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探測器（detector），是觀察 、記錄粒子的裝置 ，核物理和粒子物理實驗研究中不可缺少的設備。探測器可分為兩類：計數器和徑跡探測器。
探測器（detector），是觀察 、記錄粒子的裝置 ，核物理和粒子物理實驗研究中不可缺少的設備。探測器可分為兩類：計數器和徑跡探測器。
金屬探測器利用電磁感應的原理，利用有交流電通過的線圈，產生迅速變化的磁場。分類
探測器（detector）可分為兩類：計數器和徑跡探測器，下面來分別詳細的介紹一下。
探測器（detector），是觀察 、記錄粒子的裝置 ，核物理和粒子物理實驗研究中不可缺少的設備。探測器可分為兩類：計數器和徑跡探測器。
金屬探測器利用電磁感應的原理，利用有交流電通過的線圈，產生迅速變化的磁場。分類
探測器（detector）可分為兩類：計數器和徑跡探測器，下面來分別詳細的介紹一下。
計數器
有電離室、正比計數器 、蓋革-米勒計數器 、閃爍計數器、切倫科夫計數器、半導體探測器等等。它的目的主要是用來記錄粒子的數目。一般要求計數器具有一定的時間分辨率，即先后兩個粒子射入計數器可分辨的時間。通常計數器常與定標電路和符合電路聯合使用。
定標電路是一種將脈沖計數進制的電路，通過計數器與定標電路的聯用，可對粒子快速計數 ；符合電路是將兩個或兩個以上的計數管同電子線路配合而成，它可以專門只記錄那些使計數管協同動作的粒子，而對于只使一個計數管動作的粒子不作反應，從而記錄所需尋找的粒子。
徑跡探測器
有云室、氣泡室、流光室、火花室、多絲正比室、核乳膠等。它可以顯示粒子穿行的徑跡。徑跡探測器配以適當的磁場，可根據徑跡的長短、粗細、彎曲的方向和彎曲的曲率半徑推測出粒子的電荷、質量和能量。
食品金屬探測器
適用范圍：
Ø 專門用于肉類、菌類、糖果、飲料、糧食、果蔬、乳制品、水產品、保健品、添加劑和調味品等食品中的鐵金屬以及非鐵金屬雜質的檢測。Ø 用于化工原料、橡膠、塑膠、紡織品、皮革、化纖、玩具中的金屬雜質檢測Ø 用于醫藥、保健品、生物制品、化妝品、禮品、包裝、紙品中的金屬雜質檢測21EHERO-500QZ智能記憶數字金屬探測器產品特點：1、采用最新一代的數字信號處理（DSP）技術和智能算法，提高了檢測精度和穩定度；也是國內唯一一款采用DSP技術的數字金屬探測器。日本進口芯片。2、采用德國自動濾波技術（相位調節技術），能夠有效抑制產品效應；能夠檢測產品效應比較大的產品，如：冷凍食品、肉類、大米、腌制品等；3、具有智能設置，設備能自動設置適合被檢測產品的最佳靈敏度，操作簡單方便。4、記憶功能功能：將最佳靈敏度保存下來，下次測試可直接檢測，可存儲50多種產品的檢測參數；5、 LCD液晶屏顯示，中英文菜單畫面，輕松實現人機對話操作；6、可檢測鐵、不銹鋼、銅、鋁及鉛等多種金屬材質7、靈活的數字式靈敏度控制方式以及多種高級手動設置功能；多種規格可供選擇，適應不同的物料檢測靈敏度要求；8、 全不銹鋼SUS304制造，高等級防護電機供選擇；9、最高的IP69防護等級；線路部分內置于探測頭內部，減少外界環境腐蝕，操作面板、電機箱雙重防水，適用于特別惡劣的工作環境；10、簡便的可拆卸式機架，方便用戶清洗；傳送帶的特殊設計，避免傳送帶跑偏，11、多種排除方式可供選擇；精確的剔除控制，確保異物的可靠剔除的最少的物料浪費。
原理
金屬探測器利用電磁感應的原理，利用有交流電通過的線圈，產生迅速變化的磁場。這個磁場能在金屬物體內部能感生渦電流。渦電流又會產生磁場，倒過來影響原來的磁場，引發探測器發出鳴聲。
半導體探測器
半導體探測器是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似，故又稱固體電離室。半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號。常用半導體探測器有 P-N結型半導體探測器、 鋰漂移型半導體探測器和高純鍺半導體探測器。詞條詳細介紹了上述三種半導體探測器的原理、特點、工作條件等等。
基本原理
半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號 。
我們把氣體探測器中的電子－離子對、閃爍探測器中被 PMT第一打拿極收集的電子 及半導體探測器中的電子－空穴對統稱為探測器的信息載流子。產生每個信息載流子的平均能量分別為30eV（氣體探測器），300eV（閃爍探測器）和3eV（半導體探測器）。
P-N結半導體探測器
工作原理
多數載流子擴散，空間電荷形成內電場并形成結區。結區內存在著勢壘，結區又稱為勢壘區。勢壘區內為耗盡層，無載流子存在，實現高電阻率，遠高于本征電阻率 。
在P-N結上加反向電壓，由于結區電阻率很高，電位差幾乎都降在結區。
反向電壓形成的電場與內電場方向一致。
在外加反向電壓時的反向電流：
少子的擴散電流，結區面積不變，IS 不變；
結區體積加大，熱運動產生電子空穴多，IG 增大；
反向電壓產生漏電流 IL ，主要是表面漏電流。
P-N結半導體探測器的類型
擴散結（Diffused Junction）型探測器
采用擴散工藝——高溫擴散或離子注入；材料一般選用P型高阻硅，電阻率為1000；在電極引出時一定要保證為歐姆接觸，以防止形成另外的結。
金硅面壘（Surface Barrier）探測器
一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N結。工藝成熟、簡單、價廉。
存在的矛盾
由于一般半導體材料的雜質濃度和外加高壓的限制，耗盡層厚度為1～2mm。 對強穿透能力的輻射而言，探測效率受很大的局限。
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