完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 雜散電感
雜散電感是指由電路中的導(dǎo)體如:連接導(dǎo)線(xiàn)、元件引線(xiàn)、元件本體等呈現(xiàn)出來(lái)的等效電感 。
文章:26個(gè) 瀏覽:6343次 帖子:0個(gè)
基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)
功率模塊從硅IGBT技術(shù)過(guò)渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來(lái)的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈?..
IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹
IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場(chǎng)合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數(shù))
2024-04-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電源電壓 1936 0
納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6611在電控系統(tǒng)中的運(yùn)用介紹
主驅(qū)電控系統(tǒng)是新能源汽車(chē)的重要組成部分,本文將從電控系統(tǒng)的系統(tǒng)框圖出發(fā),介紹系統(tǒng)的各組成部分及其功能,并重點(diǎn)介紹納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6...
2024-03-18 標(biāo)簽:功率管電控系統(tǒng)雜散電感 3927 0
一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡(jiǎn)稱(chēng)FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
IGBT雙脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析
通過(guò)雙脈沖測(cè)試,可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 標(biāo)簽:IGBT直流母線(xiàn)脈沖測(cè)試 1.2萬(wàn) 0
IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部...
如何實(shí)現(xiàn)純電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)三相線(xiàn)濾波磁環(huán)的設(shè)計(jì)?
電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的主要干擾源是功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,目前車(chē)用硅基 IGBT 的工作頻率一般為10kH,同時(shí)由于電路中雜散電感等寄生參數(shù)的存在
聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車(chē)規(guī)模塊
新能源汽車(chē)向著高功率密度和高可靠性的方向發(fā)展,為了滿(mǎn)足這方面的需求,功率模塊無(wú)論從電氣性能(Si基和WBG材料的芯片)還是封裝(低雜散電感,先進(jìn)的互連技...
2023-10-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)逆變器 1742 0
IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響
在IGBT模塊的使用過(guò)程中,關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高
2023-10-10 標(biāo)簽:IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路 1748 0
車(chē)規(guī)模塊系列:賽米控SKiN技術(shù)介紹
芯片互連技術(shù)包括兩大類(lèi),有綁定線(xiàn)和無(wú)綁定線(xiàn)兩大類(lèi)。其中,有綁定線(xiàn)的,我們?cè)偈煜げ贿^(guò)了,也是技術(shù)最為成熟的一類(lèi)
IGBT模塊短路的性能有哪些?寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些?
IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴(lài)于具體應(yīng)用條件,如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。
碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢?
碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)
在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下,允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。
雜散電感對(duì)碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試的影響
電感是導(dǎo)體的一種特性,會(huì)阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會(huì)消耗電能,而是以磁場(chǎng)/電磁感應(yīng)的方式存儲(chǔ)釋放能量,以達(dá)到阻礙電流變化的目的。
2023-06-30 標(biāo)簽:功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試碳化硅 1505 0
IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線(xiàn)電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |