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      標簽　>　氧化鎵

      氧化鎵

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      文章：74個 瀏覽：10267次 帖子：1個

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      2023-11-27 標簽：二極管半導體氮化鎵 2482 0

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      2023-11-24 標簽：半導體晶圓晶圓蝕刻 661 0

      Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

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      2023-10-11 標簽：半導體信號處理光譜儀 1270 0

      氧化鎵功率器件研究成果

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      隨著電力電子技術在汽車電子、醫療器械、航空航天等領域的應用越來越廣泛，寬禁帶半導體材料與器件的研究和發展也進入了加速階段。

      2023-08-24 標簽：處理器功率二極管導通電阻 894 0

      氧化鎵薄膜外延與電子結構研究

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      氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優點。

      2023-08-17 標簽：接觸器半導體芯片DFT算法 1031 0

      高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

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      2023-08-09 標簽：二極管MOSFET電阻器 822 0

      氧化鎵的電子態缺陷研究

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      2023-08-09 標簽：二極管晶體管功率半導體 796 0

      氧化鎵缺陷、合金化電子結構調控及日盲光電探測器研究

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      半導體材料是信息技術產業的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導體，GaN、SiC等寬禁帶半導體前景廣闊。

      2023-08-07 標簽：半導體光電探測器氧化鎵 928 0

      基于氧化鎵材料性能調控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

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      2023-08-07 標簽：探測器晶體管光電探測器 920 0

      氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

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      2023-08-04 標簽：探測器半導體技術肖特基二極管 983 0

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      氧化鎵資料下載

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      氧化鎵資訊

      ACS AMI：通過襯底集成和器件封裝協同設計實現具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs

      ACS AMI：通過襯底集成和器件封裝協同設計實現具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs

      原創：Xoitec 異質集成XOI技術 來源：上海微系統所，集成電路材料實驗室，異質集成XOI課題組 1 工作簡介 超寬禁帶氧化鎵是實現超高壓、大功率、...

      2024-11-13 標簽：MOSFET封裝氧化鎵 337 0

      異質集成氧化鎵：下一代高性能功率半導體器件的新基石

      異質集成氧化鎵：下一代高性能功率半導體器件的新基石

      來源:悅智網 ，作者羅拯東、韓根全等 功率半導體器件作為高效電能控制和轉換裝置的核心器件，從其誕生之初，便作為電力電子技術的“幕后英雄”持續推動人類社會...

      2024-10-21 標簽：氧化鎵功率半導體器件異質集成 274 0

      蘇州邁姆思與杭州鎵仁簽訂先進半導體氧化鎵晶圓鍵合領域戰略合作協議

      來源：蘇州納米城 近日，蘇州納米城企業—蘇州邁姆思半導體科技有限公司（以下簡稱“邁姆思 ”）與杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁”）于杭州簽訂戰略合...

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      北京順義園內的北京銘鎵半導體有限公司在超寬禁帶半導體氧化鎵材料的開發及應用產業化方面取得了顯著進展，其技術已領先國際同類產品標準。

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      三菱電機斥資9000億加速研發氧化鎵

      三菱電機總裁Kei Urushima表示，聯合開發將以"從Coherent接收襯底，采用我們的技術，然后將其返還給Coherent"...

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      我國實現6英寸氧化鎵襯底產業化新突破

      氧化鎵因其優異的性能和低成本的制造，成為目前最受關注的超寬禁帶半導體材料之一，被稱為第四代半導體材料。

      2024-03-22 標簽：半導體材料氧化鎵 520 0

      晶旭半導體獲睿悅控股集團億元戰略投資

      據睿悅投資官微消息，2月2日，深圳市睿悅投資控股集團有限公司（以下簡稱“睿悅控股集團”）與福建晶旭半導體科技有限公司（以下簡稱“晶旭半導體”）的戰略投資...

      2024-02-05 標簽：半導體氧化鎵 901 0

      6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

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      2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單...

      2023-12-29 標簽：功率器件SiCGaN 1344 0

      武漢大學袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領域最新研究進展

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      近日，武漢大學工業科學研究院袁超課題組和斯洛伐克科學院Filip Gucmann課題組合作，在國際權威期刊《Small》上發表了題為“Phase-Dep...

      2023-12-25 標簽：太陽能電池二極管氧化鎵 1360 0

      基于晶圓級高導熱異質集成襯底實現最高截止頻率氧化鎵射頻器件

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      氧化鎵是超寬禁帶半導體材料的優異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于GaN，不僅可在更高場強、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實現在高...

      2023-11-15 標簽：晶圓SiC射頻器件 1538 0

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