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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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繼電器驅(qū)動(dòng)電路的原理及應(yīng)該需要注意那些事項(xiàng)的詳細(xì)說(shuō)明
繼電器驅(qū)動(dòng)電流一般需要20-40mA或更大,線(xiàn)圈電阻100-200歐姆,因此要加驅(qū)動(dòng)電路。
2019-08-17 標(biāo)簽:繼電器晶體管驅(qū)動(dòng)電路 2.7萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別及判定方法
場(chǎng)效應(yīng)管:FET是Field-Effect-Transistor的縮寫(xiě),一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此...
2019-08-14 標(biāo)簽:萬(wàn)用表場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 2.2萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較_場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域
本文首先將場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管進(jìn)行了比較,然后說(shuō)明了場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域,最后解釋了場(chǎng)效應(yīng)管的使用優(yōu)勢(shì)。
2019-08-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 1.3萬(wàn) 1
FPGA 是一堆晶體管,你可以把它們連接(wire up)起來(lái)做出任何你想要的電路。它就像一個(gè)納米級(jí)面包板。使用 FPGA 就像芯片流片,但是你只需要買(mǎi)...
萬(wàn)用表的使用基礎(chǔ)知識(shí)和超實(shí)用的口訣資料合集免費(fèi)下載
干電池這行,一定要學(xué)會(huì)正確使用萬(wàn)用表,除了測(cè)電壓、電流外,它不僅能快速的判斷出究竟哪里出了故障,還能防止電器設(shè)備和萬(wàn)用表本身的損壞。下面是使用萬(wàn)用表的一些口訣。
紅外檢測(cè)屬于紅外無(wú)損檢測(cè)的范疇。紅外熱像儀的無(wú)損檢測(cè)是一門(mén)新興的綜合性科學(xué)技術(shù),無(wú)損檢測(cè)是以不破壞被檢目標(biāo)的使用性能為前提,應(yīng)用被人類(lèi)已知的物理和化學(xué)知...
光電開(kāi)關(guān)其實(shí)算是光電接近開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)單名詞,由于檢測(cè)物對(duì)光束存在一定的阻擋以及反射,這類(lèi)開(kāi)關(guān)正是利用了這一點(diǎn),即使是金屬材質(zhì),也可以被檢測(cè),只需要具有反射光...
2019-08-05 標(biāo)簽:晶體管光電開(kāi)關(guān)接近開(kāi)關(guān) 1.5萬(wàn) 0
光電開(kāi)關(guān)檢測(cè)方法與特點(diǎn)
光電開(kāi)關(guān)由光發(fā)射器和光接收器組成,廣泛應(yīng)用在各類(lèi)自動(dòng)控制電路中。具有無(wú)機(jī)械磨損、無(wú)電火花、無(wú)觸點(diǎn)、安全可靠的特點(diǎn)。
2019-08-05 標(biāo)簽:發(fā)射器晶體管光電開(kāi)關(guān) 6624 0
在電子實(shí)驗(yàn)室中 如何跟蹤晶體管的曲線(xiàn)
早期模型顯示真空管曲線(xiàn);后來(lái)的當(dāng)然是針對(duì)測(cè)量晶體管,二極管和其他固態(tài)器件。適用于Tek 5000的插件 - &還制作了7000系列示波器;所有這...
2019-08-08 標(biāo)簽:晶體管PCB打樣華強(qiáng)PCB 1707 0
基于UCC21225A隔離雙路柵極驅(qū)動(dòng)和參考設(shè)計(jì)
TI公司的ucc21225A是隔離雙路柵極驅(qū)動(dòng)器,具有源電流4A和沉峰值電流6A,封裝為5-mm x 5-mm LGA-13.可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)5MHz的功率...
2019-08-04 標(biāo)簽:晶體管柵極驅(qū)動(dòng) 4808 0
關(guān)于DIODES的集成電路IC和半導(dǎo)體分立器件性能分析和應(yīng)用
Diodes 公司的 MOSFET 產(chǎn)品,陣容完整而多元,能確保設(shè)計(jì)人員得以根據(jù)其終端應(yīng)用,選擇出最適合的裝置,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)理想的新一代消費(fèi)性、計(jì)算機(jī)與通訊...
多層金屬氧化物結(jié)構(gòu)器件(MLV)也可以進(jìn)行有效的瞬時(shí)高壓沖擊抑制,此類(lèi)器件具有非線(xiàn)性電壓-電流(阻抗表現(xiàn))關(guān)系,截止電壓可達(dá)最初中止電壓的2~3 倍,這...
目前還不清楚是否所有的節(jié)點(diǎn)工藝都會(huì)長(zhǎng)期存在。更大的問(wèn)題是,finFET尺寸會(huì)縮小到哪里? “5nm的布線(xiàn)非常清晰,F(xiàn)inFET至少會(huì)發(fā)展到5nm。:“還...
關(guān)于半導(dǎo)體制程/工藝/生產(chǎn)的性能分析和介紹
說(shuō)完了 FinFET,我們還有最后一個(gè)后綴,就是昨天報(bào)道中的 LPP、LPE 了,其實(shí)這些指的都是同一代工藝中的不同種類(lèi),比如 LPE(Low Powe...
關(guān)于第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù)的分析和破解數(shù)據(jù)存儲(chǔ)難題的作用
存儲(chǔ)技術(shù)時(shí)效性的關(guān)鍵,在于對(duì)電子的管控。要想傳輸速度快,就要讓電子快速進(jìn)入。而要想數(shù)據(jù)保存時(shí)間久,就要讓電子牢牢鎖住。復(fù)旦大學(xué)研究人員認(rèn)為,要實(shí)現(xiàn)快速、...
2019-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1769 0
關(guān)于三星5nm、4nm、3nm工藝分析和全新晶體管架構(gòu)介紹
關(guān)于7nm制程,今年年底之前可能會(huì)有基于三星 7 納米工藝芯片的手機(jī)亮相嗎?可能性或許不大,雖然高通新一代芯片驍龍 855 也將交給三星負(fù)責(zé)生產(chǎn),但不要...
關(guān)于CMOS、FinFET、SOI和GaN工藝技術(shù)的對(duì)比分析和介紹
選擇多晶硅的另一個(gè)原因是MOS晶體管的閾值電壓與柵極和溝道之間的功函數(shù)差異相關(guān)。此前,當(dāng)工作電壓在3~5V范圍內(nèi)時(shí),使用金屬柵極。但是,隨著晶體管的縮小...
關(guān)于芯片設(shè)計(jì)面臨的新挑戰(zhàn)的方案設(shè)計(jì)
這要求設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)有不同的思維模式。Geada補(bǔ)充說(shuō):“實(shí)際上,就像常規(guī)計(jì)時(shí)一樣,我們必須將制程變異作為一階效應(yīng)處理,并使設(shè)計(jì)能夠容忍制程變異,而不是試圖將...
2019-08-30 標(biāo)簽:芯片晶體管驅(qū)動(dòng)電流 2875 0
近年來(lái),DARPA率先利用所謂的相變材料來(lái)制造RF開(kāi)關(guān),這種開(kāi)關(guān)通過(guò)材料晶體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換來(lái)操作,而不是通過(guò)傳統(tǒng)的晶體管動(dòng)作。這種大規(guī)模轉(zhuǎn)換到另一種物理基礎(chǔ)...
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