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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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德州儀器的默認過流保護方法被歸類為“電流鎖存”保護；這意味著，若在器件中檢測到任何過流故障，FET將安全關斷，并在故障復位前保持關斷狀態。在我們的70m...
“設計人員必須知道如何正確且安全地構建這些產品，這也需要更高的專注度和更加嚴格的要求，因為通常設計人員面臨的不僅僅是一個電氣問題，”TI的電源管理專家D...
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...
第三代半導體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導率、擊穿電場等特性來看，第三代半導體均比硅材料優秀，因此，第3代半導體的...
在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導體技術中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應用。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩定的寬帶隙（WBG）...
在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業化為提高射頻性能敞開了大門，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節省系統空間。
MICLEDI認為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨特的優勢，可滿足AR眼鏡最高性能標準。目前，相較用于戶外的AR眼鏡，用于室內或較暗場景的...
氮化鎵基Micro LED新突破可實現更高顯示分辨率與調制速率
氮化鎵（GaN）基Micro LED由于在新一代顯示技術、高速可見光通信等方面有著廣泛的應用前景，吸引了眾多研究者的關注。相比于常規尺寸LED，Micr...
目前，許多企業在SiC MOSFET的批量化制造生產方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
氮化鎵（GaN）是一種第三代半導體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和速度都大大優于硅，尤其在高頻和高速開關狀態下。由于其出色的電子移動性、...
GaN技術可以提高雷達的性能和適用性，但也需要更多的測試和優化，在雷達中的應用有以下優勢和劣勢： 優勢： GaN提供更高的功率水平和更強的魯棒性，可以提...
氮化鎵（GaN）功率芯片將多個電力電子功能集成到一顆GaN芯片中，可有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下，GaN功率芯片可以使先進...
氮化鎵（GaN）是電力電子行業的一個熱門話題，因為它可以實現80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設計...
基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術...
就像生活中的現實一樣，當老年人離開年輕人的舞臺時，Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來，隨...
面對社會和監管要求，電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業基礎設施的應用，電源轉換效率和功率密度是設計成功的關鍵。
PFC部分使用安森美的NCL2801產品，SOIC-8封裝，外圍線路簡單。FB腳為輸出電壓采樣信號輸入端，作為反饋信號輸入端的同時還有輸出電壓OVP功能...
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術在 GaN 材料...
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