柵極源極漏極怎么區分

一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱...

2019-06-19 標簽：場效應管電極柵極 8.2萬 0

MOS管三個極的判定

1、三個極的判定 G極(gate)—柵極，不用說比較好認。 S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。 D極(drain)—...

2023-11-26 標簽：二極管MOS管電平 2.6萬 1

MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

　　MOS管有三個引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個MO...

2023-02-27 標簽：驅動器MOS管柵極 1.5萬 0

MOS管參數解讀

極限參數也叫絕對最大額定參數，MOS管在使用過程當中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數，否則MOS管有可能損壞。

2023-09-24 標簽：元器件MOS管柵極 1.4萬 0

一文詳解MOS電容器

MOSFET是工業上應用最成功的固態器件，是構成高集成度的基本單元，而MOS電容器是MOSFET的核心，理解該電容器的特性是理解MOSFET工作原理的基...

2023-04-17 標簽：電容器MOSFETMOS 1.2萬 0

NMOS、PMOS、CMOS的結構介紹

咱們前幾期講的一直是NMOS，導電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結構上的不同點在于半導體基板的材料恰恰相反，是在N型摻雜基板的基礎上加了兩...

2023-02-16 標簽：CMOS半導體NMOS 1.2萬 0

晶閘管(可控硅)極性的判斷方法

在講晶閘管怎么測好壞之前，先給大家講一下晶閘管（可控硅）極性的判斷方法。

2023-07-11 標簽：可控硅晶閘管極性 1.1萬 0

7種MOS管柵極驅動電路

首先說一下電源IC直接驅動，下圖是我們最常用的直接驅動方式，在這類方式中，我們由于驅動電路未做過多處理，因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優化...

2023-04-28 標簽：MOSFETMOS管柵極 1.1萬 0

通過單片GaN集成提高性能，同時減小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范圍內的氮化鎵 （GaN） 異質結場效應功率晶體管已被證明在功率轉換、電機驅動和激光雷達脈沖光等應用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標簽：emi雷達柵極 9913 0

MOSFET米勒效應詳解

米勒效應（Miller effect）是在電子學中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大...

2023-05-15 標簽：放大器開關電路MOSFET 9668 0

既然MOSFET柵-源阻抗非常大，為什么設計驅動MOS電路的柵極電流還要大？1200字說清楚

三極管是流控型器件，通過電流控制三極管的工作區，而MOSFET與之相對是壓控型器件，柵-源阻抗非常大，我們一般認為MOSFET柵-源工作電流可以忽略，那...

2025-01-02 標簽：三極管電流MOSFET 9416 0

PMOS管和NMOS管的區別

　　MOS管的管腳：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)。

2023-02-16 標簽：MOS管MOS柵極 7877 0

高介電常數柵電介質/金屬柵極的FA CMP技術

高介電常數柵電介質和金屬柵極技術(以下簡稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節點得以延續。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是先柵極和后柵極。...

2012-05-04 標簽：柵極介電常數 7699 0

一文詳解寄生參數對柵極震蕩的影響

在現代電子電路設計和應用中，寄生參數是指那些并非設計者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結構、材料特性或布局布線等因素而自然產生的非預期電氣參數。...

2025-03-14 標簽：電阻電感柵極 7007 0

MOSFET柵極驅動電路的振蕩問題解析

上一篇文章我們介紹過，為了使MOS管完全導通，需要盡量提高柵極的驅動電流。那是不是柵極驅動電流越大越好呢，即驅動電路的內阻越小越好？

2023-08-14 標簽：pcbMOSFETMOS管 6882 0

深入了解 GaN 技術

深入了解 GaN 技術

2023-12-06 標簽：柵極氮化鎵GaN 6810 0