柵極

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柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極技術(shù)

絕緣柵極驅(qū)動器的重要特性

在電力電子領(lǐng)域，例如在驅(qū)動技術(shù)中，IGBT經(jīng)常用于高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管是電壓控制的，在開關(guān)過程中產(chǎn)生其主要損耗。為了最大限度地降低開關(guān)損耗...

2022-12-22 標(biāo)簽：處理器驅(qū)動器 IGBT 1589 0

石墨烯納米帶器件：電性質(zhì)

迄今為止，Nanodcal 已成功應(yīng)用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導(dǎo)體電子器件設(shè)計(jì)等重要研究課題中，并將逐步推...

2022-10-28 標(biāo)簽：集成電路柵極石墨烯 1062 0

測量柵極和源極之間電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2022-09-14 標(biāo)簽：散熱器柵極功率元器件 1013 0

MOSFET管柵極為什么放置一個(gè)約100Ω串聯(lián)電阻

在一周前看到在公眾號“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文，“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結(jié)論背后不簡單的問題”（點(diǎn)擊加黑文字可以跳轉(zhuǎn)到該推文），對...

2022-07-25 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻 MOSFET 柵極 3880 0

一文詳解正電壓浪涌的對策和效果

作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。本文將會通過示例來探討正電壓浪涌的對策和其效果。

2022-03-29 標(biāo)簽：柵極浪涌電壓浪涌 2449 0

電機(jī)驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...

2021-07-04 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動 IGBT 柵極 3099 0

消除與漏極開關(guān)有關(guān)的電路

通過漏極控制開關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個(gè)串聯(lián)FET開啟輸入HPA的高電壓。控制電路需要將邏輯電平脈沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。

2020-05-29 標(biāo)簽：放大器電平柵極 3317 0

四極管的作用_四極管的工作原理

四極管種類很多，常見的有：束射四極管，直熱四極管和多子四極管等。四極管，有音色渾厚，具有速度感等特點(diǎn)，實(shí)際上純粹意義的四極管只是在電子管的發(fā)展史上作為驗(yàn)...

2019-11-15 標(biāo)簽：電壓柵極 1.7萬 0

柵極源極漏極怎么區(qū)分

一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱...

2019-06-19 標(biāo)簽：場效應(yīng)管電極柵極 8.1萬 0

解析MOS管的三個(gè)引腳G、S、D都是什么及含義

G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。

2018-10-16 標(biāo)簽：MOS管柵極源極 11.5萬 0

哪種會影響柵極泄漏和動態(tài)功率密度

大量的新節(jié)點(diǎn)、半節(jié)點(diǎn)，以及在兩者之間的每一個(gè)數(shù)字的產(chǎn)生正在芯片制造商之造成混淆。雖然大多數(shù)人認(rèn)為有選擇是好事，但大家并不清楚哪個(gè)或哪些選擇是上策。該IP...

2018-03-13 標(biāo)簽：柵極擴(kuò)展器 3448 0

一種獨(dú)特的柵極脈沖電路，并進(jìn)行了HPA快速開/關(guān)評估

本文將提出一種獨(dú)特但簡單的柵極脈沖驅(qū)動電路，為快速開關(guān)HPA提供了另一種方法，同時(shí)消除了與漏極開關(guān)有關(guān)的電路。實(shí)測切換時(shí)間小于200 ns，相對于 1 ...

2018-02-03 標(biāo)簽：柵極脈沖電路漏極 5012 0

高介電常數(shù)柵電介質(zhì)/金屬柵極的FA CMP技術(shù)

高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點(diǎn)得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是先柵極和后柵極。...

2012-05-04 標(biāo)簽：柵極介電常數(shù) 7471 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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