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標(biāo)簽 > 雜散電感

雜散電感簡(jiǎn)介

  變流器雜散電感會(huì)使IGBT的集、射極之間產(chǎn)生較高的電壓尖峰,從而造成較大的電磁干擾,甚至導(dǎo)致絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)損壞。若能測(cè)量變流器雜散電感,則可在一定程度上預(yù)估該電壓尖峰,并設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)木彌_電路。

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雜散電感知識(shí)

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雜散電感技術(shù)

影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對(duì)均流的影響

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并聯(lián)IGBT的直流母線(xiàn)側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量,因此需要盡量對(duì)稱(chēng);

2024-05-10 標(biāo)簽:二極管IGBT雜散電感 1311 0

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

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功率模塊從硅IGBT技術(shù)過(guò)渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來(lái)的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈?..

2024-05-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率模塊 989 0

IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

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IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場(chǎng)合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數(shù))

2024-04-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電源電壓 1438 0

納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6611在電控系統(tǒng)中的運(yùn)用介紹

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主驅(qū)電控系統(tǒng)是新能源汽車(chē)的重要組成部分,本文將從電控系統(tǒng)的系統(tǒng)框圖出發(fā),介紹系統(tǒng)的各組成部分及其功能,并重點(diǎn)介紹納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6...

2024-03-18 標(biāo)簽:功率管電控系統(tǒng)雜散電感 3542 0

一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響

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IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標(biāo)簽:IGBT功率模塊碳化硅 1802 0

如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置?

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利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡(jiǎn)稱(chēng)FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。

2023-11-24 標(biāo)簽:二極管示波器IGBT 1357 0

IGBT雙脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析

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通過(guò)雙脈沖測(cè)試,可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。

2023-11-24 標(biāo)簽:IGBT直流母線(xiàn)脈沖測(cè)試 1.0萬(wàn) 0

IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

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通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部...

2023-11-24 標(biāo)簽:示波器IGBT續(xù)流二極管 3103 0

如何實(shí)現(xiàn)純電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)三相線(xiàn)濾波磁環(huán)的設(shè)計(jì)?

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電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的主要干擾源是功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,目前車(chē)用硅基 IGBT 的工作頻率一般為10kH,同時(shí)由于電路中雜散電感等寄生參數(shù)的存在

2023-11-09 標(biāo)簽:IGBT電磁兼容性雜散電感 2258 0

聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車(chē)規(guī)模塊

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新能源汽車(chē)向著高功率密度和高可靠性的方向發(fā)展,為了滿(mǎn)足這方面的需求,功率模塊無(wú)論從電氣性能(Si基和WBG材料的芯片)還是封裝(低雜散電感,先進(jìn)的互連技...

2023-10-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)逆變器 1437 0

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雜散電感資訊

瞻芯電子推出一款車(chē)規(guī)級(jí)1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

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近日,瞻芯電子正式推出一款車(chē)規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC...

2024-04-07 標(biāo)簽:MOSFET熱敏電阻SiC 1611 0

安森美SiC方案助力800V車(chē)型加速發(fā)布 解決補(bǔ)能焦慮

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實(shí)際上,近期有越來(lái)越多的國(guó)內(nèi)外車(chē)企開(kāi)始加速800V電壓架構(gòu)車(chē)型的量產(chǎn),多款20-25萬(wàn)元價(jià)格段的標(biāo)配SiC車(chē)型上市。

2024-04-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)安森美逆變器 688 0

如何測(cè)量功率回路中的雜散電感

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本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù):寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測(cè)試...

2024-03-07 標(biāo)簽:MOSFET功率電路雜散電感 885 0

熾芯微電開(kāi)業(yè)!專(zhuān)注于碳化硅塑封功率模塊封測(cè)研發(fā)

1月19日,熾芯微電子科技(蘇州)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“熾芯微電”)在恒泰智造·蘇州納米城Ⅴ區(qū)開(kāi)業(yè)。

2024-01-24 標(biāo)簽:IGBTSiC功率模塊 1005 0

閉合導(dǎo)線(xiàn)測(cè)量步驟詳解

閉合導(dǎo)線(xiàn)測(cè)量步驟詳解? 閉合導(dǎo)線(xiàn)測(cè)量是一種常用的電路參數(shù)測(cè)量方法,它可以用來(lái)測(cè)量電阻、電感和電容等電路元件的參數(shù)。閉合導(dǎo)線(xiàn)測(cè)量的原理是利用電流-電壓特性...

2023-12-15 標(biāo)簽:電流電壓雜散電感 2906 0

賽晶科技發(fā)布一種車(chē)規(guī)級(jí)HEEV封裝SiC模塊

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賽晶科技表示,為電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊,導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ(@25℃),可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng),并滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)...

2023-09-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器電阻器 588 0

雜散電感對(duì)高效IGBT逆變器設(shè)計(jì)的影響

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IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿(mǎn)足具體應(yīng)用的需求。

2011-08-10 標(biāo)簽:逆變器IGBT雜散電感 4555 0

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雜散電感數(shù)據(jù)手冊(cè)

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