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標(biāo)簽 > 氮化鎵電源
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什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管...
氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發(fā)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢也推動...
氮化鎵功率器件在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市場主流的硅功率器件均有顯著數(shù)量級的提升。例如,相比主流的硅基MOSFET、IGBT,氮化鎵功率器件的開...
國產(chǎn)氮化鎵快充重大突破,三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控,性能達(dá)到國際先進(jìn)水準(zhǔn)
充電頭網(wǎng)近日從供應(yīng)鏈獲悉,國產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破,三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控,性能達(dá)到國際先進(jìn)水準(zhǔn)。 一、氮化鎵快充市場規(guī)模 氮化鎵(galliu...
GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...
INN650D260A氮化鎵200w電源方案設(shè)計(jì)3C+2A
氮化鎵電源方案功率通常達(dá)到65W、100W、120W等,氮化鎵功率器件生產(chǎn)商英諾賽科推出INN650D260A氮化鎵200w電源方案設(shè)計(jì)3C+2A多口輸...
2023-08-08 標(biāo)簽:氮化鎵電源 2235 0
氮化鎵在服務(wù)器電源領(lǐng)域愈發(fā)扮演著重要角色,今天,“行家說”將為大家?guī)?條該領(lǐng)域的內(nèi)容服務(wù),并為大家分析GaN備受數(shù)據(jù)中心青睞的原因。
2023-07-06 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)氮化鎵電源GaN 969 0
氮化鎵電源管理芯片市場將快速增長 據(jù)iSuppli公司,由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長,氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市
Transphorm推出參考設(shè)計(jì)組合,加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開發(fā)
公司內(nèi)部以及合作開發(fā)的七款設(shè)計(jì)工具可以為45W至140W的 適配器帶來高性能650V氮化鎵FET的優(yōu)勢 ? 加州戈利塔--(新聞稿)-- (美國商業(yè)資訊...
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首份氮化鎵可持續(xù)發(fā)展報(bào)告
今年2月,納微半導(dǎo)體發(fā)布了寬禁帶行業(yè)首份可持續(xù)發(fā)展報(bào)告。報(bào)告指出,每顆出貨的清潔、綠色氮化鎵功率芯片可節(jié)省 4 kg CO2排放,GaN有望節(jié)省高達(dá) 2...
降本高壓下,鋰電設(shè)備企業(yè)如何穿越漫漫周期?
2023-11-01 標(biāo)簽:鋰電池激光器物聯(lián)網(wǎng) 638 0
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