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標(biāo)簽 > 憶阻器
憶阻器全稱記憶電阻器,它是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。憶阻具有電阻的量綱,但和電阻不同的是,憶阻的阻值是由流經(jīng)它的電荷確定。因此,通過(guò)測(cè)定憶阻的阻值,便可知道流經(jīng)它的電荷量,從而有記憶電荷的作用。
憶阻器全稱記憶電阻器,它是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。憶阻具有電阻的量綱,但和電阻不同的是,憶阻的阻值是由流經(jīng)它的電荷確定。因此,通過(guò)測(cè)定憶阻的阻值,便可知道流經(jīng)它的電荷量,從而有記憶電荷的作用。
簡(jiǎn)單說(shuō),憶阻器是一種有記憶功能的非線性電阻。通過(guò)控制電流的變化可改變其阻值,如果把高阻值定義為“1”,低阻值定義為“0”,則這種電阻就可以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的功能。實(shí)際上就是一個(gè)有記憶功能的非線性電阻器。
鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)與憶阻器(Memristor)是兩種不同類型的存儲(chǔ)技術(shù),它們?cè)诠ぷ髟怼⑿阅芴攸c(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以...
2024-09-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)憶阻器鐵電存儲(chǔ)器 631 0
知存科技助力AI應(yīng)用落地:WTMDK2101-ZT1評(píng)估板實(shí)地評(píng)測(cè)與性能揭秘
隨著當(dāng)今數(shù)據(jù)迅速增長(zhǎng),傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計(jì)算性能進(jìn)一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計(jì)算(IMC)和近存計(jì)算(NMC)架構(gòu)有望突破這一瓶頸,顯著...
SRAM是目前唯一一種跟先進(jìn)CMOS工藝完全兼容且能大規(guī)模量產(chǎn)的存儲(chǔ)介質(zhì),這也是支持大算力的關(guān)鍵所在:從單獨(dú)存算一體宏單元的角度,SRAM跟先進(jìn)工藝的兼...
混合NVM/DRAM平臺(tái)上的內(nèi)存帶寬調(diào)節(jié)策略
隨著相變存儲(chǔ)器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展,高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場(chǎng)中
什么是存算一體芯片?存算一體芯片的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
存算一體片上學(xué)習(xí)在實(shí)現(xiàn)更低延遲和更小能耗的同時(shí),能夠有效保護(hù)用戶隱私和數(shù)據(jù)。該芯片參照仿生類腦處理方式,可實(shí)現(xiàn)不同任務(wù)的快速“片上訓(xùn)練”與“片上識(shí)別”,...
業(yè)界很多也都在研究相關(guān)的解決方案,以實(shí)現(xiàn)更為有效的數(shù)據(jù)運(yùn)算和更大的數(shù)據(jù)吞吐量,其中“存算一體”被認(rèn)為是未來(lái)計(jì)算芯片的架構(gòu)趨勢(shì)。它是把之前集中存儲(chǔ)在外面的...
算力不足和能效過(guò)低,有什么方法提高AI芯片的算力呢?
隨著ChatGPT強(qiáng)勢(shì)來(lái)襲,AI人工智能應(yīng)用層出不窮。智能化時(shí)代,數(shù)據(jù)量指數(shù)型增長(zhǎng),摩爾定律已經(jīng)不能滿足當(dāng)前的數(shù)據(jù)處理需求,元器件的物理尺寸已經(jīng)接近極限。
2023-10-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管人工智能憶阻器 3813 0
憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示,與電阻R,電容C,電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件,它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶,其同時(shí)具備電阻和...
CMOS 晶體管有助于控制二維憶阻器上的電流。這有助于實(shí)現(xiàn)憶阻器約 500 萬(wàn)次開關(guān)周期的耐用性,與現(xiàn)有的電阻式 RAM和相變存儲(chǔ)器大致相當(dāng)。如果沒有 ...
2023-04-11 標(biāo)簽:CMOS晶圓神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 1194 0
隨著信息社會(huì)的發(fā)展,人類社會(huì)產(chǎn)生的信息總量開始呈爆炸式增長(zhǎng),這給數(shù)據(jù)傳輸、存儲(chǔ)、分析和安全帶來(lái)了各種挑戰(zhàn)。存算一體化技術(shù)被提出用來(lái)解決大量運(yùn)算問(wèn)題,而在...
憶阻器誘導(dǎo)的超混沌、多渦旋和極端多穩(wěn)態(tài)小數(shù)階HNN:鏡像加密和FPGA實(shí)現(xiàn)立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2024-06-03 標(biāo)簽:FPGA加密憶阻器
基于憶阻器的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)分析立即下載
類別:網(wǎng)絡(luò)協(xié)議論文 2018-01-31 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憶阻器
第四元:特點(diǎn)和憶阻器的電磁理論模型pdf下載立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2018-01-20 標(biāo)簽:憶阻器電磁理論
類別:模擬數(shù)字論文 2017-01-08 標(biāo)簽:憶阻器
? 一種名為“自旋憶阻器”的新型神經(jīng)形態(tài)元件模仿人類大腦的節(jié)能運(yùn)作,將AI應(yīng)用程序的功耗降低到傳統(tǒng)設(shè)備的1/100。TDK與法國(guó)研究機(jī)構(gòu)CEA合作開發(fā)了...
2024-12-07 標(biāo)簽:憶阻器自旋電子學(xué) 136 0
吉時(shí)利源表軟件在憶阻器測(cè)試中的應(yīng)用
在現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展中,憶阻器作為一種新型的非線性元件,因其在存儲(chǔ)器、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和模擬計(jì)算等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用而備受關(guān)注。為了有效地測(cè)試和評(píng)估憶阻器的性能,吉...
TDK成功研發(fā)出用于神經(jīng)形態(tài)設(shè)備的自旋憶阻器
TDK公司宣布其已成功研發(fā)出一款超低能耗的神經(jīng)形態(tài)元件--自旋憶阻器。通過(guò)模擬人腦高效節(jié)能的運(yùn)行模式,該元件可將人工智能(AI)應(yīng)用的能耗降至傳統(tǒng)設(shè)備的...
憶阻器通向計(jì)算新未來(lái),自旋憶阻器進(jìn)一步降低能耗
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)是現(xiàn)在蓬勃發(fā)展的領(lǐng)域,這些技術(shù)的飛速發(fā)展拉動(dòng)了對(duì)高性能計(jì)算和存儲(chǔ)的需求。在這些背景下,憶阻器獨(dú)特...
2024-04-30 標(biāo)簽:憶阻器 3801 0
如何利用憶阻器技術(shù)改變高精度的科學(xué)計(jì)算
當(dāng)組織成縱橫陣列時(shí),這種憶阻電路通過(guò)以大規(guī)模并行方式使用物理定律進(jìn)行模擬計(jì)算,從而大大加速矩陣運(yùn)算,這是神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中最常用但非常耗電的計(jì)算。
2024-04-03 標(biāo)簽:電阻器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憶阻器 685 0
什么電路具有記憶功能 時(shí)序電路是不含有記憶功能的器件對(duì)嗎
什么電路具有記憶功能 時(shí)序電路是不含有記憶功能的器件對(duì)嗎 什么電路具有記憶功能? 電路的記憶功能是指其能夠存儲(chǔ)和保持之前輸入的信息并在需要時(shí)進(jìn)行檢索和使...
北京大學(xué)首次硬件實(shí)現(xiàn)電容耦合的VO2相變振蕩動(dòng)力學(xué)計(jì)算系統(tǒng)
北京大學(xué)集成電路學(xué)院楊玉超教授課題組首次硬件實(shí)現(xiàn)了電容耦合的VO2相變振蕩動(dòng)力學(xué)計(jì)算系統(tǒng)。
基于VO2憶阻器的無(wú)線物聯(lián)網(wǎng)混合系統(tǒng)
針對(duì)此問(wèn)題,北京大學(xué)集成電路學(xué)院/集成電路高精尖創(chuàng)新中心的楊玉超教授團(tuán)隊(duì)首次提出以VO2 憶阻器為主體的高一致性、可校準(zhǔn)的頻率振蕩器,在此基礎(chǔ)上構(gòu)建了8...
12月22日,中國(guó)新經(jīng)濟(jì)科技產(chǎn)業(yè)媒體朋湖網(wǎng)發(fā)布了“2023年度科技產(chǎn)業(yè)系列榜單”,億鑄科技登榜2023硬科技新銳之星TOP20。
清華大學(xué)研究小組開發(fā)出了創(chuàng)新性的超分子憶阻器納米R(shí)RAM
其中,電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)依靠改變電阻水平來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項(xiàng)研究詳細(xì)介紹了清華大學(xué)李原...
2023-12-06 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器憶阻器存儲(chǔ)數(shù)據(jù) 912 0
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