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標簽 > 柵極
柵極由金屬細絲組成的篩網狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網或螺旋線形狀的電極,起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發射電子或捕獲二次放射電子的作用。
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MOS管的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個至關重要的參數,它決定了MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的導通與截止狀態,對MOS...
五極管的簾柵極既不等同于陽極,也不等同于陰極,它是五極管特有的一個電極,具有獨特的功能和作用。 五極管主要由屏極、抑制柵極、控制柵極、簾柵極和陰極五個電...
電子管是一種早期的電子器件,它利用熱發射電子來控制電流的流動。電子管主要由陰極、柵極、屏極和板極組成。在電子管中,柵極電流和燈絲電壓是兩個重要的參數,它...
結型場效應晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應原理工作的三端有源器件,其工作原理和特...
在電子學中,穩壓二極管是一種特殊的半導體器件,它能夠將電壓穩定在一個特定的水平。這種器件通常用于電源管理、信號處理和保護電路中。在討論穩壓二極管的作用時...
Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度
來源:C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度(LER)指的是柵極圖案邊緣的隨機變化,即印刷圖案邊緣的粗糙度。當最小特征尺寸減小到幾十...
逆變器帶載柵極波型的原因是一個復雜的問題,涉及到多個方面的因素。 逆變器的工作原理和結構 逆變器是一種將直流電能轉換為交流電能的電力電子設備,廣泛應用于...
逆變器帶載柵極波型的原因是一個復雜的問題,涉及到多個方面的因素。 逆變器的工作原理和結構 逆變器是一種將直流電能轉換為交流電能的電力電子設備。它的主要功...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。在IGB...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導體場效應晶體管)在多種情況...
MOS芯片是一種常見的電子器件,其中MOS管(MOSFET)是一種常用的三端器件,包括源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。了解M...
英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升變頻器系統性能(上)
本文介紹了針對電機驅動進行優化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術,與標準技術相比,可大幅減少靜態損耗,并具備高可...
圣邦微電子推出 SGM48211 系列 120V 高壓半橋柵極驅動產品。器件可應用于電信,數據通信,便攜式存儲的 48V 或更低電壓系統中的電源轉換器,...
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