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標(biāo)簽 > 柵極
柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽(yáng)極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極,起控制陰極表面電場(chǎng)強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。
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在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中,寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計(jì)者最初所期望的,但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、材料特性或...
柵極(Gate)是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu),位于源極(Source)和漏極(Drain)之間。其功能類似于“開關(guān)”,通過(guò)施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例...
用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側(cè) MOSFET 輸入開關(guān)選擇
作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美編輯 功率循環(huán)在確保電子應(yīng)用不間斷運(yùn)行方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,尤其是那些部署在偏遠(yu...
既然MOSFET柵-源阻抗非常大,為什么設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)MOS電路的柵極電流還要大?1200字說(shuō)清楚
三極管是流控型器件,通過(guò)電流控制三極管的工作區(qū),而MOSFET與之相對(duì)是壓控型器件,柵-源阻抗非常大,我們一般認(rèn)為MOSFET柵-源工作電流可以忽略,那...
MOS管的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù),它決定了MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的導(d...
如圖1所示,VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū),在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道,在柵極加壓后溝道開啟...
五極管的簾柵極既不等同于陽(yáng)極,也不等同于陰極,它是五極管特有的一個(gè)電極,具有獨(dú)特的功能和作用。 五極管主要由屏極、抑制柵極、控制柵極、簾柵極和陰極五個(gè)電...
類別:電源技術(shù) 2024-07-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極 242 0
新品上市,華普微推出600V半橋驅(qū)動(dòng)器HPD2606X
HPD2606X擁有配合自舉電路操作的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì),可穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)的功率器件。HPD2606X能耐受負(fù)向瞬態(tài)電壓...
2025-03-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器柵極工業(yè)控制 266 0
背面供電搭配全環(huán)繞柵極,英特爾打造芯片制造“新星組合”
在全球數(shù)字化浪潮洶涌推進(jìn)的今天,半導(dǎo)體作為現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)的基石,其重要性不言而喻。市場(chǎng)研究公司國(guó)際數(shù)據(j...
? High-k柵極堆疊技術(shù),作為半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)一項(xiàng)廣泛采納的前沿科技,對(duì)于現(xiàn)代集成電路制造業(yè)具有舉足輕重的地位。 ...
??? 隨著半導(dǎo)體器件的精細(xì)化,晶體管柵極的尺寸逐漸縮小或微小結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜。蝕刻過(guò)程中,蝕刻損傷會(huì)在加工表面產(chǎn)...
瞻芯電子兩款緊湊封裝柵極驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)
近日,瞻芯電子傳來(lái)喜訊,其自主研發(fā)的2款極緊湊封裝的柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2404MP已成功通過(guò)可靠性認(rèn)證,并正式投入量產(chǎn)。這兩款高...
2024-06-22 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)芯片瞻芯電子 1175 0
功率器件在近幾年的市場(chǎng)方面發(fā)展的非常火爆,尤其是 MOS 管,他主要應(yīng)用在電源適配器,電池管理系統(tǒng)以及逆變器和電機(jī)控制系統(tǒng)中。 而隨著...
隨著現(xiàn)代低壓應(yīng)用的發(fā)展,Littelfuse P溝道功率MOSFET滿足了當(dāng)今電力電子不斷發(fā)展所需的通用功能。Littelfuse P溝道MOSFE...
SOP8貼片SA2601矽塔單相半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片
SA2601是一款針對(duì)于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,專為高壓、高速驅(qū)動(dòng)N型功率MOSFET和IGBT設(shè)計(jì),可在高達(dá)600V...
2024-04-01 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)芯片 2315 0
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