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標(biāo)簽 > 雜散電感

雜散電感

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  雜散電感是指由電路中的導(dǎo)體如:連接導(dǎo)線(xiàn)、元件引線(xiàn)、元件本體等呈現(xiàn)出來(lái)的等效電感 。

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雜散電感技術(shù)

影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對(duì)均流的影響

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并聯(lián)IGBT的直流母線(xiàn)側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量,因此需要盡量對(duì)稱(chēng);

2024-05-10 標(biāo)簽:二極管IGBT雜散電感 1618 0

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

功率模塊從硅IGBT技術(shù)過(guò)渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來(lái)的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈?..

2024-05-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率模塊 1174 0

IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

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IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場(chǎng)合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數(shù))

2024-04-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電源電壓 1936 0

納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6611在電控系統(tǒng)中的運(yùn)用介紹

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主驅(qū)電控系統(tǒng)是新能源汽車(chē)的重要組成部分,本文將從電控系統(tǒng)的系統(tǒng)框圖出發(fā),介紹系統(tǒng)的各組成部分及其功能,并重點(diǎn)介紹納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6...

2024-03-18 標(biāo)簽:功率管電控系統(tǒng)雜散電感 3927 0

一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響

一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標(biāo)簽:IGBT功率模塊碳化硅 2060 0

如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置?

如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置?

利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡(jiǎn)稱(chēng)FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。

2023-11-24 標(biāo)簽:二極管示波器IGBT 1643 0

IGBT雙脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析

IGBT雙脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析

通過(guò)雙脈沖測(cè)試,可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。

2023-11-24 標(biāo)簽:IGBT直流母線(xiàn)脈沖測(cè)試 1.2萬(wàn) 0

IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部...

2023-11-24 標(biāo)簽:示波器IGBT續(xù)流二極管 3910 0

如何實(shí)現(xiàn)純電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)三相線(xiàn)濾波磁環(huán)的設(shè)計(jì)?

如何實(shí)現(xiàn)純電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)三相線(xiàn)濾波磁環(huán)的設(shè)計(jì)?

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的主要干擾源是功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,目前車(chē)用硅基 IGBT 的工作頻率一般為10kH,同時(shí)由于電路中雜散電感等寄生參數(shù)的存在

2023-11-09 標(biāo)簽:IGBT電磁兼容性雜散電感 2476 0

聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車(chē)規(guī)模塊

聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車(chē)規(guī)模塊

新能源汽車(chē)向著高功率密度和高可靠性的方向發(fā)展,為了滿(mǎn)足這方面的需求,功率模塊無(wú)論從電氣性能(Si基和WBG材料的芯片)還是封裝(低雜散電感,先進(jìn)的互連技...

2023-10-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)逆變器 1742 0

IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響

IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響

在IGBT模塊的使用過(guò)程中,關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高

2023-10-10 標(biāo)簽:IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路 1748 0

車(chē)規(guī)模塊系列:賽米控SKiN技術(shù)介紹

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芯片互連技術(shù)包括兩大類(lèi),有綁定線(xiàn)和無(wú)綁定線(xiàn)兩大類(lèi)。其中,有綁定線(xiàn)的,我們?cè)偈煜げ贿^(guò)了,也是技術(shù)最為成熟的一類(lèi)

2023-10-10 標(biāo)簽:散熱器IGBTSiC 1904 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

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碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

2023-09-27 標(biāo)簽:BGASiC芯片封裝 819 0

IGBT模塊短路的性能有哪些?寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些?

IGBT模塊短路的性能有哪些?寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些?

IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴(lài)于具體應(yīng)用條件,如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。

2023-08-04 標(biāo)簽:分壓器IGBT短路 2434 0

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢?

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢?

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

2023-08-03 標(biāo)簽:振蕩器電磁干擾BGA封裝 539 0

igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)

igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)

在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下,允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。

2023-07-21 標(biāo)簽:二極管連接器IGBT 6182 0

新能源電機(jī)絕緣系統(tǒng)關(guān)鍵參數(shù)-PDIV(一)

新能源電機(jī)絕緣系統(tǒng)關(guān)鍵參數(shù)-PDIV(一)

直奔主題,下圖為典型的雙電極電壓(極性從正極到負(fù)極交替變化的電壓)沖擊圖。

2023-07-18 標(biāo)簽:二極管MOSFETSiC 2628 0

雜散電感對(duì)碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試的影響

雜散電感對(duì)碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試的影響

電感是導(dǎo)體的一種特性,會(huì)阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會(huì)消耗電能,而是以磁場(chǎng)/電磁感應(yīng)的方式存儲(chǔ)釋放能量,以達(dá)到阻礙電流變化的目的。

2023-06-30 標(biāo)簽:功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試碳化硅 1505 0

介紹幾種普遍使用的集電極電壓尖峰抑制的方法

介紹幾種普遍使用的集電極電壓尖峰抑制的方法

IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線(xiàn)電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...

2022-08-08 標(biāo)簽:二極管IGBT雜散電感 8162 0

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  • 快充技術(shù)
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  • 尼吉康
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  • trinamic
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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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  • 寧德時(shí)代
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    ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
  • 快充
    快充
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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    浪涌抑制器
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    USB-PD
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    共享充電寶
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    LT8705
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  • 董明珠
    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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