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晶體

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晶體技術(shù)

典型的四種VCSEL結(jié)構(gòu)解析

典型的四種VCSEL結(jié)構(gòu)解析

典型的VCSEL 結(jié)構(gòu)主要由p型 DBR、n 型 DBR與光學(xué)共振腔所組成。上下 DBR提供縱向的光學(xué)共振腔,然而在橫方向的電流局限與光學(xué)局限上仍需進(jìn)一...

2024-12-30 標(biāo)簽:晶體光學(xué)VCSEL 54 0

硅的晶體缺陷測(cè)量方法

硅的晶體缺陷測(cè)量方法

半導(dǎo)體晶體在生長(zhǎng)和加工過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生多種結(jié)構(gòu)缺陷,這些缺陷對(duì)集成電路(IC)器件的性能和合格率有著重要影響。因此,對(duì)晶體缺陷的觀察、檢測(cè)及研究至關(guān)重要。硅...

2024-12-27 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體晶體 158 0

EBSD在材料科學(xué)中的優(yōu)勢(shì)分析

EBSD在材料科學(xué)中的優(yōu)勢(shì)分析

在材料科學(xué)中,對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和晶粒取向的深入研究對(duì)于揭示材料性能具有決定性作用。傳統(tǒng)技術(shù),如X光衍射和中子衍射,雖然能夠提供宏觀層面的晶體結(jié)構(gòu)和取向信息,但...

2024-12-26 標(biāo)簽:晶體材料EBSD 147 0

高速、RF射頻信號(hào)的參考平面分析

高速、RF射頻信號(hào)的參考平面分析

對(duì)于一個(gè)電子愛好者來(lái)說(shuō),在PCB設(shè)計(jì)中,參考平面的問(wèn)題經(jīng)常讓很多人感到困惑。眾所周知,電源平面可以作為參考平面,常見的6層板一般都采用電源層作為DDR信...

2024-12-25 標(biāo)簽:晶體晶振RF 145 0

芯片制造工藝:晶體生長(zhǎng)、成形

芯片制造工藝:晶體生長(zhǎng)、成形

1.晶體生長(zhǎng)基本流程下圖為從原材料到拋光晶圓的基本工藝流程:2.單晶硅的生長(zhǎng)從液態(tài)的熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法(Czochralski)。...

2024-12-17 標(biāo)簽:芯片晶體芯片制造 272 0

晶體諧振器構(gòu)造

晶體諧振器構(gòu)造

晶體諧振器里面的晶體指的是石英晶體,化學(xué)式是二氧化硅SiO2。石英的特點(diǎn)是:熱膨脹系數(shù)小、Q值高、絕緣等。

2024-11-20 標(biāo)簽:晶體無(wú)源晶振晶體諧振器 335 0

愛普生晶體在車載系統(tǒng)應(yīng)用案例-ADAS系統(tǒng)的部分應(yīng)用

愛普生晶體在車載系統(tǒng)應(yīng)用案例-ADAS系統(tǒng)的部分應(yīng)用

作為車載電子工程師,你是否對(duì)車載級(jí)的晶體選型非常困惑?是否常常無(wú)法定位自己的要求?無(wú)法根據(jù)項(xiàng)目特點(diǎn)選出合適的晶體?而且不是很清楚選擇有源晶體好呢?還是無(wú)...

2024-11-18 標(biāo)簽:晶體愛普生adas 201 0

晶振的兩種主要類型:有源晶振和無(wú)源晶振

晶振的兩種主要類型:有源晶振和無(wú)源晶振

一般晶振分為兩種:有源晶振、無(wú)源晶振。 有源晶振也叫晶體振蕩器,Oscillator; 無(wú)源晶振也叫無(wú)源晶體,Crystal,晶體諧振器。

2024-11-18 標(biāo)簽:晶體有源晶振無(wú)源晶振 887 0

深度了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)

深度了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)

SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化學(xué)計(jì)量比組成的晶體,因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同,形成不同的SiC多型體,本篇章帶你了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)及其可能...

2024-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體SiC 739 0

一文詳解SiC的晶體缺陷

一文詳解SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷,對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。

2024-11-14 標(biāo)簽:晶體SiCsic器件 696 0

一文詳解SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)

一文詳解SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵,目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長(zhǎng)...

2024-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體SiC 472 0

晶振電路設(shè)計(jì)訣竅,工程師必備技巧!

晶振電路設(shè)計(jì)訣竅,工程師必備技巧!

晶振作為時(shí)鐘電路中必不可少的信號(hào)傳遞者,單片機(jī)要想正常運(yùn)作就需要晶振存在。因此,在電子電路設(shè)計(jì)中也少不了晶振的參與。一個(gè)好的晶振電路設(shè)計(jì),是能夠?yàn)殡娮犹?..

2024-11-13 標(biāo)簽:振蕩器晶體晶振 1263 0

晶體取向反極圖實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的采集方法

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晶體的取向可以用極圖和反極圖來(lái)表征。正極圖的數(shù)據(jù)采集方法被廣泛應(yīng)用,就是通過(guò)織構(gòu)附件獲得某一晶面的衍射強(qiáng)度在樣品中的空間分布,推知某一晶面在樣品中的空間...

2024-11-05 標(biāo)簽:晶體數(shù)據(jù)采集 377 0

離子注入工藝的工作原理

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單晶硅是一種絕緣體,因此它本身并不具備導(dǎo)電性。那么,我們?cè)撊绾问顾軌驅(qū)щ娔兀孔屛覀儊?lái)看一下硅的微觀結(jié)構(gòu)。

2024-11-04 標(biāo)簽:電源晶體工藝 975 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年,由愛德華·古德里奇·艾奇遜(Edward Goodrich Acheson)在嘗試合成人造金剛石的過(guò)程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體SiC 627 0

壓電晶體材料有哪些種類

壓電晶體材料是一類在受到機(jī)械應(yīng)力時(shí)能夠產(chǎn)生電荷的晶體材料。這類材料在電子信息、傳感器、聲波換能器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。壓電晶體材料的種類豐富多樣,主要包...

2024-09-24 標(biāo)簽:機(jī)械晶體壓電晶體 670 0

晶體硅為什么可以做半導(dǎo)體材料

晶體硅之所以能夠成為半導(dǎo)體材料的首選,主要得益于其一系列獨(dú)特的物理、化學(xué)和工藝特性。 一、資源豐富與成本效益 首先,硅是地球上第二豐富的元素,廣泛存在于...

2024-09-21 標(biāo)簽:晶體半導(dǎo)體材料晶體硅 1183 0

晶體諧振器的工作原理

晶體諧振器的工作原理

石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件,它的基本構(gòu)成大致是:從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片(常用晶片切型分為兩種 : AT切 和...

2024-09-19 標(biāo)簽:晶體石英晶體晶體諧振器 853 0

如何解決晶體失效原因

如何解決晶體失效原因

每個(gè)產(chǎn)品都需要很多程序在完成檢測(cè)之前,電路板上設(shè)有液晶電子產(chǎn)品在檢測(cè)過(guò)程中,在加壓環(huán)境下酒精、石英晶體容易與殼碰殼振動(dòng)芯片很容易發(fā)生碰撞,導(dǎo)致晶體發(fā)生振...

2024-08-21 標(biāo)簽:芯片晶體焊接 287 0

晶振中常見的術(shù)語(yǔ)都有哪些?網(wǎng)友熱議:這應(yīng)該是最全的一篇文章了

晶振中常見的術(shù)語(yǔ)都有哪些?網(wǎng)友熱議:這應(yīng)該是最全的一篇文章了

“頻率控制是確保時(shí)鐘和定時(shí)穩(wěn)定性的關(guān)鍵。現(xiàn)代計(jì)算機(jī)依賴數(shù)字時(shí)鐘,以確保各項(xiàng)操作在精確的時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行,而無(wú)線電頻率收發(fā)器等設(shè)備則使用模擬時(shí)鐘。先進(jìn)技術(shù)行...

2024-08-16 標(biāo)簽:振蕩器晶體晶振 513 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    K60
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  • LM2596
    LM2596
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    LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V,可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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    光模塊
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    COMSOL
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    加速度傳感器
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  • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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    服務(wù)機(jī)器人
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    靜電防護(hù)
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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
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    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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