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標(biāo)簽 > 寄生參數(shù)
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關(guān)于IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù),產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)IGBT的選型所關(guān)注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多,對(duì)于其標(biāo)稱(chēng)的電壓、電流和損耗等關(guān)注的比較多。當(dāng)然針對(duì)不...
itf和ict文件是工藝參數(shù)文件,記錄了每層材料的電阻率、介電常數(shù)、溫度系數(shù)、最小寬度等詳細(xì)信息。EDA工具沒(méi)有直接使用這類(lèi)文件進(jìn)行RC的抽取,因?yàn)橛?jì)算...
如何最大程度降低開(kāi)關(guān)電源中的寄生參數(shù)
作者:Kenton Williston 開(kāi)關(guān)模式電源(開(kāi)關(guān)電源)因其高效性和靈活性而廣受歡迎。但它們也帶來(lái)了挑戰(zhàn),因?yàn)槠鋺?yīng)用已經(jīng)延伸到新的領(lǐng)域。最明顯的...
2024-05-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開(kāi)關(guān)電源 775 0
重內(nèi)存、可拆分,暴力堆機(jī)器……Calibre技術(shù)向攻略
寄生參數(shù)提取(Parasitic Extraction):將版圖中的寄生參數(shù)提取出來(lái),在Virtuoso中反饋結(jié)果,前端工程師會(huì)進(jìn)行后仿驗(yàn)證,重新評(píng)估電...
MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管作為常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,在集成電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而,MOS管的性能并非僅由其基本電氣特性決定,還受到多種寄生參...
MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計(jì)中,除MOS管基本電氣特性(如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等)外,由于制造工藝、封裝方式以及...
類(lèi)別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-11-29 標(biāo)簽:pcb信號(hào)帶狀線 2071 0
類(lèi)別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-12-01 標(biāo)簽:pcb帶狀線傳輸時(shí)延 1813 0
如何解決Pspice仿真電路不能過(guò)大的問(wèn)題?立即下載
類(lèi)別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-12-02 標(biāo)簽:pspicerc振蕩仿真電路 1090 0
軟開(kāi)關(guān)高壓開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)方法研究總結(jié)立即下載
類(lèi)別:電源技術(shù) 2021-09-22 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源恒流軟開(kāi)關(guān) 880 0
隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,由導(dǎo)線引起的寄生效應(yīng)產(chǎn)生的影響越來(lái)越大。三個(gè)寄生參數(shù)(電容、電阻和電感)對(duì)電路都有影響。
ESR和ESL對(duì)電容的高頻特性影響最大,所以常用如圖1(b)所示的串聯(lián)RLC簡(jiǎn)化模型,可以計(jì)算出諧振頻率和等效阻抗
2023-12-08 標(biāo)簽:電容器串聯(lián)電阻電容 900 0
作為新一代的數(shù)字芯片物理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)工具,amazesys包括宏單元布局規(guī)劃、電源規(guī)劃、布局、時(shí)鐘樹(shù)綜合、布線、優(yōu)化、寄生參數(shù)提取以及時(shí)序功耗分析等物理學(xué)...
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