氮化鎵在射頻領域的優勢盤點

氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...

2023-05-26 標簽：led半導體射頻 1363 0

GaN-on-Si功率技術:器件和應用

在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應用的半導體技術中顯示出巨大的潛力。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩定的寬帶隙 (WB...

2022-07-29 標簽：升壓轉換器氮化鎵GaN 1358 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化鎵具有許多內在材料優勢，如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉換性能優勢，因為其無反向恢復...

2024-04-18 標簽：氮化鎵GaNHEMT 1353 0

硅基氮化鎵未來發展趨勢分析

GaN 技術持續為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標簽：射頻無線電氮化鎵 1350 0

基于氮化鎵逆變器建模損耗的原因及考慮因素

本文研究了四個經常被忽略的因素對基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時變功耗（Ploss）下的結溫度（*T*~j~）動力學、殼...

2023-12-06 標簽：轉換器濾波器氮化鎵 1337 0

GaN的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有...

2022-09-20 標簽：氮化鎵GaN可靠性 1329 0

淺談雷達技術的幾個發展趨勢

氮化鎵（GaN）被認為是自硅以來影響最大的半導體創新產品，該材料能夠在比傳統半導體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...

2023-07-27 標簽：傳感器fpga氮化鎵 1305 0

聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應用中所面臨的相關熱問題

熱設計是一個至關重要的課題，其中的各種規則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領域；

2024-04-24 標簽：集成電路PCB板QFN封裝 1297 0

射頻硅基氮化鎵：兩個世界的最佳選擇

在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領先大功率射頻功率放大器技術。然而，目前的實現方式成本過高。與硅基技術相比，氮化鎵生...

2023-02-10 標簽：功率放大器晶圓氮化鎵 1287 0

35W氮化鎵磁吸收納線快充充電器拆解

充電頭網拿到了優勝仕推出的一款35W氮化鎵磁吸收納線快充，這款充電器與傳統充電器不同的一點是配備了磁吸伸縮USB-C線模塊，既可以安裝磁吸USB-C線模...

2023-12-19 標簽：充電器氮化鎵USB-C 1284 0

高功率GaN RF放大器的熱考慮因素

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3...

2023-05-19 標簽：放大器RF氮化鎵 1230 0

用氮化鎵消除激光雷達的障礙

激光雷達的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進行的（遠程）檢測和測量。這種裝置采用了經典、簡單的雷達原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...

2021-04-14 標簽：傳感器氮化鎵激光雷達 1215 0

硬核拆解 | 拓爾微65W 2C1A氮化鎵多口快充

拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內置協議芯片和降壓轉換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...

2023-06-25 標簽：芯片充電氮化鎵 1211 0

耦合器技術有利于AC/DC設計中的氮化鎵晶體管

高效的 AC/DC 電源是電信和數據通信基礎設施發展的關鍵，因為超大規模數據中心、企業服務器或電信交換站的功耗會迅速增長。然而，電力電子行業已經達到了硅...

2022-12-19 標簽：晶體管耦合器氮化鎵 1203 0