淺談氮化鎵技術應用在了哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，上世紀90年代就已經有了氮化鎵的應用，這些年來氮化鎵已經成為了全球半導體研究的熱點，被譽為第三代半導體，其具有更...

2023-02-06 標簽：功率器件氮化鎵GaN 1476 0

氮化鎵的重要性以及制備方法

GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一...

2023-02-05 標簽：半導體電子器件氮化鎵 1511 0

氮化鎵工藝制造流程

氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優點，從而可以采用氮化鎵制作半導體材料，而得到氮化鎵半導體器件。 目...

2023-02-05 標簽：半導體氮化鎵GaN 6825 0

氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應用

氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配...

2023-02-05 標簽：氮化鎵外延片 5658 0

氮化鎵芯片應用前景如何

隨著半導體化合物持續發展，相較第一代硅基半導體和第二代砷化鎵等半導體，第三代半導體具有高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率、高工作溫度等優點。以SiC和G...

2023-02-05 標簽：芯片氮化鎵GaN 2393 0

氮化鎵充電器的優勢 氮化鎵充電器和普通充電器區別

與普通半導體的硅材料相比，氮化鎵的帶隙更寬且導熱好，能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感，所以氮化鎵充電器有體積小、效率高、更安全等優勢。

2023-02-05 標簽：充電器功率電感氮化鎵 2.0萬 0

氮化鎵芯片應用領域有哪些

相對于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本，允許設備在更高的溫度、電...

2023-02-05 標簽：芯片氮化鎵GaN 3284 0

氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應用領域

第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢。因此采用第三代半導體材料制備的半導體器件能在更高的溫度下穩定運...

2023-02-05 標簽：晶圓氮化鎵半導體器件 4299 0

氮化鎵工藝優點是什么

氮化鎵是半導體與微電子產業的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性。業界已經公認氮化鎵（GaN）半導體器件產品將統治微波放大...

2023-02-05 標簽：半導體氮化鎵GaN 1821 0

氮化鎵工藝缺點有哪些

隨著消費電子產品、電動車、家用電器等產品更新換代，產品的性能也越來越受重視，尤其是在功率設計方面。如何提升電源轉換能效，提高功率密度水平，延長電池續航時...

2023-02-05 標簽：氮化鎵GaN 3169 0

氮化鎵工藝技術是什么意思

氮化鎵工藝技術是什么意思？ 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常...

2023-02-05 標簽：半導體氮化鎵GaN 1607 0

氮化鎵半導體器件特性 氮化鎵半導體器件有哪些

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。

2023-02-03 標簽：二極管半導體激光器 3172 0

小編科普一下氮化鎵技術

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。

2023-02-03 標簽：發光二極管氮化鎵GaN 4438 0