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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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技術(shù)前沿:“環(huán)抱”晶體管與“三明治”布線
在半導(dǎo)體制程技術(shù)的前沿,英特爾正穩(wěn)步推進(jìn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,加速實(shí)現(xiàn)在2025年推出尖端的制程節(jié)點(diǎn)Intel 18A。 今天,我們將介紹英特爾的...
如何通過第八代IGBT技術(shù)推動(dòng)可再生能源的未來?
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)對(duì)于高功率應(yīng)用中的高效率至關(guān)重要,特別是在阻斷電壓超過600V的情況下??稍偕茉搭I(lǐng)域,如光伏(PV)和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS...
BC807-40,215(Nexperia)雙極結(jié)型晶體管中文資料_封裝尺寸_回流焊腳信息
Nexperia BC807-40,215是一款高性能的PNP型雙極結(jié)型晶體管,采用小型SOT23(TO-236AB)表面貼裝封裝,專為現(xiàn)代電子應(yīng)用...
BCX56-16,115(Nexperia) NPN雙極結(jié)型晶體管(BJT)_中文參數(shù)_封裝尺寸_回流焊腳信息
Nexperia的 BCX56-16,115 是一款高效的NPN中功率雙極結(jié)型晶體管(BJT),專為需要高電流處理和功率耗散的應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。該器件采用...
Nexperia推出采用DFN2020D-3封裝的功率雙極結(jié)型晶體管
全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近期宣布了一項(xiàng)重要產(chǎn)品擴(kuò)展計(jì)劃,其備受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)系列再添新成...
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 編輯:感知芯視界 Link 在昨天的“小鵬 10 年熱愛之夜暨小鵬 MONA M03 上市發(fā)布會(huì)”上,何小鵬宣布小鵬圖靈芯片流片成...
MOSFET 全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種廣泛應(yīng)用于模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管,用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,可實(shí)現(xiàn)開關(guān)和...
GaN HEMT技術(shù)引領(lǐng)儲(chǔ)能系統(tǒng)革命,國(guó)內(nèi)企業(yè)積極布局
隨著5G通信和電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)憑借其卓越的物理和化學(xué)特性,逐漸成為儲(chǔ)能系統(tǒng)和電力電子器件的重要材料。業(yè)...
2024-08-28 標(biāo)簽:晶體管GaN儲(chǔ)能系統(tǒng) 370 0
晶體管光耦是一款由發(fā)光二極管和光電晶體管組成的光電耦合器,通過光電效應(yīng)和晶體管放大特性,實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的光學(xué)隔離與傳輸、確保信號(hào)穩(wěn)定可靠。
2024-08-27 標(biāo)簽:光耦晶體管光耦應(yīng)用 382 0
電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī):現(xiàn)代制造業(yè)的焊接精英
在快速發(fā)展的現(xiàn)代制造業(yè)中,焊接技術(shù)作為連接金屬與合金的關(guān)鍵工藝,其重要性不言而喻。隨著科技的進(jìn)步和制造業(yè)的升級(jí),電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)作為現(xiàn)代焊接技術(shù)的杰...
2024-08-26 標(biāo)簽:晶體管焊接點(diǎn)焊機(jī) 228 0
功率放大器是電子設(shè)備中常見的一種電路,它的主要功能是將輸入信號(hào)的能量放大到更高的水平。在許多電子設(shè)備中,功率放大器扮演著至關(guān)重要的角色,如音響系統(tǒng)、無線...
四家公司為英特爾EMIB先進(jìn)封裝技術(shù)提供參考流程
在摩爾定律的旅程中,先進(jìn)封裝技術(shù)正發(fā)揮著越來越重要的作用,通過堆疊技術(shù)的創(chuàng)新,可以在單個(gè)設(shè)備中集成更多的晶體管。目前的大多數(shù)芯片都采用了異構(gòu)架構(gòu)設(shè)計(jì),先...
飛虹半導(dǎo)體FHP100N8F6A MOS管在電動(dòng)三輪車的應(yīng)用
三輪車在國(guó)內(nèi)似乎是大家所熟知的事物,但在國(guó)外缺是稀奇、可炫耀的產(chǎn)品。今年以來中國(guó)電動(dòng)三輪車在各大國(guó)外電商平臺(tái)銷售迅猛,而被外國(guó)人親切稱呼的“三蹦子”在經(jīng)...
Magnachip推出用于智能手機(jī)的第8代短溝道MOSFET
韓國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商美格納半導(dǎo)體(Magnachip)近日宣布了一項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新成果——專為智能手機(jī)電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)的第8代MXT LV MOSFET(金...
周星工程研發(fā)ALD新技術(shù),引領(lǐng)半導(dǎo)體工藝革新
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,韓國(guó)半導(dǎo)體廠商周星工程(Jusung Engineering)憑借其最新研發(fā)的原子層沉積(ALD)技術(shù),再次在全球半導(dǎo)體行業(yè)...
2024-07-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體制造 857 0
長(zhǎng)工微IS6102A 15A E-Fuse:數(shù)據(jù)中心電源安全的守護(hù)者
在數(shù)據(jù)中心這片科技與創(chuàng)新的熱土上,高功率運(yùn)行的GPU、DPU等復(fù)雜負(fù)載如同心臟般驅(qū)動(dòng)著數(shù)據(jù)處理與計(jì)算能力的飛速提升。然而,隨著這些高性能組件的廣泛應(yīng)用,...
2024-07-12 標(biāo)簽:晶體管數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng) 919 0
在全球矚目的慕尼黑電子展(Electronica)上,半導(dǎo)體巨頭英飛凌再次展現(xiàn)了其創(chuàng)新實(shí)力,通過一場(chǎng)盛大的媒體發(fā)布會(huì),隆重推出了多款CoolGaN?系列...
日立(HITACHI)耐高壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)/碳化硅(SiC)模塊
耐高壓SiCIGBT模塊是一種集成了碳化硅(SiC)材料和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)的電力電子器件。SiC材料因其出色的熱導(dǎo)率和電子遷移率,能夠在...
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