n溝道p溝道怎么區(qū)分增強(qiáng)型

N溝道和P溝道的MOS管在電路圖和測量方法上有明顯的區(qū)別。

在電路圖中，N溝道的MOS管箭頭是向內(nèi)側(cè)指向，而P溝道的箭頭是向外側(cè)指向。在測量MOS管時，對于N溝道，需要將萬用表打到二極管檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，測到400到800的阻值。而對于P溝道，需要將紅表筆接D極，黑表筆接S極，同樣測到400到800的阻值。

增強(qiáng)型MOS管的特點(diǎn)是，當(dāng)柵極電壓VGS為0時，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。只有當(dāng)加上正確的VGS后，多數(shù)載流子才會被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。對于N溝道增強(qiáng)型MOS管，當(dāng)0＜VGS＜VGS（th）時，漏極和源極之間不能形成導(dǎo)電溝道；只有當(dāng)VGS＞VGS（th）時，才會形成溝道，使漏極和源極之間可以導(dǎo)電。

mos管n溝道和p溝道工作原理圖

P溝道的源極S接輸入，漏極D導(dǎo)通輸出，N溝道相反；簡單來說給箭頭方向相反的電流就是導(dǎo)通，方向相同就是截止。

僅含有一個P--N結(jié)的二極管工作過程，如下圖所示，我們知道在二極管加上正向電壓時（P端接正極，N端接負(fù)極），二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過，這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動，從而形成導(dǎo)通電流。

同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時，這時在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止。

對于N溝道場效應(yīng)管（見圖1），在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)（圖1a），當(dāng)有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極時（見圖1b），由于電場的作用，此時N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來涌向柵極；

但由于氧化膜的阻擋，是的電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導(dǎo)體中（見圖1b），從而形成電流，使源極和漏極導(dǎo)通，我們也可以想象為兩個N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭建了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。

圖2給出了P溝道的MOS場效應(yīng)管的工作過程，其工作原理類似。

n溝道增強(qiáng)型mosfet工作原理

N溝道增強(qiáng)型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常見的場效應(yīng)管，下面是它的工作原理：

1. 器件結(jié)構(gòu)： N溝道增強(qiáng)型MOSFET由n型源極（Source）、n型漏極（Drain）和p型柵極（Gate）構(gòu)成，柵極上覆蓋有絕緣層氧化物（通常為二氧化硅），在絕緣層上有疊加一層導(dǎo)電性好的金屬，作為柵極電極。

2. 工作原理：

- 截止?fàn)顟B(tài)： 當(dāng)柵極與源極之間的電壓為零或負(fù)電壓時，柵極和通道之間的電場不足以形成導(dǎo)電通道，MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)，幾乎不導(dǎo)通電流。

- 導(dǎo)通狀態(tài)： 當(dāng)在柵極和源極之間施加正電壓時，柵極與通道之間形成的電場會引發(fā)n型半導(dǎo)體中的自由電子向漏極方向運(yùn)動，形成導(dǎo)電通道，此時MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)。

3. 增強(qiáng)型特性：

- 由于N溝道增強(qiáng)型MOSFET的導(dǎo)電通道是通過正向柵極電壓形成的，因此稱為增強(qiáng)型MOSFET。它需要正向增益柵壓來形成導(dǎo)通通道，所以具有較高的輸入阻抗和較低的導(dǎo)通電阻。

- 在增強(qiáng)型MOSFET中，通過調(diào)節(jié)柵極電壓可以精確控制器件的導(dǎo)通狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的電流調(diào)節(jié)和開關(guān)控制。

審核編輯：黃飛