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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(FET)。
晶體管有三個極;雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應(yīng)晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
晶體管因為有三種極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(FET)。
晶體管有三個極;雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應(yīng)晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
晶體管因為有三種極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
隨著新材料和新技術(shù)的不斷發(fā)展,金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)和柔性石墨烯MOS(GrapheneMOS)作為兩種重要的半導(dǎo)體材料,在電子設(shè)備和器件的應(yīng)用中越...
利用安森美Treo平臺優(yōu)化高速邏輯電平轉(zhuǎn)換器設(shè)計
在當(dāng)今技術(shù)驅(qū)動的時代,電子設(shè)備的互操作性至關(guān)重要。從汽車 ADAS(先進駕駛輔助系統(tǒng))到數(shù)據(jù)中心和工業(yè)自動化,現(xiàn)代電子電路必須能夠支持各種組件之間的高速通信。
2024-12-16 標(biāo)簽:CMOS轉(zhuǎn)換器安森美 214 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP230N06V產(chǎn)品介紹
國產(chǎn)MOS管新產(chǎn)品推介:FHP230N06V型號,在應(yīng)用端可以用于高頻逆變器、工頻逆變器、戶外儲能電源、電機控制器、UPS不間斷電源、高頻開關(guān)電源等產(chǎn)品電路中。
2024-12-09 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS管逆變器 201 0
選擇性沉積技術(shù)可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。 隨著芯片制造技術(shù)的不斷進步,制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰(zhàn),尤其是全環(huán)繞柵極(Gat...
短溝道二維晶體管中的摻雜誘導(dǎo)輔助隧穿效應(yīng)
短溝道效應(yīng)嚴(yán)重制約了硅基晶體管尺寸的進一步縮小,限制了其在先進節(jié)點集成電路中的應(yīng)用。開發(fā)新材料和新技術(shù)對于維系摩爾定律的延續(xù)具有重要意義。
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...
在90納米制程之前,每一代集成電路技術(shù)節(jié)點的縮放不僅帶來了更高的器件密度,還提升了器件性能。然而,當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點時,縮放并...
DV2004L1 PNP功率晶體管快充開發(fā)系統(tǒng)控制立即下載
類別:電子資料 2024-12-21 標(biāo)簽:晶體管調(diào)節(jié)器pnp
KL827 DIP8 晶體管光耦產(chǎn)品規(guī)格書立即下載
類別:電子資料 2024-12-17 標(biāo)簽:光耦晶體管光耦應(yīng)用
KLQ3H7 SSOP16 晶體管光耦產(chǎn)品規(guī)格書立即下載
類別:電子資料 2024-12-17 標(biāo)簽:光耦晶體管光耦應(yīng)用
KLQ3H4 SSOP16 晶體管光耦(AC交流)產(chǎn)品規(guī)格書立即下載
類別:電子資料 2024-12-17 標(biāo)簽:光耦晶體管光耦應(yīng)用
比斯特BT-550D電動智能晶體管點焊機的參數(shù)詳情
比斯特 BT-550D 電動智能晶體管點焊機的的參數(shù)詳情充分彰顯著它的專業(yè)與強大。這款點焊機具備可調(diào)節(jié)的焊接電流范圍,能依據(jù)不同焊件材質(zhì)與厚度靈活設(shè)定,...
搶先領(lǐng)?。「邏篊oolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書推薦
高壓CoolGaNGITHEMT(高電子遷移率晶體管)可靠性和驗證的白皮書共33頁,被翻譯成中文和日文,主要介紹了英飛凌如何實現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件...
EEPROM在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的使用
1. EEPROM的工作原理 EEPROM是一種可以通過電信號擦除和重寫的存儲器。它通常由浮柵晶體管組成,這些晶體管可以存儲電荷,從而代表數(shù)據(jù)。當(dāng)需要更...
2024-12-16 標(biāo)簽:存儲器物聯(lián)網(wǎng)晶體管 282 0
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射頻放大器工作原理 信號輸入 :射頻放大器接收來自調(diào)制器的信號,這些信號通常包含要傳輸?shù)男畔ⅰ?放大過程 :放大器的核心功能是增加信號的功率。這通常通過...
比斯特BT-550D電動智能晶體管點焊機:廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時代,各類先進設(shè)備不斷涌現(xiàn),比斯特BT-550D電動智能晶體管點焊機憑借其出色的性能在多個行業(yè)中脫穎而出。這款設(shè)備以其精確的焊接控制...
IBM與Rapidus在多閾值電壓GAA晶體管技術(shù)的新突破
IBM 與日本芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 國際電子器件會議上,對外展示了雙方攜手合作所研發(fā)的多閾值電壓 GAA 晶體管...
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比斯特BT-550D電動智能晶體管點焊機,作為深圳比斯特自動化設(shè)備有限公司的一款旗艦產(chǎn)品,以其出色的性能和生產(chǎn)效率在工業(yè)領(lǐng)域獲得諸多好評。這款設(shè)備不僅展...
意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管
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2024-12-11 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體晶體管 136 0
Microchip 推出全新IGBT 7元件組合,滿足高增長市場需求
近日,Microchip Technology公司宣布推出其最新的IGBT 7元件組合,該系列產(chǎn)品專為支持多種電力拓撲結(jié)構(gòu)而設(shè)計,涵蓋了廣泛的電流和電壓范圍。
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