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標(biāo)簽 > 晶體管

晶體管

晶體管

+關(guān)注77人關(guān)注

晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

詳細(xì)剖析新型氮化鎵功率器件的技術(shù)特性

最近,麻省理工學(xué)院(MIT)、半導(dǎo)體公司IQE、哥倫比亞大學(xué)、IBM以及新加坡MIT研究與技術(shù)聯(lián)盟的科研人員展示出一項(xiàng)新型設(shè)計(jì),讓氮化鎵功率器件處理的電...

2018-01-04 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換晶體管氮化鎵 1.2萬 0

三極管開關(guān)電路設(shè)計(jì)電路圖原理詳解

三極管開關(guān)電路設(shè)計(jì)電路圖原理詳解

晶體管開關(guān)電路(工作在飽和態(tài))在現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)應(yīng)用中屢見不鮮,經(jīng)典的74LS,74ALS等集成電路內(nèi)部都使用了

2017-12-29 標(biāo)簽:三極管晶體管 4.5萬 0

對(duì)FinFET技術(shù)的詳細(xì)分析

我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)。

2017-12-26 標(biāo)簽:晶體管finfet 2.5萬 0

大學(xué)總搞不懂IGBT是什么的小伙伴們?這篇文章告訴你答案

電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放,人對(duì)電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會(huì)在黑暗中探索。 然而在電力電...

2017-12-25 標(biāo)簽:CMOSMOSFETIGBT 1.3萬 0

igbt模塊怎么測(cè)量好壞

IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入...

2017-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體igbt晶體管 7.2萬 0

igbt主要材料及參數(shù)介紹

igbt主要材料及參數(shù)介紹

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用...

2017-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體igbt晶體管 2.8萬 1

igbt的使用方法

IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入...

2017-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體igbt晶體管 1.6萬 0

SMT晶體管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

SMT晶體管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

氮化鎵技術(shù)的不斷進(jìn)步促使設(shè)備在更高的功率、電源電壓和頻率下工作。 本文介紹了使用市售SMT晶體管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)...

2017-12-13 標(biāo)簽:晶體管ganpa 4290 0

教你如何測(cè)試電腦顯示器

教你如何測(cè)試電腦顯示器

電腦顯示器通常也被稱為電腦監(jiān)視器或電腦屏幕。它是除了CPU、主板、內(nèi)存、電源、鍵盤、鼠標(biāo)之外最重要的一個(gè)電腦部件,是是將一定的電子文件信息通過特定的傳輸...

2017-12-11 標(biāo)簽:晶體管電腦顯示器魯大師 6.7萬 0

基于高性能GaAsSb基區(qū)的射頻和微波測(cè)試儀器設(shè)計(jì)

基于高性能GaAsSb基區(qū)的射頻和微波測(cè)試儀器設(shè)計(jì)

Abstract 一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū),InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為...

2017-12-10 標(biāo)簽:集成電路晶體管 1411 0

有效抑制了HBT大信號(hào)Kink效應(yīng)的寬帶功率放大器

有效抑制了HBT大信號(hào)Kink效應(yīng)的寬帶功率放大器

功率放大器輸出端的負(fù)載特性將直接影響到輸出端匹配電路的復(fù)雜度,為了獲得最佳功率輸出負(fù)載阻抗,在4~12 GHz頻帶內(nèi)進(jìn)行常規(guī)的負(fù)載牽引(Load-Pul...

2018-06-20 標(biāo)簽:放大器負(fù)載晶體管 3943 0

低壓、大電流電源中提高效率的有效方法是同步整流

低壓、大電流電源中提高效率的有效方法是同步整流

外驅(qū)動(dòng)同步整流正激變換器的電路如圖5 所示,它的主要波形如圖6 所示。在電路中,晶體管Q2 和Q3 被從主開關(guān)管門極驅(qū)動(dòng)獲得的信號(hào)所驅(qū)動(dòng),因此,同步整流...

2018-06-21 標(biāo)簽:變壓器晶體管同步整流 9374 0

晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因_晶體管防護(hù)措施

晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因_晶體管防護(hù)措施

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展和新型元器件的問世, 開關(guān)電源以其體積小、重量輕、效率高、對(duì)電網(wǎng)電壓適應(yīng)范圍寬等優(yōu)勢(shì), 越來越受到大家的青睞, 在絕大多數(shù)領(lǐng)域中取...

2018-06-24 標(biāo)簽:晶體管二次擊穿 2.4萬 0

超低功耗電路的設(shè)計(jì)原則及設(shè)計(jì)分析

超低功耗電路的設(shè)計(jì)原則及設(shè)計(jì)分析

以手機(jī)為代表的電池供電電路的興起,為便攜式儀表開創(chuàng)了一個(gè)新的紀(jì)元。超低功耗電路系統(tǒng)(包括超低功耗的電源、單片機(jī)、放大器、液晶顯示屏等)已經(jīng)對(duì)電路設(shè)計(jì)人員...

2018-07-21 標(biāo)簽:CMOS晶體管超低功耗 2.1萬 1

晶體管射頻放大器參數(shù)測(cè)量的進(jìn)展和意義

晶體管射頻放大器參數(shù)測(cè)量的進(jìn)展和意義

2008年射頻功率晶體管取得明顯進(jìn)展,以硅材料為主的雙極和CMOS工藝都有突破性進(jìn)展,特別是應(yīng)用在L波段的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,輸出峰值功率1000W的集成電路...

2017-11-25 標(biāo)簽:射頻晶體管 3374 0

微波功率晶體管電路及參數(shù)分析

微波功率晶體管電路及參數(shù)分析

微波功率晶體管(以下簡(jiǎn)稱微波功率管)是指用于微波頻段的功率放大,輸出較大功率,散發(fā)出較高熱量的晶體管。微波功率管是固態(tài)發(fā)射機(jī)及T/R組件的核心器件,其可...

2017-11-25 標(biāo)簽:電路晶體管 4631 0

適用于GNSS接收機(jī)的低噪聲混頻器的設(shè)計(jì)

適用于GNSS接收機(jī)的低噪聲混頻器的設(shè)計(jì)

隨著GNSS的不斷發(fā)展和中國(guó)北斗二代衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的加快建設(shè),衛(wèi)星導(dǎo)航定位系統(tǒng)在各領(lǐng)域的應(yīng)用將更加廣泛和深入,更低功耗、更低噪聲、更低成本的衛(wèi)星接收芯片已...

2017-11-24 標(biāo)簽:混頻器晶體管gnss 972 0

圖文結(jié)合淺析晶體管施密特觸發(fā)器電路原理

圖文結(jié)合淺析晶體管施密特觸發(fā)器電路原理

晶體管施密特觸發(fā)器如下圖所示,電路由兩極電阻耦合共發(fā)射極晶體管放大器組成。與一般兩極電阻耦合放大器不同的是,兩個(gè)晶體管VT1,VT2共用一個(gè)發(fā)射極電阻R...

2017-11-01 標(biāo)簽:晶體管觸發(fā)器 7569 0

來個(gè)簡(jiǎn)單小測(cè)試,讓你真正了解晶體管

來個(gè)簡(jiǎn)單小測(cè)試,讓你真正了解晶體管

半導(dǎo)體行業(yè)大致按照摩爾定律發(fā)展了半個(gè)多世紀(jì),對(duì)二十世紀(jì)后半葉的世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)做出了貢獻(xiàn),并驅(qū)動(dòng)了一系列科技創(chuàng)新、生產(chǎn)效率的提高和經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)。

2017-10-30 標(biāo)簽:集成電路摩爾定律晶體管 1.3萬 0

電路中見到0歐的電阻,你會(huì)迷惑嗎?

電路中見到0歐的電阻,你會(huì)迷惑嗎?

DCpower一般是指帶實(shí)際電壓的源,其他的都是標(biāo)號(hào)(在有些仿真軟件中默認(rèn)的把標(biāo)號(hào)和源相連的)VDD:電源電

2017-09-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電源管理晶體管 1.4萬 1

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    LM2596
    +關(guān)注
    LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V,可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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    STM32單片機(jī)
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  • OBD
    OBD
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    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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