采用初級側穩壓（PSR）技術的反激式電源實現方案

開關電源產生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級寄生電容、電感。所謂諧振，即：在MOS管開通、關斷切換的過程中，寄生電感將能量傳遞給寄生電容進行充電，...

2021-05-31 標簽：變壓器開關電源寄生電容 6959 0

一個關于薄膜電容的問題，條紋代表什么？

之前我提了一個關于薄膜電容的問題，如下圖所示，電容一端的條紋代表什么？ 這些都是無極性電容，所以這個條紋不是極性標記。一位讀者得回答正確，它代表電容卷繞...

2018-03-22 標簽：Spice仿真器寄生電容薄膜電容 6917 0

RC Corner基礎知識詳細講解

90nm后更新的工藝，考慮到互連線coupling的影響，出現了RCworst, RCbest corner.

2023-06-11 標簽：寄生電容耦合電容電容電阻 6660 0

典型二級運放的穩定性分析

　　手算法其實就是根據設計要求，把結構定下來之后運用運放的一些基礎知識將MOS管的W/L參數一一定下來的方法，這個方法不一定能設計出很完美的運放，但是對...

2023-02-16 標簽：MOS管運放寄生電容 6303 0

如何解決壓敏電阻易老化的問題呢？

壓敏電阻是典型的鉗位型過壓器件，在實際過壓防護中，利用壓敏電阻的非線性特性

2023-12-22 標簽：MOV壓敏電阻寄生電容 6137 0

最大限度降低寄生電容對放大器穩定性影響的三種方案

由于高增益峰值及其他各種原因，電流反饋（CFB）放大器可能變的不穩定，極端情況甚至進入振蕩狀態。?放大器不穩定的原因有兩個，反饋電阻值過低以及引入對地的...

2021-02-23 標簽：放大器寄生電容 6131 0

如何實施IGBT裝置的絕緣耐壓測試？

IGBT作為大功率電力電子器件廣泛應用于各種工業設備中。為了滿足安全要求，這些設備在電氣設計和生產過程中要遵循相應的規范。

2023-06-08 標簽：整流二極管接觸器寄生電容 5900 0

共模抑制比CMRR定義及其測試

在開始討論運放的共模抑制比CMRR之前，我們先了解一下運放的共模輸入電壓和軌對軌運放。

2023-11-02 標簽：電源電壓共模抑制比寄生電容 5812 0

什么是寄生效應？寄生電容及版圖抗干擾設計

在非理想狀態下設計中不希望存在的，有物質本身特性，或物質與物質間相互作用，在特定條件下所產生的新特性。

2024-03-04 標簽：三極管電容器寄生電容 5351 0

MOS管的基本結構 MOS管的二級效應

本章首先介紹了MOS管的基本結構并推導了其I/V特性，并闡述MOS管的二級效應，如體效應、溝道長度調制效應和亞閾值傳導等，之后介紹了MOS管的寄生電容，...

2023-10-02 標簽：MOS管寄生電容CMOS集成電路 5070 0

dV/dt失效是什么意思

dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。

2022-03-29 標簽：MOSFET寄生電容橋式電路 5006 0

串并聯阻抗的等效互換

本期先補充學習一下本科課程中講到的串并聯阻抗的等效互換（雖然很簡單，但重點是在工程中怎么用這個知識點），隨后以LC-tank PLL中的電容陣列為例

2023-10-30 標簽：VCOLC振蕩器寄生電容 4995 0

pcb等長設計為什么會出現時延差異？

1倍線寬的蛇形繞線帶來的延時差異是-10ps，比參考線快了10ps，造成延時差異的主要原因是信號的自耦合現象。

2021-04-13 標簽：pcb寄生電容傳輸線 4959 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結構及特性

　　SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元...

2023-02-12 標簽：MOSFETSiC氮化鎵 4930 0

什么是DC IR Drop？DC IR Drop仿真有何意義？

DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時間發生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；

2023-09-28 標簽：晶體管寄生電容電源完整性 4830 0

FOWLP技術如何使摩爾定律保持有效？

摩爾定律在制程技術中處于最后一刻，因此高級包裝占據了接力棒。扇出晶圓級封裝（FOWLP）等先進技術可提高組件密度并提高性能，并幫助解決芯片I / O限制...

2021-04-01 標簽：摩爾定律晶體管人工智能 4829 0

如何補償運算放大器的輸入電容

本文將討論輸入端，尤其是反相輸入端的寄生（或雜散）電容的影響。

2022-05-05 標簽：寄生電容輸入端 4794 0

什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN？其有何特點及應用？

GaN是常用半導體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。

2023-12-06 標簽：轉換器驅動器半導體 4681 0