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標簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設(shè)計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
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工程中要謹慎設(shè)計,合理使用金屬導(dǎo)線的電感。 金屬導(dǎo)線可以看作一個電極,它與地線或其他電子元件之間存在一定的電容量,這個電容對射頻/微波電路的工作性能也會...
上圖是帶阻感負載的三相無變壓器型兩電平PCS，考慮寄生參數(shù)的拓撲原理圖。C2為直流側(cè)寄生電容，N為負載中性點。
超結(jié)MOSFET開關(guān)特性2-理想二極管模型
寄生電容和開關(guān)時間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對寄生電容進行充放電，而電容的充放電需要一定時間
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。
2023-06-07 標簽：MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動電路 906 0
在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
過孔的寄生電容延Κ了電路中信號的上升時問，降低了電路的速度。如果一塊厚度為25mil的PCB，使用內(nèi)徑為10mil，焊盤直徑為20mil的過孔，內(nèi)層電氣...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容，這些電容會影響IGBT的...
在低頻電子學(xué)中，最普通的電路元件就是電阻，它的用途非常廣泛，主要是將電能轉(zhuǎn)換成熱能產(chǎn)生壓降。
瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用案例—RX140實驗環(huán)節(jié)(2)-3
自動調(diào)整過程 (Auto Tuning Process) 完成前四步準備工作后，開始第五步。
這一篇文章我們主要看下OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題。有時候我們發(fā)現(xiàn)stb分析（β=1）的bode圖和開環(huán)AC仿真的曲線相差很大，且兩者的零極點位置...
臺積電的幾個不同小組一直在從不同角度研究WSe2傳導(dǎo)和摻雜。一組使用氧等離子體將WSe2半導(dǎo)體單層轉(zhuǎn)化為Ox。該過程是自限性的，不影響底層的WSe2材料...
瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用案例—RX140實驗環(huán)節(jié)（3）
在本實驗環(huán)節(jié)中，將在Lab session 1的基礎(chǔ)上，增加MEC多電極連接功能，12個按鍵電極將在內(nèi)部連接在一起，作為一個MEC電極工作，此時不識別1...
高速SerDes的數(shù)據(jù)和時鐘通路上需要很多buffer，傳統(tǒng)CML buffer的有限帶寬往往限制系統(tǒng)的奈奎斯特頻率
熱插拔一般對電子系統(tǒng)有兩方面影響：1.熱插拔時，連接器的機械觸點在接觸瞬間會出現(xiàn)彈跳，引起電源振蕩；2.熱插拔時，由于系統(tǒng)大容量儲能電容的充電效應(yīng)，系統(tǒng)...
每個通孔都有對地寄生電容，通孔寄生電容會使數(shù)字信號的上升沿減緩或變差，不利于高頻信號的傳輸，這是通孔寄生電容主要的不利影響。一般情況下，通孔寄生電容的影...
濾波電容器、共模電感、磁珠在EMC設(shè)計電路中是常見的身影，也是消滅電磁干擾的三大利器。
現(xiàn)在很多的PCB Layout工程師都是按照硬件工程師或者PI SI工程師給出的約束規(guī)則來完成布局布線的，俗稱的“拉線工”。
kW/hp – 電機的功率測量值，包括 kW = hp 0.746.由于感應(yīng)電機電流的無功分量，電機的功率能力不僅僅是伏特 × 安培，而是hp。
截止頻率：2MHz；過渡帶寬度：小于1MHz；阻帶衰減：大于30dB；通帶紋波：小于1dB
負載電容（Load capacitance）是以晶振為核心的整個振蕩回路的全部有效電容的總和。這個CL值的大小決定著振蕩器的工作頻率，通過調(diào)整負載電容，...
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