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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在...
氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導體材料，具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較...
氮化鎵是電力電子行業的熱門話題，因為它可以為電信電源等應用提供高效設計；電動汽車充電；加熱，通風和空調; 電器；和消費電源適配器。在工業應用中，氮化鎵取...
引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應用前景的第三代半導體材料。它們具有高熱導率、高電子遷移率、高擊穿場強等優異的物理化學性質，被廣泛...
兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統硅 (Si) 器件，具有顯著優勢。
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導率等特點，寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
對于那些堅持使用經典放大器拓撲結構的人來說，他們的要求將集中在準確的音頻再現上，而很少考慮解決方案的整體電氣效率。雖然這在家庭音頻環境中是完全合理的，但...
作為電力電子領域的核心技術之一，基于GaN的電能轉換技術在消費電子、數據中心等領域有廣泛應用，這對提高電能的高效利用及實現節能減排起著關鍵作用。
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...
氮化鎵是第三代半導體的代表材料。研發之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發光二極管，1990年起開始被廣泛應用于發光二極管上，目前被廣泛應用于功率器件、...
當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術與不同的半導體材料相結合。因此，縮小哪一個最適合特定設計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導體的直接接觸會導致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高...
氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導體材料，在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現代科技的進步中，氮化...
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...
在進行碳化硅、氮化鎵功率器件研發和特性評估、功率模塊開發和特性評估、電源設計器件選型、電源調試以及學術研究時，都需要對其驅動波形進行測試，這時大多數工程...
以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體可在功率轉換應用中實現更快的開關速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導體效率的提高，碳化...
RF LDMOS之于早期蜂窩網絡，氮化鎵（GaN）之于現代和高頻應用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優勢：
訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導熱墊加強散熱。充電器內置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內...
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容呢？貼片Y電容有什么優點？
在以前，很多手機充電器都會用到安規Y電容，不過用的都是插件形式的，現在情況明顯不一樣
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