一體宏單元的角度，SRAM跟先進(jìn)工藝的兼...

2023-11-19 標(biāo)簽：sram AI 憶阻器 1012 0

存算一體芯片生產(chǎn)制造流程與傳統(tǒng)AI芯片的差異是什么？

一般芯片驗(yàn)證從層級(jí)上可以大概劃分為IP level，Subsystem level，和SoC level的驗(yàn)證；根據(jù)項(xiàng)目的階段可以分為前端驗(yàn)證和后端驗(yàn)證...

2023-10-11 標(biāo)簽：芯片晶體管 AI芯片 874 0

存算一體芯片的壁壘體現(xiàn)在哪些方面?

通常需要在芯片內(nèi)配置大容量的SRAM來(lái)減少片外DRAM的訪存需求，如何組織SRAM，并且配合上述計(jì)算流程，也是一個(gè)重要的設(shè)計(jì)內(nèi)容。

2023-09-22 標(biāo)簽：芯片數(shù)據(jù)傳輸編譯器 831 0

存算一體芯片的技術(shù)壁壘

作為后摩爾時(shí)代發(fā)展的必然趨勢(shì)之一，存算一體越來(lái)越受到行業(yè)的關(guān)注。在存算十問(wèn)的前六問(wèn)中，我們梳理了存算一體的技術(shù)路線、挑戰(zhàn)和通用性等問(wèn)題，這一次我們從技術(shù)...

2023-09-22 標(biāo)簽：芯片 sram AI 904 0

如何選擇存儲(chǔ)器類型存算一體芯片發(fā)展趨勢(shì)

閃存存算方面，目前主要路線是基于NOR flash（不是目前優(yōu)盤(pán)所用的閃存類型），多數(shù)情況下存儲(chǔ)容量較小，這使得NOR flash單片算力達(dá)到1 TOP...

2023-09-06 標(biāo)簽：傳感器存儲(chǔ)器 MRAM 873 0

存算一體芯片面臨的挑戰(zhàn)和困難有哪些

架構(gòu)配置文件則對(duì)存算一體架構(gòu)的各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行配置，使模擬器能夠仿真不同的存算一體架構(gòu)。核心設(shè)計(jì)是PIMSIM-NN的重點(diǎn)，主要有4個(gè)處理單元，分別是矩陣單...

2023-08-17 標(biāo)簽：芯片神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)編譯器 1830 0

存算一體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 存儲(chǔ)與計(jì)算的分離與優(yōu)先級(jí)關(guān)系

? ? 處理器、內(nèi)存發(fā)展速度不均衡，“存儲(chǔ)墻”如今成為數(shù)據(jù)計(jì)算一大障礙。隨著近幾年云計(jì)算和人工智能應(yīng)用的發(fā)展，面對(duì)計(jì)算中心的數(shù)據(jù)洪流，數(shù)據(jù)搬運(yùn)慢、搬運(yùn)能...

2023-08-07 標(biāo)簽：模塊存儲(chǔ)計(jì)算 1589 0

淺談存算一體技術(shù)的發(fā)展路線

而存算一體則是把存儲(chǔ)單元和處理單元合二為一，把數(shù)據(jù)和計(jì)算融合在同一片區(qū)中，這樣處理的好處在于可以直接利用存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，從根本上消除馮諾依曼架構(gòu)計(jì)算...

2023-06-20 標(biāo)簽：處理器存儲(chǔ)器 sram 2624 0

幾種新興存儲(chǔ)器的技術(shù)對(duì)比

根據(jù)存儲(chǔ)與計(jì)算的距離遠(yuǎn)近，將廣義存算一體的技術(shù)方案分為三大類，分別是近存計(jì)算 (Processing Near Memory，PNM)、存內(nèi)處理(Pro...

2023-06-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器光刻機(jī)EUV 1511 0

企業(yè)級(jí)SSD的市場(chǎng)現(xiàn)狀存算一體將如何改變SSD?

企業(yè)級(jí)SSD（Solid State Drive）是一種高速、可靠的存儲(chǔ)設(shè)備，適用于企業(yè)級(jí)應(yīng)用。按照不同應(yīng)用場(chǎng)景，SSD 可以分為消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)和軍工級(jí)產(chǎn)品。

2023-03-22 標(biāo)簽：SSD 主控芯片存算一體 2317 0

基于數(shù)字存內(nèi)處理芯片的GPU的大規(guī)模計(jì)算系統(tǒng)

PIM 是指將計(jì)算單元與隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 集成在單個(gè)芯片上。這項(xiàng)技術(shù)有望有助于提高龐大的人工智能 (AI) 的性能。

2023-02-28 標(biāo)簽：gpu 存算一體 451 0

基于3DIC架構(gòu)的存算一體芯片仿真解決方案

數(shù)字經(jīng)濟(jì)已成為繼農(nóng)業(yè)經(jīng)濟(jì)、工業(yè)經(jīng)濟(jì)之后的主要經(jīng)濟(jì)形態(tài)。算力作為數(shù)字經(jīng)濟(jì)的核心生產(chǎn)力，將直接影響數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展的速度，決定社會(huì)智能的發(fā)展高度。存算一體作為一...

2023-02-24 標(biāo)簽：芯片仿真 AI 5001 0

憶阻器的應(yīng)用前景

隨著信息社會(huì)的發(fā)展，人類社會(huì)產(chǎn)生的信息總量開(kāi)始呈爆炸式增長(zhǎng)，這給數(shù)據(jù)傳輸、存儲(chǔ)、分析和安全帶來(lái)了各種挑戰(zhàn)。存算一體化技術(shù)被提出用來(lái)解決大量運(yùn)算問(wèn)題，而在...

2023-02-17 標(biāo)簽：電容存儲(chǔ)憶阻器 5140 0

詳細(xì)解讀存算一體技術(shù)路線

回顧60多年計(jì)算行業(yè)的發(fā)展史，芯片的算力提升一直按照摩爾定律的節(jié)奏推進(jìn)，但主流的計(jì)算范式始終遵循馮-諾依曼架構(gòu)設(shè)計(jì)。

2023-01-29 標(biāo)簽：處理器 eda 存算一體 3154 0

存算一體離不開(kāi)新式存儲(chǔ)方式

馮·諾依曼精準(zhǔn)找出電腦運(yùn)行緩慢的關(guān)鍵：處理器雖然可以快速完成計(jì)算，但在計(jì)算間隙，需要進(jìn)行大量I/O步驟來(lái)保存計(jì)算的中間數(shù)據(jù)，這極大的拖累了處理器的整體處理速度。

2023-01-12 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)交換存算一體 694 0

基于憶阻器存算一體芯片研究進(jìn)展、總結(jié)與展望

未來(lái)集成電路將通過(guò)計(jì)算范式、芯片架構(gòu)和集成方法等創(chuàng)新，突破高算力發(fā)展瓶頸。具體創(chuàng)新方法為：Chiplet異質(zhì)集成提高晶體管數(shù)量、存算一體技術(shù)提高每單位器...

2022-12-23 標(biāo)簽：集成電路人工智能憶阻器 2552 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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瑞薩	沁恒股份	全志	國(guó)民技術(shù)	瑞芯微	兆易創(chuàng)新	芯海科技	Altium
德州儀器	Vishay	Micron	Skyworks	AMS	TAIYOYUDEN	納芯微	HARTING
adi	Cypress	Littelfuse	Avago	FTDI	Cirrus LogIC	Intersil	Qualcomm
st	Murata	Panasonic	Altera	Bourns	矽力杰	Samtec	揚(yáng)興科技
microchip	TDK	Rohm	Silicon Labs	圣邦微電子	安費(fèi)諾工業(yè)	ixys	Isocom Compo
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時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
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