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標(biāo)簽 > 開(kāi)關(guān)電路
開(kāi)關(guān)電路是指具有“接通”和“斷開(kāi)”兩種狀態(tài)的電路。輸入、輸出信號(hào)具有兩種狀態(tài)的電路就是一種開(kāi)關(guān)電路。邏輯門電路、雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器也都是開(kāi)關(guān)電路。 開(kāi)關(guān)電路的原理是由開(kāi)關(guān)管和PWM(Pulse Width Modulatioon)控制芯片構(gòu)成振蕩電路,產(chǎn)生高頻脈沖。
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晶閘管的結(jié)構(gòu)和工作原理 單相晶閘管無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)電路詳解
晶閘管一般指晶體閘流管,又稱作可控硅整流器,曾被簡(jiǎn)稱為可控硅,是由三個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:...
2023-02-20 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路可控硅晶閘管 5199 0
晶體管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)講解
晶體管開(kāi)關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計(jì)中十分常見(jiàn)。經(jīng)典的74LS、74ALS等集成電路內(nèi)部采用晶體管開(kāi)關(guān)電路,但只有普通的驅(qū)動(dòng)能力。三極管開(kāi)關(guān)電路分為兩大類,一類...
2023-02-15 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路電路設(shè)計(jì)MOS管 1810 0
使用BJT晶體管實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)
用BJT晶體管實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能是經(jīng)常會(huì)用到的實(shí)用電路。和邏輯門電路類似,當(dāng)BJT用于開(kāi)關(guān)電路時(shí),也只工作于飽和區(qū)和截止區(qū)。
2023-02-14 標(biāo)簽:繼電器開(kāi)關(guān)電路發(fā)光二極管 2740 0
從多個(gè)維度分析了米勒效應(yīng),針對(duì)Cgd的影響也做了定量的推導(dǎo),今天我們?cè)俸痛蠹乙黄穑Y(jié)合米勒效應(yīng)的仿真,探討下如何減小米勒平臺(tái)。
2023-02-14 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路示波器MOS管 1.2萬(wàn) 0
前一篇介紹了三極管的基本特性和飽和狀態(tài),并引出了三極管開(kāi)關(guān)應(yīng)用,這次對(duì)三極管開(kāi)關(guān)做一個(gè)詳細(xì)的介紹。
2023-02-08 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路高速開(kāi)關(guān) 6154 0
雙向晶閘管交流高壓電路 雙向晶閘管交流開(kāi)關(guān)電路
相當(dāng)于一對(duì)反并聯(lián)的單相晶閘管,常用于交流電路作為調(diào)壓或者開(kāi)關(guān)使用。
2023-02-07 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路晶閘管雙向晶閘管 5593 0
三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理
場(chǎng)效應(yīng)管柵極的最小寬度(柵長(zhǎng)),就是XX nm工藝中的數(shù)值。柵極的寬度則決定了電流通過(guò)時(shí)的損耗,表現(xiàn)出來(lái)就是手機(jī)常見(jiàn)的發(fā)熱和功耗,寬度越窄,功耗越低。
2023-02-07 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路放大電路 3645 0
電源管理集成電路的種類很多,大致可分為電壓調(diào)節(jié)電路和接口電路。電壓調(diào)節(jié)器包括線性低壓降調(diào)節(jié)器(即LDO)、正、負(fù)串聯(lián)輸出電路和脈寬調(diào)制(PWM)開(kāi)關(guān)電路。
2023-02-06 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路電源管理調(diào)節(jié)器 3054 0
上電時(shí)給MOS管的G極一個(gè)確定的電平,防止上電時(shí)GPIO為高阻時(shí),MOS的G極電平不確定受到干擾。
2023-02-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管 1.3萬(wàn) 1
555時(shí)基集成電路構(gòu)成的延時(shí)開(kāi)關(guān)電路分析
555時(shí)基集成電路是一種用途廣泛的集成塊,用它構(gòu)成的定時(shí)器具有定時(shí)精度高、工作穩(wěn)定可靠的特點(diǎn)。這里提供的電路,是把它用作延時(shí)開(kāi)關(guān),控制照明燈的延時(shí)工作,...
2023-01-31 標(biāo)簽:集成電路開(kāi)關(guān)電路定時(shí)器 1640 0
三極管作為開(kāi)關(guān)控制發(fā)光二極管仿真分析(一)
上期通過(guò)Multisim軟件詳細(xì)仿真了三極管并通過(guò)【直流分析】得出了輸出參數(shù)Ic—Vce的關(guān)系曲線,這期同樣也使用Multisim軟件仿真分析前期設(shè)計(jì)的...
2023-01-13 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路發(fā)光二極管 5145 0
三極管用作開(kāi)關(guān)管的實(shí)例計(jì)算(二)
上期介紹了三極管做的開(kāi)關(guān)電路是如何計(jì)算的,但是學(xué)習(xí)三極管的相關(guān)知識(shí)就是為了設(shè)計(jì)電路,所以利用上述知識(shí),就可以設(shè)計(jì)一個(gè)具體的應(yīng)用電路了。電路設(shè)計(jì)中,有...
2023-01-13 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路發(fā)光二極管 5334 0
上期從三極管放大的角度來(lái)分析了三極管開(kāi)關(guān)電路的由來(lái),并且將輸入信號(hào)頻率提高后,引發(fā)了輸出信號(hào)延遲的現(xiàn)象,造成開(kāi)關(guān)速度慢。這期重點(diǎn)分析這種現(xiàn)象的由來(lái),以...
2023-01-13 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路仿真 3950 0
三極管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)有基極電流流過(guò),所以在基區(qū)內(nèi)會(huì)積累電子,因此,在這種狀態(tài)下即使輸入信號(hào)變成了0V,基區(qū)中的電子并不能立即消失(電荷存儲(chǔ)效應(yīng)),所以三...
2023-01-13 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路放大電路 4936 0
三極管開(kāi)關(guān)電路常用于驅(qū)動(dòng)繼電器、電磁閥、水泵、LED等電氣件。本文以繼電器驅(qū)動(dòng)電路為例進(jìn)行設(shè)計(jì),電路原理如圖1所示。 圖片
在設(shè)計(jì)mos管開(kāi)關(guān)電路時(shí),就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中,有詳細(xì)地講解mos管的工作原理。
2023-01-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路半導(dǎo)體MOS管 1.4萬(wàn) 0
mos管的工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道,mos管有三個(gè)工作區(qū)域: 截止區(qū)域 線性(歐姆)區(qū)域 飽和區(qū)域 當(dāng) VGS VTH時(shí),mos管工作在截止區(qū)域...
2022-12-19 標(biāo)簽:CMOS開(kāi)關(guān)電路MOS管 3.6萬(wàn) 0
三極管電路有兩種基本類型:放大電路和開(kāi)關(guān)電路。對(duì)于放大電路,三極管基本是處于放大區(qū);對(duì)于開(kāi)關(guān)電路,三極管基本處于飽和區(qū)和截止區(qū)之間。 NPN型三極管的構(gòu)...
2022-12-18 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路放大電路 5178 0
反向恢復(fù)過(guò)程: ? ? 通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過(guò)的轉(zhuǎn)換過(guò)程稱為反向恢復(fù)過(guò)程 。由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在,使二極管的開(kāi)關(guān)速度受到限制。 ??...
2022-12-10 標(biāo)簽:二極管開(kāi)關(guān)電路整流二極管 1.9萬(wàn) 0
電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)之MOSFET管開(kāi)關(guān)電路
對(duì)于MOS管,我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中都會(huì)遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路呢?
2022-12-08 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計(jì) 2738 0
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