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標簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。實際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯，在低頻情況下表現不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
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ROHM開發出第4代SiC MOSFET實現了業界先進的低導通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實現了溝槽結構SiC MOSFET的量產，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
臨界導通模式(critical conduction mode，CRM)下的DC-DC變換器能夠降低系統階數，并且可以實現更高的效率而廣泛應用于中小功率場景中。
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。
單擊下圖紅色框內的圓點，將"Low power timer clock(LPTCLK) "的時鐘源設定為"IWDT-ded...
PCB：Printed circuit board 印刷電路板，是指在通用基材上按預定設計形成點間連接及印制元件的印刷板。
電路布線常會有串擾的風險，最后簡單說明幾個減小串擾的方法，常見增大走線間距、使兩導體的有串擾風險的區域最小化、相鄰層走線時傳輸線互相彼此垂直、降低板材介...
種植者現在越來越意識到，“余暉”的微弱光線可以極大地影響植物的產量。正如著名教授布魯斯博士在他的課程中指出的那樣。所以了解為什么會出現余暉以及如何避免余...
了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅...
當產品放置于輻射發射的測試環境中時，被測產品的高速器件與實驗室中參考地會形成一定的容性耦合，產生寄生電容，導致出現共模輻射，寄生電容越大，共模輻射越強；...
所以綜合設計與生產，需要考慮的問題還是不少的。一些設計師會仔細檢查布局，他們的PCB布局文件可直接發至生產車間進行生產；而有的布局文件則需要工程部門進行...
非平衡電橋通常指的是在測量時電橋沒有達到完全平衡狀態的電橋。立式橋和臥式橋是指電橋的物理布局，其中立式橋的元件垂直排列，而臥式橋的元件水平排列。
柵極驅動器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號，從而實現功率器件更有效的導通和關斷。
放大器一般不允許輸出端對地直接加比較大的電容。有的時候電容并不是有意加上的，比如驅動長線纜時線纜的寄生電容，它不會在電路原理圖上，但卻真實存在。
L=5.08h［ln（4h/d）+1］其中L指過孔的電感，h是過孔的長度，d是中心鉆孔的直徑。從式中可以看出，過孔的直徑對電感的影響較小，而對電感影響最...
MOS管因為其導通內阻低，開關速度快，因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管，其驅動電路的設計就很關鍵。
常用的mos管驅動電路結構如圖1所示，驅動信號經過圖騰柱放大后，經過一個驅動電阻Rg給mos管驅動。
從開關節點到輸入引線的少量寄生電容（100毫微微法拉)會讓您無法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢？在Digi-Key中，這種...
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