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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續的情況，那么MOSFET將無法打開，且電流會流過體二極管，從而導致MOSFET過熱。
IQOO這款120W適配器整體采用一體成型制造，采用破壞性拆解，不具備復原性和可維修性，電源內部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體，提高適配器防水...
小米55w氮化鎵充電器怎么樣？小米氮化鎵充電器拆解評測氮化鎵芯片
小米55W氮化鎵適配器的電源內部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體，提高適配器整體防水性、導熱性。并且元器件沒有位移空間，起到提高耐候性，增強適配...
通過采用電子馬達驅動器或“電壓源逆變器”可實現對電機的增強型控制，此類驅動器通常會產生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅動器采用...
激光雷達的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進行的（遠程）檢測和測量。這種裝置采用了經典、簡單的雷達原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...
【全套國產芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設計評測
對亞成微 65W氮化鎵快充參考設計進行溫升測試，在溫度約為25℃的恒溫箱內以 功率持續輸出1小時，測得該方案正面最高溫度約為108℃，最高溫度點出現在變...
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產品， 可以讓客戶提高整機效率， 并且溫度也隨之下降， 效率提升之外， 整體表現與CP值都能有效提升。
在當今的架構中，通過采用12V的背板，工業界能夠使用具有非常好的品質因數特性的40V MOSFET 來滿足高開關頻率，傳輸高效率以及高功率密度。
氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導體材料，其運行速度比舊式傳統硅（Si）技術快了二十倍，并且能夠實現高出三倍的功率，用于尖端快...
拆解報告：SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器1A1C
SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器的包裝盒異于常規產品，采用黑色的收納盒包裝，相比同類產品更為精致，也可以方便用戶后續收納使用。
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術之后，市場上出現了許多趨勢，這些市場朝著R DS（開啟），更好的開關品質因數（FOM）和更低的電容方...
接下來就直接開始拆解。 將頂面外殼拆開，PCBA模塊和外殼之間的空隙注膠填充加固。 將模塊取出，充電器采用接觸式通電設計，插腳和金屬彈片壓接。 使用游標...
對于服務器，這通常是空調房間中的AC到12 V DC，而對于傳統的低功能（例如，僅語音）電信系統，這是遠程潮濕的“蜂窩塔”，需要AC進行“防腐蝕” ，負...
氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優勢。GaN還是高能效...
Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來，開發了一種基于標準200mm Si平臺的顛覆性3D?LED技術，與傳統的2D?LED技術相比，這將降...
工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當從基于硅的芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導體比寬帶隙（WBG...
Power Integrations宣布了其最新的MinE-CAP技術，該技術是具有通用輸入的高功率密度AC / DC轉換器（電源）的解決方案。除了將高...
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