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標簽 > 捷捷微電

捷捷微電

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江蘇捷捷微電子股份有限公司創建于1995年,是一家專業從事半導體分立器件、電力電子元器件研發、制造和銷售的江蘇省高新技術企業、江蘇省創新型企業、中國半導體協會會員單位、中國電器工業協會電力電子分會先進會員單位。公司建有“江蘇省企業技術中心”、“江蘇省工程技術研究中心”。

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捷捷微電百科

  江蘇捷捷微電子股份有限公司創建于1995年,是一家專業從事半導體分立器件、電力電子元器件研發、制造和銷售的江蘇省高新技術企業、江蘇省創新型企業、中國半導體協會會員單位、中國電器工業協會電力電子分會先進會員單位。公司建有“江蘇省企業技術中心”、“江蘇省工程技術研究中心”。公司具備一流的技術創新能力、良好的市場信譽和業務網絡,是國內電力半導體器件領域中,晶閘管器件及芯片方片化IDM(整合元件制造商,即覆蓋了整個芯片產業鏈,集芯片設計,制造和封裝測試一體)的半導體廠商。公司“捷捷”牌產品已銷往日本、韓國、西班牙、新加坡、臺灣等國家和地區,可靠的質量得到了用戶的充分肯定。

  企業現有注冊資金179,742,660元。公司主導產品為(0.6~110)A/600-1600V雙向可控硅、(0.8~250)A/600-2200V單向可控硅、低結電容放電管、TVS等各類保護器件、高壓整流二極管、功率型開關晶體管。公司擁有五條半導體功率器件產品線。

  1.φ4英寸可控硅器件芯片生產線,主導產品:(0.6~110)A/600-1600V雙向可控硅(TRIACs),(0.8~250)A/600-2000V單向可控硅(SCRs),功率型開關晶體管,達林頓晶體管;

  2.φ4英寸防護器件芯片生產線,主導產品:低結電容放電管、高壓觸發二極管、TVS、ESD等各類防護器件;

  3.φ4英寸快恢復二極管器件芯片生產線,主導產品:快恢復二極管、高壓整流二極管等;

  4.三極體器件封裝和測試生產線,器件封裝形式:TO-92、SOT-23-3L、SOT-89、SOT-223、DPAK、iPAK、D2PAK、TO-220A insulated、TO-220B、TO-220C、TO-220F、TO-247、TO-247 Super、TO-P3 insulated等。

  5.二極體器件封裝和測試生產線,器件封裝形式:SMA、SMB、SMC、SOD123、SOD323、SOD523等。

  公司先后通過ISO9001:2008質量管理體系、ISO14001:2004環境管理體系、OHSAS18001職業健康安全體系、QC080000有害物質過程管理體系認證,目前正在推行ISO/TS 16949。產品符合UL電氣絕緣性要求、RoHS環保要求、Reach化學品注冊、評估、許可和限制要求、無鹵化等要求。

  “邊門極結構的高壓大電流單向晶閘管器件芯片”、“臺面工藝結構可控硅芯片”、“具有150℃高結溫性能雙向晶閘管芯片”等18個產品被評定為江蘇省高新技術產品;“低結電容過壓保護晶閘管器件” 獲得南通市科學技術進步二等獎、“新型門極靈敏觸發單向可控硅芯片”獲得南通市科學技術進步三等獎。

  公司自成立以來,一直從事半導體分立器件、電力電子器件的研發、生產和銷售。企業在大力開展技術創新的同時,非常注重自主知識產權的創造與保護工作。公司現共獲得授權專利53項,其中發明專利15項,實用型新專利37項;外觀專利1項。公司擁有江蘇省高新技術產品19項。

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捷捷微電數據手冊

型號 描述 數據手冊 參考價格
JMPL1050AK-13 MOSFETs P-溝道 100V 30A TO252
JMTK060N06A 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續漏極電流(Id):120A;功率(Pd):181W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,30A;
JMSH0805AE-13 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):85V;連續漏極電流(Id):121A;功率(Pd):130W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,20A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):39.7nC@0~10V;輸入電容(Ciss@Vds):2.451nF@40V;反向傳輸電容(Crss@Vds):18pF@40V;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj);
JMTE3002B 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續漏極電流(Id):180A;功率(Pd):130W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.95mΩ@10V,30A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):70nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):4.93nF@15V;反向傳輸電容(Crss@Vds):566pF@15V;工作溫度:-55℃~+175℃@(Tj);
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