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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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當受到戰術機動性和極端操作環境的限制時，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...
在新能源汽車方面主要應用在DC/AC逆變器、DC/DC轉換器；3）在工業領域方面主要應用在電力配送、鐵路運輸、光伏產業、電機控制以及風電渦輪機。
新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅系統的中樞神經，管理電池中的電能與電機之間的流向、傳遞速度。傳統 PCU 使用硅基材料半導體制成，強電流與高壓...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有...
兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統硅 (Si) 器件，具有顯著優勢。
初級主控芯片來自智融，型號為SW1106，是一顆支持增強型氮化鎵開關管直驅的高頻反激準諧振控制器，芯片內部集成氮化鎵驅動器，驅動電壓為6V，可直接驅動增...
2022-09-13 標簽：氮化鎵 1792 0
GaN產業鏈按環節分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍寶石)、GaN材料外延、器件設計、器件制造、封測以及應用。各個環節國內均有企業涉足,如在射頻...
氮化鎵復合物由鎵和氮原子排列構成，最常見的是纖鋅礦晶體結構。纖鋅礦晶體結構(圖1-1)是一種六邊形結構，其特征是有兩個晶格常數(圖中標記為a 和 c)。
近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領域不斷發展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能...
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復雜工業電機控制應用中的傳統 MOSFET 和 IGBT。
提供精確測量磁芯損耗的能力對于磁設計和熱設計具有重要意義。由于碳化硅和氮化鎵等能夠在越來越高的頻率下運行的新半導體技術的引入，該主題變得越來越重要。這些...
氮化鎵 (GaN) 技術：屬性、優點、不同制造工藝及最新進展
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術 ：其屬性、優點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當今這個技術驅...
晶體結構是通過原子（或離子/分子）組的周期性分布來實現的。理想情況下，考慮到在空間坐標中延伸到無窮大的晶體，周期性轉化為平移不變性（或平移對稱性）。因此...
在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應用的半導體技術中顯示出巨大的潛力。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩定的寬帶隙 (WB...
氮化鎵是電力電子行業的熱門話題，因為它可以為電信電源等應用提供高效設計；電動汽車充電；加熱，通風和空調; 電器；和消費電源適配器。在工業應用中，氮化鎵取...
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關頻率電機控制應用中 MOSFET 和 IGBT 的有效...
就像生活中的現實一樣，當老年人離開年輕人的舞臺時，Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來，隨...
對于那些堅持使用經典放大器拓撲結構的人來說，他們的要求將集中在準確的音頻再現上，而很少考慮解決方案的整體電氣效率。雖然這在家庭音頻環境中是完全合理的，但...
MasterGaN 將硅與 GaN 相結合，以加速創建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達 400 W 的消費和工業應用。通過使用 GaN...
已經為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強模式開發了兩種不同的結構。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 （MIS） 結構，2具有由電壓驅...
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