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而電晶體縮得越小,除了更低的能耗、延遲以及更高的效能外,也讓晶片隨之縮小,電子產品也能越來越小。如今這些優點正反應在電子產品上,讓生活越來越方便。
研究團隊提出了一種液相“非限制“生長策略,利用分子結構調控結合溶劑-反溶劑協同效應,實現了“眼形”邊緣彎曲有機單晶的高效可控制備。4,4'-B...
常見頻點4M、6M、8M、12M、16M晶體(無源、不帶電壓)介紹
晶振晶體是電路中常用的時鐘元件,它是利用具有壓電效應和逆壓電效應的石英晶體片制成的。晶振的作用在于產生時鐘頻率。今天給您介紹的是常見頻點4M、6M、8M...
制成超薄納米級薄膜的玻璃廣泛用于 OLED 顯示器和光纖等應用。但是當這些類型的玻璃制成薄膜時,即使在低溫下,它們的行為也更像液體,所得材料容易形成液滴...
本文通過導模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶,晶體外形完整,通過勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線 分析確認晶體結晶質量較高。采用濕法刻蝕的方法,研究了晶體...
SERS主要來源于貴金屬(銀、金)納米顆粒附近局部電磁場的增強,因此,它具有超靈敏、快速檢測微量分子的能力,檢測限可以達到納摩爾甚至皮摩爾級。然而,目前...
為了更好地理解鎳基鈣鈦礦氧化物質子化過程,西湖大學工學院陸啟陽團隊使用水溶液電化學方法研究鎳基鈣鈦礦氧化物的質子化過程,發現鎳基鈣鈦礦氧化物晶格在質子化...
晶體的基本構成大致是:從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片,在它的兩個對應面上涂敷銀層作為電極,在每個電極上各焊一根引線接到管腳上,再加上封裝外殼,就構...
用于寬帶光電子突觸器件的硅納米晶體和2D WSe2的混合結構
從圖2中可以看出器件是先制備電極(溝道長寬為10/120 μm),再轉移2D WSe2和Si NCs,作者這樣做的原因可能是增加光照面積,提升光響應的靈...
然而,自然界中的硅原子并不喜歡sp2雜化方式的平面二維結構,碳硅化合物晶體多數不存在像石墨一樣的層狀體材料。因此,常規的機械剝離方法并不適用于制備二維碳...
最近晶盛機電宣布,公司成功生產出行業領先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告,在8月12日晶盛機電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經成功出爐,表示成功解決了8英...
壓電效應有一個重要的特征——可逆。如果你對壓電晶體通電,它們會通過來回振動來“擠壓自己”,晶體將在一定方向上產生機械變形。這種現象稱為逆壓電效應,也稱作...
在此,研究者通過機器學習方法分析了二維石英玻璃的結構和失效行為,并說明了如何在保持結果的定性可解釋性的情況下實現準確的失效預測。這要歸功于梯度加權類激活...
食鹽、礦石等人們日常熟悉的一般晶體,構成它們的原子在空間排列上呈現周期性變化的規律。而時間晶體,也就是一種四維以上的空間晶體,其特征在時間上也呈現出周期...
對于過渡族金屬元素主要是3d族,當然也包括4d,5d族,和稀土元素,主要是鑭系;這些元素形成的合金或者化合物中,由于存在d電子或f電子,而這兩種電子都是...
模擬結果表明,α析出相沿GBP的橫向生長和由來自GBα的α板條演變之間的動態相互作用決定了最終的形貌,兩者都對于θ十分敏感。隨著θ的增加WS的生長優于G...
這項工作不僅報道了一維π-π堆積誘導的高效率RTP,為探索超分子聚集體的高效率RTP提供了重要的模型,也為實現三元白光提供了一種新策略。 研究者相信,此...
作者通過簡單固相法合成了NNMO,Cu摻雜Na0.67Cu0.12Ni0.21Mn0.67O2 (NNMCO),Zn摻雜Na0.67Zn0.12Ni0....
IGBT是一種適合高電壓、大電流應用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V,額定電流范圍為5A至1000A,IGBT廣泛用于工業應用...
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