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標(biāo)簽 > 晶體管

晶體管

晶體管

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晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

基于128點(diǎn)FFT/IFFT定點(diǎn)處理器解決電壓降和電遷移問題

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Astro-Rail工具為芯片設(shè)計(jì)提供了在設(shè)計(jì)和簽核階段進(jìn)行功耗、電壓降和電遷移分析的功能。用Astro-Rail工具對(duì)一個(gè)5百萬門的設(shè)計(jì)進(jìn)行功耗、電壓...

2021-03-26 標(biāo)簽:電源處理器晶體管 2717 0

CCD圖像傳感器TC237B的主要特點(diǎn)、引腳功能及應(yīng)用

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在圖像感光區(qū)的左部,每行有22個(gè)像素被金屬遮光屏覆蓋。這些暗像素可以為圖像的后繼處理電路提供黑參考電平。除此以外,在圖像感光區(qū)和圖像存儲(chǔ)區(qū)間有4行像素同...

2021-03-23 標(biāo)簽:放大器圖像傳感器晶體管 3193 0

通過100V增強(qiáng)型氮化鎵晶體管實(shí)現(xiàn)直直變換器設(shè)計(jì)方案

在當(dāng)今的架構(gòu)中,通過采用12V的背板,工業(yè)界能夠使用具有非常好的品質(zhì)因數(shù)特性的40V MOSFET 來滿足高開關(guān)頻率,傳輸高效率以及高功率密度。

2021-03-23 標(biāo)簽:通信技術(shù)晶體管氮化鎵 3353 0

常見的晶體管加速電路分析

常見的晶體管加速電路分析

為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。

2021-03-21 標(biāo)簽:晶體管加速電路 5689 0

如何防止開關(guān)晶體管的損壞

如何防止開關(guān)晶體管的損壞

工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過電流和瞬態(tài)過電壓,這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時(shí)功耗的集中。這種...

2021-03-21 標(biāo)簽:晶體管 4481 0

基于陰極跟隨器和SRPP電路實(shí)現(xiàn)電子管耳機(jī)放大器的設(shè)計(jì)

基于陰極跟隨器和SRPP電路實(shí)現(xiàn)電子管耳機(jī)放大器的設(shè)計(jì)

輸入級(jí)采用一只電子管三極管構(gòu)成的共陰極放大電路,其電路原理圖如圖1所示。圖中電阻RL1,Rk1和Rg1分別同電子管的陽極、陰極和柵極相連接,使電子管建立...

2021-03-18 標(biāo)簽:放大器三極管晶體管 8023 0

基于VMA系列功放模塊實(shí)現(xiàn)音頻功放電路的設(shè)計(jì)

基于VMA系列功放模塊實(shí)現(xiàn)音頻功放電路的設(shè)計(jì)

音頻功率放大器可以說是電子行業(yè)一個(gè)歷久彌新的領(lǐng)域了。從器件類型上來說,經(jīng)歷了電子管、晶體管、集成電路以及混合電路等發(fā)展歷程;從電路形式上來說,有A類、B...

2021-03-17 標(biāo)簽:集成電路功率放大器晶體管 3023 0

帶隙型穩(wěn)壓電路的基本原理及應(yīng)用方案

帶隙型穩(wěn)壓電路的基本原理及應(yīng)用方案

帶隙型穩(wěn)壓電路能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)使得溫度系數(shù)接近于0,以達(dá)到很好的穩(wěn)壓效果。在此,為了從數(shù)學(xué)上詳細(xì)推導(dǎo)分析這類電路的工作原理,我準(zhǔn)備對(duì)這個(gè)過程中的每...

2021-03-16 標(biāo)簽:芯片晶體管穩(wěn)壓電路 3163 0

使用AD584電壓參考和晶體管實(shí)現(xiàn)大功率并聯(lián)穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

使用AD584電壓參考和晶體管實(shí)現(xiàn)大功率并聯(lián)穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

可通過將VIN和VOUT連接在一起或使VIN保持開路的方式,將一些電壓參考用作并聯(lián)穩(wěn)壓器。但是,此類器件僅可在低電流情況下(典型限值約為10mA)使用。...

2021-03-15 標(biāo)簽:二極管穩(wěn)壓器晶體管 6586 0

通過傅里葉函數(shù)方法分析電源模塊輸出端紋波

通過傅里葉函數(shù)方法分析電源模塊輸出端紋波

電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)日益輕薄,使得電源模塊亦須提升切換頻率以縮小體積。藉由傅里葉級(jí)數(shù)頻域分析,研發(fā)人員將可掌握切換式降壓轉(zhuǎn)換器電源模塊輸出端漣波變化量,從而搭配...

2021-03-15 標(biāo)簽:電源mosfet晶體管 4859 0

基于LinkSwitch-4開關(guān)IC提高基于BJT的方案的可靠性

基于LinkSwitch-4開關(guān)IC提高基于BJT的方案的可靠性

眾所周知,與MOSFET相比,雙極性結(jié)式晶體管(BJT)在成本上有很大的優(yōu)勢(shì)。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下,當(dāng)...

2021-03-15 標(biāo)簽:mosfet控制器晶體管 1697 0

通過IGBT簡化裸片溫度計(jì)算方法優(yōu)化應(yīng)用系統(tǒng)性能

通過IGBT簡化裸片溫度計(jì)算方法優(yōu)化應(yīng)用系統(tǒng)性能

大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)溫的計(jì)算過程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測(cè)裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計(jì)算外...

2021-03-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體igbt晶體管 2140 0

開關(guān)晶體管Q2 ON和OFF時(shí)的電流路徑分析

開關(guān)晶體管Q2 ON和OFF時(shí)的電流路徑分析

請(qǐng)看開關(guān)晶體管Q2關(guān)斷時(shí)的電流狀態(tài)(圖中紅線)。電感L的作用是即使開關(guān)晶體管Q2 OFF時(shí)也可保持在此之前的電流值。

2021-03-12 標(biāo)簽:pcb晶體管陶瓷電容器 1749 0

使用運(yùn)放向負(fù)載電阻輸出電流實(shí)現(xiàn)微安級(jí)恒流源的電路設(shè)計(jì)

使用運(yùn)放向負(fù)載電阻輸出電流實(shí)現(xiàn)微安級(jí)恒流源的電路設(shè)計(jì)

恒流源在各種測(cè)量電子電路和傳感器電子電路中應(yīng)用廣泛,是開關(guān)電源、信號(hào)檢測(cè)和功率放大等場(chǎng)合中不可替代的測(cè)試單元。微安級(jí)數(shù)控恒流源更是廣泛地應(yīng)用于智能儀器和...

2021-02-27 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器運(yùn)算放大器晶體管 7406 0

基于新型二階曲率補(bǔ)償方法實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

基于新型二階曲率補(bǔ)償方法實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

基準(zhǔn)電壓是集成電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要部分,特別是在高精度電壓比較器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)以及A/D和 D/A轉(zhuǎn)換器等中,基準(zhǔn)電壓隨溫度和電源電壓波動(dòng)而產(chǎn)生的變化將...

2021-02-22 標(biāo)簽:集成電路電壓源晶體管 4785 0

便攜式電子系統(tǒng)中甲乙類存儲(chǔ)單元的應(yīng)用及設(shè)計(jì)方案

便攜式電子系統(tǒng)中甲乙類存儲(chǔ)單元的應(yīng)用及設(shè)計(jì)方案

采用HSPICE分別對(duì)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元、延遲單元和積分器電路進(jìn)行了仿真,晶體管模型選用TSMC0.18μm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為±1 V;輸入電流i...

2021-02-18 標(biāo)簽:電流仿真晶體管 1744 0

采用曲率補(bǔ)償技術(shù)實(shí)現(xiàn)高抑制比的電壓基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)

采用曲率補(bǔ)償技術(shù)實(shí)現(xiàn)高抑制比的電壓基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)

雙極晶體管的基極-發(fā)射極電壓VBE(PN結(jié)二極管的正向電壓),具有負(fù)溫度系數(shù),其溫度系數(shù)在室溫下-2.2 mV/K。而熱電壓VT具有正溫度系數(shù),其溫度系...

2021-02-02 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管 2588 0

二極管有哪些類型8種類型詳細(xì)說明

二極管有哪些類型8種類型詳細(xì)說明

 在這篇文章中,小編將為大家?guī)矶O管分類的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

2021-02-09 標(biāo)簽:二極管晶體管PN結(jié) 2.4萬 1

IGBT中的閂鎖效應(yīng)到底是什么

IGBT中的閂鎖效應(yīng)到底是什么

閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...

2021-02-09 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1.7萬 0

MOS管的極和溝道應(yīng)該如何區(qū)分

MOS管的極和溝道應(yīng)該如何區(qū)分

在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中,目前常用二氧化硅作金屬鋁柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層,稱為金屬一氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡稱為MOSFET或者M(jìn)OS管。

2021-02-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管MOS 8974 0

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    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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