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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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通過硅和GaN實(shí)現(xiàn)高性能電源設(shè)計(jì)
MasterGaN 將硅與 GaN 相結(jié)合，以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達(dá) 400 W 的消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用。通過使用 GaN...
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強(qiáng)模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 （MIS） 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN 是否具...
高效電源管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的發(fā)展趨勢
從智能手機(jī)和電動(dòng)汽車 (EV) 到 EV 充電站和電信中心，電源管理已日益成為我們?nèi)粘Ｊ褂玫碾娮赢a(chǎn)品的關(guān)鍵因素。直到最近幾年，高效電源管理常常被其他設(shè)計(jì)...
基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案
氮化鎵（GaN）器件具有類似硅的電性能，可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)。
氮化鎵集成電路縮小電動(dòng)自行車和無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)EPC9173無論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機(jī)系統(tǒng)且簡化設(shè)計(jì)和加快產(chǎn)品推出市場的時(shí)間。我們可以把這...
2022-06-06 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2562 0
采用LDR6282的PD協(xié)議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解
雙口DRP USB PD Controller LDR6282，順利通過了USB-IF的PD3.0認(rèn)證，TID: 2127。LDR6282芯片具有雙C口...
意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計(jì)
VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓（9 V至23 V）下提供高達(dá)50?W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...
2022-05-12 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體氮化鎵 5768 0
提高能效一直是電源制造商的一個(gè)長期目標(biāo)。這是真正的“雙贏”，因?yàn)檫@不僅降低運(yùn)行成本，而且減少了以熱的形式浪費(fèi)能量，意味著需要更少的散熱管理，從而減小了電...
如何對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕
氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)...
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 電源設(shè)計(jì)
為了擴(kuò)大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲和太陽能等新應(yīng)用中的應(yīng)用（圖 3），TI 正在展示其自己的對流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺。 該平臺...
一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)
我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...
意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件
VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管...
2022-04-09 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1888 0
幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導(dǎo)體已被開發(fā)出來，提供獨(dú)特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，有了化合物半...
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) ：其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)...
氮化鎵(GaN)技術(shù)的優(yōu)勢及應(yīng)用領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀(jì) 90 年代亮相，目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國防領(lǐng)域，但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。...
在現(xiàn)代5G無線電架構(gòu)中部署的射頻功率放大器（PA）在滿足對更高性能和更低成本的明顯矛盾的需求方面起著重要作用。
利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
在傳統(tǒng)的有源鉗位設(shè)計(jì)中，初級MOSFET和有源鉗位開關(guān)以互補(bǔ)方式進(jìn)行工作（因此這些鉗位電路被稱為“互補(bǔ)模式有源鉗位”電路）。
隨著 5G 的推出，下一代蜂窩網(wǎng)絡(luò)有望提供三種非常重要的功能，進(jìn)而改變我們應(yīng)用無線技術(shù)的方式。
2021-09-15 標(biāo)簽：無線電氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 3832 0
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