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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET)是現(xiàn)...
2025-01-20 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管晶體管 102 0
詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(1)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...
一種新型極性轉(zhuǎn)換異質(zhì)結(jié)光電晶體管集成陣列
近年來(lái)三維信息感知在機(jī)器視覺(jué)、深空成像以及醫(yī)療診斷方面具備廣泛的應(yīng)用前景,包含物體深度信息的三維信息感知能夠更加全面地感知物體的形態(tài)與光學(xué)特征。然而三維...
2025-01-14 標(biāo)簽:機(jī)器視覺(jué)晶體管三維信息 118 0
MOS,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文名稱(chēng)的縮寫(xiě),是一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件,它通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路的電流,這一特性使其得名。
電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)中IGBT全面解析
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),作為MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件,是電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,以其高工作頻率、高電流性能和低開(kāi)關(guān)損耗等特點(diǎn),確保...
2025-01-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT晶體管 401 0
Simcenter Micred T3STER瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀
SimcenterMicredT3STER瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀通過(guò)高精度、可重復(fù)的熱瞬態(tài)測(cè)試技術(shù)和結(jié)構(gòu)功能分析,對(duì)封裝半導(dǎo)體器件進(jìn)行熱表征。為何選擇Simce...
隨著現(xiàn)代工業(yè)和自動(dòng)化技術(shù)的迅猛發(fā)展,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在許多應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。電機(jī)驅(qū)動(dòng)不僅廣泛應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化生產(chǎn)線、家電等領(lǐng)域,還成為電動(dòng)...
2025-01-08 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)晶體管MOS 154 0
兩個(gè)晶體管能如何實(shí)現(xiàn)高效正弦波振蕩?
在電子設(shè)計(jì)中,振蕩器是一個(gè)重要的組件,廣泛應(yīng)用于信號(hào)發(fā)生、無(wú)線通信和音頻設(shè)備中。一般來(lái)說(shuō),設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定的正弦波振蕩器往往需要運(yùn)算放大器或復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。...
飛虹半導(dǎo)體FHP160N06V場(chǎng)效應(yīng)管的產(chǎn)品特點(diǎn)
Trench工藝通過(guò)其深且窄的溝槽結(jié)構(gòu)、高精度刻蝕與填充、垂直結(jié)構(gòu)集成、兼容性強(qiáng)等特點(diǎn),能夠滿(mǎn)足大多數(shù)電子設(shè)備對(duì)高性能、高密度和高可靠性的需求,廣泛應(yīng)用...
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí),你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不...
IGBT驅(qū)動(dòng)光耦:功率轉(zhuǎn)換的控制樞紐
IGBT在電力電子中的關(guān)鍵作用在當(dāng)今的電力電子技術(shù)中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能,在變頻器、電動(dòng)汽車(chē)、...
2024-12-26 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換IGBT光耦 282 0
開(kāi)關(guān)電源功率變化過(guò)程入門(mén)了解
前段時(shí)間針對(duì)開(kāi)關(guān)電源前級(jí)電路(防雷、EMI、整流 、濾波)都有做一些相對(duì)較詳細(xì)的整理,講解,相信粉絲朋友有很多收獲。
2024-12-23 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源PWM功率 405 0
隨著新材料和新技術(shù)的不斷發(fā)展,金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)和柔性石墨烯MOS(GrapheneMOS)作為兩種重要的半導(dǎo)體材料,在電子設(shè)備和器件的應(yīng)用中越...
利用安森美Treo平臺(tái)優(yōu)化高速邏輯電平轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
在當(dāng)今技術(shù)驅(qū)動(dòng)的時(shí)代,電子設(shè)備的互操作性至關(guān)重要。從汽車(chē) ADAS(先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng))到數(shù)據(jù)中心和工業(yè)自動(dòng)化,現(xiàn)代電子電路必須能夠支持各種組件之間的高速通信。
2024-12-16 標(biāo)簽:CMOS轉(zhuǎn)換器安森美 336 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP230N06V產(chǎn)品介紹
國(guó)產(chǎn)MOS管新產(chǎn)品推介:FHP230N06V型號(hào),在應(yīng)用端可以用于高頻逆變器、工頻逆變器、戶(hù)外儲(chǔ)能電源、電機(jī)控制器、UPS不間斷電源、高頻開(kāi)關(guān)電源等產(chǎn)品電路中。
2024-12-09 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管逆變器 351 0
選擇性沉積技術(shù)可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。 隨著芯片制造技術(shù)的不斷進(jìn)步,制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰(zhàn),尤其是全環(huán)繞柵極(Gat...
短溝道二維晶體管中的摻雜誘導(dǎo)輔助隧穿效應(yīng)
短溝道效應(yīng)嚴(yán)重制約了硅基晶體管尺寸的進(jìn)一步縮小,限制了其在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路中的應(yīng)用。開(kāi)發(fā)新材料和新技術(shù)對(duì)于維系摩爾定律的延續(xù)具有重要意義。
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