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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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電子元器件中晶體管是一種半導(dǎo)體器件,常用的是放大器或電子控制開關(guān)。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子線路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于晶體管的快速響應(yīng)...
本文開始介紹了什么是晶體管與晶體管的分類,其次詳細(xì)的說明了管的主要參數(shù),最后闡述了晶體管發(fā)明者與發(fā)明時(shí)間及發(fā)展歷程。
2018-02-01 標(biāo)簽:晶體管 3.0萬 0
開關(guān)電源管理芯片可分為AC/DC和DC/DC兩大類
M6362A 是一款高度集成的電流模式PWM 控制芯片,主要用于高性能、低待機(jī)功耗和低成本的離線反激式電源適配器中。在滿載時(shí),IC 在固定頻率(65KH...
2018-10-19 標(biāo)簽:芯片開關(guān)電源晶體管 3.0萬 0
場效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型(juncTIonFET—JFET)和金屬-氧化物半...
2019-08-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管晶體管 3.0萬 0
關(guān)于CMOS、FinFET、SOI和GaN工藝技術(shù)的對(duì)比分析和介紹
選擇多晶硅的另一個(gè)原因是MOS晶體管的閾值電壓與柵極和溝道之間的功函數(shù)差異相關(guān)。此前,當(dāng)工作電壓在3~5V范圍內(nèi)時(shí),使用金屬柵極。但是,隨著晶體管的縮小...
晶閘管的四點(diǎn)工作特性_晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理
本文主要介紹了晶閘管的四點(diǎn)工作特性以及晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理。晶閘管正常工作時(shí),承受反向電壓時(shí),不論門極是否有觸發(fā)電流,晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通;承受正向電壓時(shí)...
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此...
功率場效應(yīng)晶體管的三個(gè)引腳符號(hào)
功率場效應(yīng)晶體管(VF)又稱VMOS場效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中,它有著比晶體管和MOS場效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 標(biāo)簽:晶體管功率場效應(yīng)管 2.9萬 0
紅外技術(shù)解決了各種各樣的無線應(yīng)用。主要領(lǐng)域是傳感和遙控。在電磁波譜中,紅外部分分為近紅外區(qū)、中紅外區(qū)和遠(yuǎn)紅外區(qū)三個(gè)區(qū)域。
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用...
晶體管發(fā)明的重要性_晶體管的作用_晶體管工作原理介紹
本文開始介紹了晶體管的分類與場效應(yīng)晶體管,其次分析了晶體管的重要性及作用,最后介紹了晶體管工作原理與晶體管的檢測方法。
2018-02-01 標(biāo)簽:晶體管 2.8萬 0
人體感應(yīng)開關(guān)DIY之繼電器驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
這一期要做的是人體感應(yīng)開關(guān)控制家里的燈,都知道家用電是200V的,所以不能直接將家用電接入人體感應(yīng)模塊
2023-12-28 標(biāo)簽:繼電器晶體管驅(qū)動(dòng)電路 2.8萬 0
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